一种SiC晶须的制备方法
    84.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104328478A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201410401688.4

    申请日:2014-08-14

    Abstract: 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法,包括下列步骤:1)取碳源和硅源制成前驱体;2)将步骤1)所得前驱体压制成片后,埋入石英砂中,进行微波烧结合成反应,即得。本发明的SiC晶须的制备方法,利用碳优良的吸波性能,采用直接微波合成方法,实现了SiC晶须的快速合成,得到结晶良好的SiC晶须;微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的,相比于工业传统加热方法,具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点;所得SiC晶须尺寸均匀,长径比高,结晶度好,缺陷少,产量高;该方法工艺简单,操作方便,生产周期短,烧结温度低,能耗低、污染少,适合大规模工业化生产,具有广阔的应用前景。

    一种低温玻璃相增强的SiCp/Cu复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104294071A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410011383.2

    申请日:2014-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种低温玻璃相增强的SiCp/Cu复合材料及其制备方法,属于陶瓷增强金属基复合材料制备技术领域。SiCp/Cu复合材料的Cu基体中分散有由玻璃相包裹的SiC颗粒,玻璃相成分为SiO2和K2O,其中SiO2与K2O的摩尔比为2~6,所述SiC与玻璃相中SiO2及Cu的体积比为1:(0.2~1.2):(2~4)。一方面低温玻璃相在熔融时与SiC颗粒具有较好的界面润湿性,同时在复合材料烧结过程中Cu基体颗粒表面会形成一定量的Cu2O,参与界面玻璃相的形成,因此Cu基体和玻璃相结合良好;另一方面,界面玻璃相的引入可避免多个SiC颗粒团聚时的直接面接触,同时阻止界面固相反应中反应物原子的相互扩散,从而有效抑制界面固相反应产物生成,使复合材料获得良好的综合力学性能。

    一种莫来石复合材料的混合微波烧结法

    公开(公告)号:CN102432303B

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201110295378.5

    申请日:2011-09-27

    Abstract: 本发明属于复合材料制备工艺技术领域,公开了一种莫来石复合材料的混合微波烧结法。将莫来石复合材料生坯置于辅助加热与保温联合装置中,辅助加热与保温联合装置与莫来石复合材料生坯一同放入微波谐振腔内进行烧结:首先,开启微波源,调节微波输入功率,在低温阶段以平均6~15℃/min的速度缓慢升温;待排湿及排烟结束后,开始连续调节微波输入功率,以20~100℃/min的速度迅速加热,同时监测反射功率;待反射功率稳定时,维持升温速率在20~30℃/min至烧结温度1000~1500℃,保温2~10min,随炉冷却至室温,即得莫来石复合材料制品。本发明根据氧化物的吸波特性,将传统烧结与微波烧结结合,实现了莫来石复合材料的快速烧成。

    一种α-Al2O3粉体的混合微波烧结法

    公开(公告)号:CN102531014A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110436458.8

    申请日:2011-12-23

    Abstract: 本发明属于无机非金属材料制备工艺技术领域,公开了一种α-Al2O3粉体的混合微波烧结法。将前驱体粉料置于辅助加热保温装置中,辅助加热保温装置与前驱体粉料一同放入微波谐振腔内进行烧结:首先,开启微波源,调节微波输入功率,以平均6~30℃/min的速度缓慢升温;待脱水结束后,开始连续调节微波输入功率,以20~100℃/min的速度迅速加热,同时监测反射功率;待反射功率稳定时,维持升温速率在10~30℃/min匀速升温至烧结温度1000~1500℃,保温2~20min,控制微波输入功率以6~30℃/min的速度匀速冷却至室温,即得α-Al2O3粉体制品。本发明根据氧化物的吸波特性,将传统烧结与微波烧结结合,实现了α-Al2O3粉体的快速烧结,该方法成本低、无污染、方便快捷,适宜α-Al2O3粉体的规模化生产。

    一种超大尺寸SiC晶须及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119980471A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510194032.8

    申请日:2025-02-21

    Abstract: 本发明提供了一种超大尺寸SiC晶须及其制备方法和应用,属于无机非金属材料技术领域。本发明以碳源和硅源为原料,采用溶胶凝胶法制备由硅源均匀包覆碳源的硅包覆碳粉体,无需预成型工艺,将硅包覆碳粉体直接倒入坩埚中加热,通过控制微波输入功率的速率,以强化微波加热过程中产生的微波耦合热效应对合成SiC晶须的生长诱导作用,该方法能够在短时间内合成具有超大尺寸的SiC晶须形貌的高纯度SiC粉体,为特定环境用微型电子器件等提供新的发展途径和解决思路。

    一种高熵碳化物纳米线及其制备方法

    公开(公告)号:CN117661154A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311671772.3

    申请日:2023-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种高熵碳化物纳米线及其制备方法,属于高熵陶瓷材料技术领域,采用管式炉烧结,以五种过渡金属氧化物为原料,在NaF、ZnCl2、Fe(NO3)3·9H2O和Ni(NO3)3·6H2O的作用下,以天然竹粉为碳源,根据生物模板法,通过气‑液‑固反应机制,高温下有机竹粉会产生甲烷、乙烷等碳基气体,由于ZnCl2熔点较低且挥发温度点也较低,故可以促进气相反应,随后五种过渡金属氧化物会与NaF反应生成气态氟氧化物,Fe(NO3)3·9H2O、Ni(NO3)3·6H2O会在高温下生成Fe‑Ni合金液滴,而Fe‑Ni合金促进金属氟氧化物在高温下碳化形成了具有一维纳米线结构的高熵碳化物纳米线。

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