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公开(公告)号:CN102124542A
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN200980131870.X
申请日:2009-09-02
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor: 生田顺亮
IPC: H01L21/027 , G03F1/16
Abstract: 本发明提供在实施EUV光刻时抑制了来自掩模图案区域的外周部的吸收膜表面的EUV反射光的影响的EUV掩模、用于制造该EUV掩模的EUV掩模底板以及该EUV掩模底板的制造方法。一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法,其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜并形成反射EUV光的多层反射膜,在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜,其特征在于,在形成上述多层反射膜后,通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热,使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。
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公开(公告)号:CN102124542B
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN200980131870.X
申请日:2009-09-02
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor: 生田顺亮
Abstract: 本发明提供在实施EUV光刻时抑制了来自掩模图案区域的外周部的吸收膜表面的EUV反射光的影响的EUV掩模、用于制造该EUV掩模的EUV掩模底板以及该EUV掩模底板的制造方法。一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法,其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜并形成反射EUV光的多层反射膜,在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜,其特征在于,在形成上述多层反射膜后,通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热,使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。
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公开(公告)号:CN100389085C
公开(公告)日:2008-05-21
申请号:CN03808732.4
申请日:2003-04-23
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C3/06 , G02B1/02 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70958 , C03C3/06 , C03C2201/21 , G02B1/02
Abstract: 一种光学构件用合成石英玻璃,在以ArF受激准分子激光器激光为光源的光学装置内,于能量密度2mJ/cm2/脉冲以下使用,或者是以KrF受准分子激光器激光为光源的光学装置内,于能量密度30mJ/cm2/脉冲以下使用,其特征在于,其氢分子浓度在1×1016分子/cm3以上、5×1016分子/cm3以下的范围内。
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公开(公告)号:CN102687071B
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201080056266.8
申请日:2010-12-09
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983
Abstract: 本发明提供抑制了由自钌(Ru)保护层的氧化导致的反射率降低的EUV掩模坯料、和该EUV掩模坯料的制造中使用的带反射层的衬底、以及该带反射层的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底,其特征在于,其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层,前述反射层为Mo/Si多层反射膜,前述保护层为Ru层或Ru化合物层,在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。
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公开(公告)号:CN102687071A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201080056266.8
申请日:2010-12-09
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983
Abstract: 本发明提供抑制了由自钌(Ru)保护层的氧化导致的反射率降低的EUV掩模坯料、和该EUV掩模坯料的制造中使用的带反射层的衬底、以及该带反射层的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底,其特征在于,其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层,前述反射层为Mo/Si多层反射膜,前述保护层为Ru层或Ru化合物层,在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。
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公开(公告)号:CN1646440A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN03808732.4
申请日:2003-04-23
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C3/06 , G02B1/02 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70958 , C03C3/06 , C03C2201/21 , G02B1/02
Abstract: 一种光学构件用合成石英玻璃,在以ArF受激准分子激光器激光为光源的光学装置内,于能量密度2mJ/cm2/脉冲以下使用,或者是以KrF受准分子激光器激光为光源的光学装置内,于能量密度30mJ/cm2/脉冲以下使用,其特征在于,其氢分子浓度在1×1016分子/cm3以上、5×1016分子/cm3以下的范围内。
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