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公开(公告)号：CN116545417A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310287650.8
申请日：2023-03-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本申请公开了一种冗余互锁的抗多位单粒子翻转触发器电路，包括输入输出电路、传输门电路、时钟输出电路以及冗余互锁的主从锁存器电路。反相器电路用于反相输入数据信号D、时钟信号以及输出数据到触发器电路的输出端Q。传输门电路用于控制信号在主从锁存器中的传播。冗余互锁的主从锁存器电路用于锁存数据以及保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态。本申请设计的电路，针对单粒子翻转，加固效果好，电路设计简单，易实现。
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公开(公告)号：CN114220794B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202111334987.7
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京工业大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/552 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种抗单粒子辐射加固的增强型GaN功率器件，包括一个衬底(212)；一个成核层(211)；一个缓冲层(210)；一个沟道层(209)；一个第一势垒层(208)；一个钝化层(202)；一个源极(201)；一个漏极(207)；一个栅极(203)；还包括：一个与钝化层和第一势垒层相连接的第二势垒层，和一个与第二势垒层和漏极相连接的第二P型GaN层；或者一个与源极、沟道层和缓冲层相连接的隔离埋层(213)，和一个与源极、隔离埋层和缓冲层相连接的第一P型GaN层(214)。
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公开(公告)号：CN114582862A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221722.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN114528983A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111681671.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06N3/063
Abstract: 一种脉冲神经元加固电路、加固方法，解决现有技术中脉冲神经元受到单粒子效应影响易发生计算错误的缺陷，有效的提高脉冲神经元的空间环境适应性。该方法通过配置信息和模型参数能够实现脉冲神经网络所需要的脉冲神经元及神经元放电脉冲信号；进一步地，该方法通过ECC编解码模块对配置信息和模型参数进行纠检错容错；进一步地，该方法通过影子存储器(或寄存器组)对配置信息和模型参数进行备份容错。
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公开(公告)号：CN114417683A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111546918.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/25 , G06F30/17 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法，该方法通过开展地面重离子辐照试验，获取器件单粒子翻转截面(σ)和入射离子参数(LET)的试验数据；对单粒子翻转饱和截面(σsat)、单粒子翻转LET阈值(LETth)、器件敏感区深度(d)、器件器件漏斗长度(F)等参数的区间范围进行预估；在预估范围内对每一个参数进行调节，利用威布尔曲线进行拟合，采用蒙卡仿真工具开展仿真获取在轨单粒子翻转率；最终获取每一个参数与在轨翻转率平均优值的变化关系，从而确定器件在轨单粒子翻转率的参考区间；该方法能够获取器件，尤其是商用器件的在轨单粒子翻转率的参考区间，有效指导宇航器件的选型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114297097A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111452275.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种众核可定义分布式共享存储结构，包括内部数据总线系统、路由单元、处理器核、网络接口单元和存储器模块；横向双向数据线和纵向双向数据线的交叉点放置路由单元；处理器核通过网络接口单元与路由单元连接，路由单元和网络接口单元之间通过处理器核存储访问总线连接；存储器模块直接与路由单元连接。网络接口单元内部集成路由表，它直接根据处理器核发出的存储访问地址查询到目的物理坐标位置，此目的坐标位置添加到数据包的包头后，数据包能够在目的坐标的指引下，通过路由单元，到达要访问的存储器模块。本发明能够克服目前众核处理器存储系统地址空间固定、不支持乒乓操作、存储器模块间无法灵活组合的缺点。
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公开(公告)号：CN114220794A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111334987.7
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京工业大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/552 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种抗单粒子辐射加固的增强型GaN功率器件，包括一个衬底(212)；一个成核层(211)；一个缓冲层(210)；一个沟道层(209)；一个第一势垒层(208)；一个钝化层(202)；一个源极(201)；一个漏极(207)；一个栅极(203)；还包括：一个与钝化层和第一势垒层相连接的第二势垒层，和一个与第二势垒层和漏极相连接的第二P型GaN层；或者一个与源极、沟道层和缓冲层相连接的隔离埋层(213)，和一个与源极、隔离埋层和缓冲层相连接的第一P型GaN层(214)。
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公开(公告)号：CN113704169A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110924960.7
申请日：2021-08-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F15/173
Abstract: 本发明公开了一种面向嵌入式的可配置众核处理器，包括：内部数据总线系统、事件总线系统、数据连接线、路由单元和处理器核；内部数据总线系统包括若干条横、纵向数据线；若干条横、纵向数据线横纵交错排列，形成N个交叉点，每个交叉点对应放置一个路由单元，相邻路由单元之间通过横向数据线或纵向数据线连接；事件总线系统包括：事件控制单元、事件总线和事件信号线；各处理器核与对应的路由单元之间通过数据连接线连接；各事件控制单元一方面与事件总线连接，另一方面通过事件信号线与对应的处理器核和路由单元连接。本发明可满足嵌入式、高实时性、芯片内部处理器核之间高同步性、芯片内部通信并行性和高吞吐量的需求。
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公开(公告)号：CN112234954A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011018917.6
申请日：2020-09-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/02
Abstract: 本发明一种节点反馈的单粒子翻转加固触发器电路结构，包括：第一反相器电路、延时电路、C单元结构、第一时钟控制输入电路、第二时钟控制输入电路、第三时钟控制输入电路、第四时钟控制输入电路、主锁存器电路、从锁存器电路、第二反相器电路、第三反相器电路、第四反相器电路和第五反相器电路。反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKN、CLKNN以及输出Q；延时电路用于延时瞬态脉冲；C单元结构用于滤波；时钟控制输入结构用于控制信号在主从锁存器中的传播；主从锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态。本发明设计的电路结构，针对单粒子翻转，加固效果好，敏感节点划分容易，版图布局易实现。
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公开(公告)号：CN107783581B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710892671.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种抗单粒子瞬态效应的低压降线性稳压器电路。该电路主要由基准源电路、误差放大器电路、电阻分压电路、RC滤波电路、功率管网络和限幅电路构成。所述功率管网络由多个小尺寸功率管组成，功率管之间通过传输门相连，形成一定的传播延迟，功率管网络能够降低因误差放大器输出信号突变造成的LDO输出信号的变化幅度；所述限幅电路由多个二极管串联构成，连接在LDO的输出端，对LDO的输出进行限幅。本发明能够降低或避免辐射环境中单粒子瞬态效应的影响，确保LDO输出电压的稳定，提高系统的可靠性，具有结构简单、实现方便、仅需在常见电路中添加少量电路等优点。
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