公开(公告)号：CN104105570A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380008848.2

申请日：2013-01-21

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 莱安德·迪特曼

IPC: B23K26/382 ,  B23K26/00 ,  B23K26/14 ,  B23K26/16 ,  B26D7/10 ,  B26F1/28 ,  H02J1/10

CPC classification number: H01L21/2633 ,  B23K26/1423 ,  B23K26/16 ,  B23K26/354 ,  B23K26/382 ,  B26D7/10 ,  B26F1/28 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115 ,  H02J1/10

Abstract: 本发明涉及一种基板(5)钻孔装置，特别涉及一种用于在电绝缘或半导体的基板(5)中生成孔或凹部或阱的装置，更具体地，一种用于在电绝缘或半导体的基板(5)中生成多个孔或凹部或阱的装置。本发明还涉及一种基板(5)钻孔方法。此外，本发明涉及基板(5)钻孔装置的用途。

公开(公告)号：CN103492139A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018781.6

申请日：2012-07-12

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 克里斯蒂安·施密特 ,  莱安德·迪特曼 ,  阿德里安·柴泽 ,  斯文德·霍耶

IPC: B26D5/00 ,  B26F1/28 ,  B23K26/382 ,  B23K26/402 ,  H01L21/00

CPC classification number: H05K3/0085 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  B26D5/00 ,  B26F1/28 ,  Y10T29/49124

Abstract: 本发明涉及在电绝缘的或半导电的衬底中生成孔或凹进或井或其阵列的方法。本发明也涉及由所述方法在衬底中生成的孔或井或凹进的阵列。本发明同样涉及用于执行根据本发明的所述方法的装置。

公开(公告)号：CN103476555A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280018819.X

申请日：2012-07-12

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 克里斯蒂安·施密特 ,  莱安德·迪特曼 ,  阿德里安·柴泽 ,  斯文德·霍耶

IPC: B26F1/28 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H03K3/537

CPC classification number: B23K26/382 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/1423 ,  B23K26/18 ,  B23K26/348 ,  B23K26/386 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K26/50 ,  B23K26/702 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  B26F1/28 ,  C03C23/0025 ,  H03K3/537 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明涉及在电绝缘或半导电的衬底中生成孔或井的方法，并且涉及通过该方法在衬底中生成的孔或井。本发明同样涉及通过所述方法在衬底中生成的孔或井的阵列。