公开(公告)号：CN103476555A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280018819.X

申请日：2012-07-12

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 克里斯蒂安·施密特 ,  莱安德·迪特曼 ,  阿德里安·柴泽 ,  斯文德·霍耶

IPC: B26F1/28 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H03K3/537

CPC classification number: B23K26/382 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/1423 ,  B23K26/18 ,  B23K26/348 ,  B23K26/386 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K26/50 ,  B23K26/702 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  B26F1/28 ,  C03C23/0025 ,  H03K3/537 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明涉及在电绝缘或半导电的衬底中生成孔或井的方法，并且涉及通过该方法在衬底中生成的孔或井。本发明同样涉及通过所述方法在衬底中生成的孔或井的阵列。

公开(公告)号：CN103492139A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018781.6

申请日：2012-07-12

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 克里斯蒂安·施密特 ,  莱安德·迪特曼 ,  阿德里安·柴泽 ,  斯文德·霍耶

IPC: B26D5/00 ,  B26F1/28 ,  B23K26/382 ,  B23K26/402 ,  H01L21/00

CPC classification number: H05K3/0085 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  B26D5/00 ,  B26F1/28 ,  Y10T29/49124

Abstract: 本发明涉及在电绝缘的或半导电的衬底中生成孔或凹进或井或其阵列的方法。本发明也涉及由所述方法在衬底中生成的孔或井或凹进的阵列。本发明同样涉及用于执行根据本发明的所述方法的装置。