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公开(公告)号：CN118184138A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410312277.1
申请日：2024-03-19
Applicant: 深圳陕煤高新技术研究院有限公司 , 南方科技大学
IPC: C03C3/15 , C03C12/00 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本申请提供一种玻璃粉、玻璃‑陶瓷复合材料及其制备方法，属于低温共烧陶瓷制造技术领域。玻璃粉按照质量百分比计，玻璃粉由B2O3：54.5～61.5％、La2O3：4.5～7.5％以及ZnO：34～38％组成，该玻璃粉能够有效降低低温共烧陶瓷的烧结温度以及介电损耗。
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公开(公告)号：CN108015892B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201711466872.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷浆料除气方法，包括下列步骤：在密封环境下搅拌所述陶瓷浆料，在搅拌陶瓷浆料的同时，抽空作业区域内的空气；使用过滤器过滤从作业区域内抽出的空气，所述过滤吸附所述陶瓷浆料挥发出的溶剂，实时称量过滤器重量，得到挥发的所述溶剂的质量；根据所述陶瓷浆料的初始粘度和挥发的所述溶剂重量，代入计算方程，计算此时所述陶瓷浆料的粘度。本发明提供的陶瓷浆料除气方法及除气设备，与现有技术相比，本方法及设备实时监测挥发出的溶剂质量，可以在搅拌过程中测算出陶瓷浆料的粘度，操作人员通过设定需求的粘度值，可以避免陶瓷浆料粘度过高影响后续工艺处理。
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公开(公告)号：CN117913121A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311720920.6
申请日：2023-12-14
Applicant: 南方科技大学 , 江苏卓胜微电子股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种沟槽叠层钝化结构的氮化镓器件，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、势垒层、Si3N4钝化层、金刚石钝化层；所述Si3N4钝化层表面刻蚀若干个沟槽，所述金刚石钝化层与刻蚀有沟槽的Si3N4钝化层表面紧密接触；其中，所述源极和漏极设置在金刚石钝化层的两端，所述栅极设置在源极和漏极之间；所述源极、漏极和栅极贯穿金刚石钝化层和Si3N4钝化层，直至势垒层的上表面。本发明提高了Si3N4钝化层与金刚石钝化层的接触面积并降低边界热阻，具有高导热作用，可以有效降低GaN器件的结温，实现更好的散热性能，从而降低结温，减小GaN器件直流和射频特性的退化效果。
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公开(公告)号：CN117712167A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311604038.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有三层钝化层的晶体管，所述具有三层钝化层的晶体管结构自上而下依次包括金刚石钝化层、功能层、漂移层、衬底；其中，所述功能层包括源极、漏极和栅极；所述源极和漏极设置在漂移层的两侧，所述源极和漏极之间沉积有栅介质层；所述栅介质层上方设置有栅极，所述栅极和源极之间，以及栅极和漏极之间，均自上而下依次沉积第二钝化层和第一钝化层；本发明提出的器件具有三层钝化层可以大大提高了器件的击穿电压特性，降低了反向漏电流，整体提高了器件的电学性能；首先在氧化镓表面的第一钝化层可以起到界面屏障的作用，防止氧化镓表面与环境中的物质相互作用。
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公开(公告)号：CN117457482A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311214427.7
申请日：2023-09-19
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L21/225 , H01L21/8252 , H01L21/324 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供了一种提高p‑GaN源漏区域掺镁浓度的方法，包括如下步骤：S1.在p‑GaN外延结构材料的表面镀SiO2硬掩模1，露出源漏极上表面的掺杂区域；S2.在源漏极上表面的掺杂区域上旋涂掺Mg的SOG涂层，然后去除SOG中的水分；S3.在p‑GaN外延结构材料表面再镀一层SiO2硬掩模2，盖住掺Mg的SOG涂层，然后在惰性气氛下进行高温处理；S4.去除SiO2硬掩模1、SiO2硬掩模2和残留的SOG。本发明通过在p‑GaN源漏极上上涂覆含Mg的SOG，在高温热处理后，促进SOG中的Mg掺杂向氮化镓内部扩散，实现特定区域的Mg浓度提升。该方法是一种方法简单、时间较短、与表面图形化的适配程度较高、低损伤且有效的源漏区域Mg浓度提升方法。
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公开(公告)号：CN117316949A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311015283.2
申请日：2023-08-14
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L27/085 , H03K19/20 , H03K19/094 , H01L21/8252
Abstract: 本发明提供一种GaN基或非门逻辑电路及其制备方法，其中电路由三端耗尽型GaN HEMT器件和四端增强型GaN HEMT双栅器件组成；三端耗尽型GaN HEMT器件的三端分别为第一源极、第一漏极、第一栅极；四端增强型GaN HEMT双栅器件的四端分别为第二源极、第二漏极、第二栅极、第三栅极；所述第一源极的一端用于接入电源；所述第二源极的一端用于接地；所述第二栅极和所述第三栅极的两端用于输入电压。本发明的GaN基或非门逻辑电路及其制备方法，相比以往的GaN基或非门技术具有一定的创新性，克服了传统或非门电路面积较大，寄生电容电感、互联电阻、动态功耗较高的缺点，进一步简化GaN基或非门结构，显著提升GaN器件集成度，可有效降低GaN集成电路生产成本，提升商业效益。
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公开(公告)号：CN116942116A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310921172.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 南方科技大学 , 深圳市联科翰微医疗科技有限公司
IPC: A61B5/0205 , A61B5/145 , A61F2/82
Abstract: 本发明公开了一种血管支架内环境监测系统，包括体内监测设备和体外接受设备，体内监测设备与体外接受设备无线通讯连接；体内监测设备包括主体、薄膜聚合物材料层、控制芯片、若干个传感器和若干个感应线圈；薄膜聚合物材料层附于主体内侧面，控制芯片、若干个传感器和若干个感应线圈均置于薄膜聚合物材料层上；体内监测设备外表面覆盖有一层人体兼容性生物膜；体内监测设备拟利用近场通讯(NFC)方式，利用感应线圈及体外接受设备，实现无线能源供给，及体外无创随时获取相关生理化学指标，实现对患者血管内参数的及时监控，通过对患者的监控数据的分析，给予患者及时的反馈和建议，从而控制病情的发展，改善患者的病况。
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公开(公告)号：CN110504937B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910797254.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN116637663A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310468328.5
申请日：2023-04-27
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成核酸提取的用于核酸检测的微流控芯片，属于微流控芯片领域，包括依次叠设的第一层板、第二层板、第三层板以及第四层板，所述第二层板的侧面开设有腔室一、腔室二、腔室三、腔室四、腔室五、腔室六、腔室七、腔室八、腔室九，所述第四层板的一侧面设有加热电路用以给腔室八内部进行加热，且加热电路一侧设有液体检测电路用以检测腔室一与腔室八内的液体，所述微流控芯片的外界控制系统通过机器视觉深度学习以实现精确的流体控制。本发明，采用板卡式设计，加工工艺简单，成本低廉，组装简单，同时集成了核酸提取步骤，可以将整个核酸检测流程在同一块芯片上完成，有效提高检测速度，通道转换采用旋转阀式，控制简单。
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公开(公告)号：CN113422586B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110766482.1
申请日：2021-07-07
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种高能效的均衡器架构，包括：滤波模块，所述滤波模块用于对输入信号进行滤波；处理模块，所述处理模块与所述滤波模块连接，所述处理模块包括多个互补连接的MOS管，所述处理模块用于跨导放大所述输入信号的电流信号；转换模块，所述转换模块与所述处理模块连接，所述转换模块用于将所述电流信号转换为电压信号。本发明实施例提供的一种高能效的均衡器架构通过接入互补型跨导管，使用相同的跨导放大级电流，可以得到两倍的跨导，而同时，输出跨阻级仍能保持恒定的带宽与增益，相对于传统线性均衡器架构达到了补偿能力强、驱动能力强的效果。
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