EUV光刻用反射型掩模底板及其制造方法

    公开(公告)号:CN102124542A

    公开(公告)日:2011-07-13

    申请号:CN200980131870.X

    申请日:2009-09-02

    Inventor: 生田顺亮

    CPC classification number: G03F1/24 B82Y10/00 B82Y40/00 G03F1/70

    Abstract: 本发明提供在实施EUV光刻时抑制了来自掩模图案区域的外周部的吸收膜表面的EUV反射光的影响的EUV掩模、用于制造该EUV掩模的EUV掩模底板以及该EUV掩模底板的制造方法。一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法,其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜并形成反射EUV光的多层反射膜,在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜,其特征在于,在形成上述多层反射膜后,通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热,使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。

    EUV光刻用反射型掩模底板及其制造方法

    公开(公告)号:CN102124542B

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN200980131870.X

    申请日:2009-09-02

    Inventor: 生田顺亮

    CPC classification number: G03F1/24 B82Y10/00 B82Y40/00 G03F1/70

    Abstract: 本发明提供在实施EUV光刻时抑制了来自掩模图案区域的外周部的吸收膜表面的EUV反射光的影响的EUV掩模、用于制造该EUV掩模的EUV掩模底板以及该EUV掩模底板的制造方法。一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法,其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜并形成反射EUV光的多层反射膜,在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜,其特征在于,在形成上述多层反射膜后,通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热,使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。

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