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公开(公告)号:CN108929030A
公开(公告)日:2018-12-04
申请号:CN201710386875.3
申请日:2017-05-26
Applicant: 创建节能玻璃(贵州)有限公司
Inventor: 徐作义
IPC: C03B27/012 , C03C17/22 , C03C21/00
CPC classification number: C03B27/012 , C03C17/22 , C03C21/002
Abstract: 本发明公开了一种钢化玻璃的制作方法,包括以下步骤:(1)将玻璃放到辊道上,经辊道送入钢化炉中在600℃-610℃静置10-15min;(2)将温度降至400℃-420℃静置5-6min;(3)将温度升至700℃-720℃静置5-6min;(4)将步骤(3)的玻璃从钢化炉取出,使用高压风冷将玻璃表面温度降至300-320℃;(5)将步骤(4)的玻璃放入涂覆一层保护膜,之后放入硝酸钾熔盐反应1-2h;(6)将步骤(5)放入95-100℃的热水中浸泡5-8min;(7)将步骤(6)取出自然冷却即得。本发明具有生产良率高、强度高的特点。
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公开(公告)号:CN108807561A
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201810704339.8
申请日:2018-07-01
Applicant: 山东建筑大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C03C17/22 , C23C18/12
CPC classification number: H01L31/02168 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2218/116 , C23C18/1204
Abstract: 一种用氯化物制备铜铁硫光电薄膜的方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将CuCl2.2H2O、FeCl3.6H2O和Na2S2O3.5H2O依次放入溶剂水中,配制澄清透明溶液,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,自然晾干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨直接接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量,得到铜铁硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铁硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铁硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
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公开(公告)号:CN108520900A
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201810523623.5
申请日:2018-05-28
Applicant: 山东建筑大学
IPC: H01L31/0216 , C03C17/22 , C01B19/00
CPC classification number: H01L31/0216 , C01B19/00 , C03C17/22 , C03C2217/289 , C03C2218/116 , C03C2218/31
Abstract: 一种硝酸盐体系制备铜铝碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将TeO2、Cu(NO3)2和Al(NO3)3先后放入溶剂中,配制澄清透明溶液,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,自然晾干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量,得到铜铝碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铝碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铝碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
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公开(公告)号:CN108238726A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201711404420.6
申请日:2017-12-22
Applicant: 肖特股份有限公司
CPC classification number: C03C17/245 , C03C17/225 , C03C2217/732 , C03C2217/78 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/35 , G02B1/115 , G02B1/14 , C03C17/22 , C03C17/34 , C04B41/009 , C04B41/5009 , C04B41/52 , C04B14/303
Abstract: 本发明涉及一种透明的无机衬底。该衬底包含具有硬质材料涂层的抗反射涂层系统,该硬质材料涂层构成为包含铝、硅、氮和氧的无定形的透明层。硬质材料层的铝的质量分数大于硬质材料层的硅的质量分数,且硬质材料层的氮的质量分数大于氧的质量分数。此外,本发明涉及这种经涂覆的衬底的制造方法。
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公开(公告)号:CN108147461A
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201711449836.X
申请日:2017-12-27
Applicant: 肇庆市华师大光电产业研究院
CPC classification number: C01G39/06 , A01N59/16 , C01P2004/42 , C03C17/006 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2217/42 , C03C2217/71 , C03C2218/152
Abstract: 本发明为一种金字塔型MoS2杀菌材料的制备和应用方法。本发明制备的MoS2金字塔结构结晶性好,这种结构的半导体材料带隙可调,能够利用可见光在溶液里生成强氧化性的活性基团,这些强氧化型的活性基团能够破坏大肠杆菌的细胞壁,从而可以将大肠杆菌杀死,具有高效的杀菌性能。本发明具有操作简单,可重复性好,制备成本低,人工操作安全,可推广到实际应用等特点。
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公开(公告)号:CN108137390A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680057567.X
申请日:2016-08-30
Applicant: 康宁公司
Inventor: 本尼迪克特·约克·约翰逊 , 刘鑫源 , 普兰蒂克·玛祖德
CPC classification number: B32B37/025 , B32B7/06 , B32B9/04 , B32B37/26 , B32B38/10 , B32B2037/268 , B32B2255/26 , C01B32/194 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2004/24 , C03C17/22 , C03C2217/28 , C23C16/01 , C23C16/26
Abstract: 本文公开了用于将石墨烯膜转移到基底上的方法,所述方法包括将聚合物层施加到石墨烯膜的第一表面,其中所述石墨烯膜的第二表面与生长基底接触;将热释放聚合物层施加到所述聚合物层上;去除所述生长基底以形成包括暴露的石墨烯表面的转移基底;以及使所述暴露的石墨烯表面与目标基底接触。本文还公开了包括石墨烯膜、热释放聚合物层和聚合物层的转移基底。
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公开(公告)号:CN104487393B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201380039610.6
申请日:2013-07-25
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: C03C17/00
CPC classification number: C03C17/22 , C03C17/007 , C03C2217/45 , C03C2217/485 , Y10T428/259 , Y10T428/26
Abstract: 本发明涉及有色的涂漆的玻璃或玻璃陶瓷基材,其包含基于碱金属硅酸盐的无机涂层,其在低温时获得了在颜色方面和在淬火时颜色变化方面和在粘合作用方面和在机械稳定性方面所希望的性能,而不需要在高温的烘烤步骤。
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公开(公告)号:CN108017278A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201711352278.5
申请日:2017-12-15
Applicant: 长兴旗滨玻璃有限公司
CPC classification number: C03C4/02 , C03C1/04 , C03C3/097 , C03C17/22 , C03C2218/152
Abstract: 本发明属于玻璃制造领域,尤其涉及一种提高膜层的均匀性,降低色差,提高产品品质的蓝灰镀膜玻璃及其制造方法,所述蓝灰镀膜玻璃的原料包括基础玻璃与着色剂,在本体着色蓝灰玻璃上镀制单晶硅层;所述基础玻璃包括SiO2、Al2O3、Na2O、K2O、CaO、MgO、SO3、氧化钽、氧化钬与氧化镨;所述着色剂包括以下重量份计的原料:Fe2O3、TiO2、Co3O4与Se。本发明通过新产品的开发以及运用合适的镀膜工艺,增加本体着色蓝灰玻璃的遮阳性功能,并且使镀膜玻璃产品在镀膜后依旧保持蓝灰色调,具有更为广泛的适用范围。
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公开(公告)号:CN107758727A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710993675.4
申请日:2017-10-23
Applicant: 沈阳理工大学
CPC classification number: C01G15/006 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C03C17/22 , C03C2217/281 , C03C2218/152 , C23C16/303 , C23C16/44
Abstract: 一种AlxGa1-xN三元合金锥状纳米晶及其制备方法,属于半导体合金纳米材料制备的技术领域。该AlxGa1-xN三元合金锥状纳米晶的制备方法包括使用六水氯化铝(AlCl3·6H2O)、金属镓和氨气为反应原料,组装反应装置,向装置内通Ar气,常压下,设定反应温度900℃-1000℃,同时,通入流量为20~30sccm的NH3和流量为20~30sccm的Ar,维持1~1.5h,冷却,利用气相沉积法在石英基片上制备出AlxGa1-xN三元合金锥状纳米晶,Al组分可调范围为0
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公开(公告)号:CN106746712A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611078104.X
申请日:2016-11-30
Applicant: 江苏奥蓝工程玻璃有限公司
IPC: C03C17/22
CPC classification number: C03C17/22 , C03C2218/156
Abstract: 本发明公开了一种离线可钢化零透高反热反射镀膜玻璃及其制备方法,包括玻璃基片和镀膜层,其中镀膜层直接采用扩散系数很低的硅作为材料,且硅的价格较低,本发明不仅能够在不影响热反射效果的同时大大降低生产成本,也能够使膜层在钢化炉中进行热处理而不使膜层破坏,且保持了原有热工性能,同时将原片也进行了钢化处理,而且生产出来的镀膜玻璃具有很好的隔热功效,同时也能实现异地化后续深加工,且透光可以做到接近零,玻璃面反射在35左右。
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