公开(公告)号：CN101922566A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200910171113.7

申请日：2003-12-18

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  西村龙太郎

IPC: F16K7/17 ,  G05D16/02

CPC classification number: F16K47/02 ,  F16K47/023 ,  F16L55/043 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86461

Abstract: 通过极为简单的装置及操作，不会发生水击、而且在短时间内，可以将流体通路紧急关闭。为此，由以下部分构成无水击关闭装置：加装在流体通路上的致动器动作式阀；向致动器动作式阀供应两级阶梯状的致动器动作压力Pa的电气变换装置；可自由拆装地固定到前述致动器动作式阀的上游侧管路上的振动传感器；输入由振动传感器检测出来的振动检测信号Pr、并且向电气变换装置输出控制前述两级阶梯状的致动器动作压力Pa的阶梯动作压力Ps′的大小的控制信号Sc，通过该控制信号Sc的调整、从电气变换装置输出振动检测信号Pr基本上成为零的阶梯动作压力Ps′的两级阶梯状的致动器压力Pa的调整箱。

公开(公告)号：CN1630030B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200410098703.9

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。

公开(公告)号：CN100546438C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200580017662.9

申请日：2005-02-24

Applicant: 大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  森本明大 ,  加藤丈佳 ,  川崎雅史 ,  胁坂康寻

IPC: H05K3/38 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/024 ,  H05K1/0216 ,  H05K1/0242 ,  H05K3/389

Abstract: 为了提供电绝缘层间的粘合性高、并且层间电阻低的电路基板，在具有基体1上形成的第1导体层，和在该第1导体层上形成的第1电绝缘层的电路基板中，第1导体层有0.1nm以上且不足100nm的表面粗糙度Ra，在该第1导体层与第1电绝缘层之间设置以硫醇化合物为主要材料的第1底涂层。由此，可以制得第1导体层与第1电绝缘层之间的粘合性高、并且可适应于高频信号的电路基板。

公开(公告)号：CN100524652C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN02803238.1

申请日：2002-07-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

Abstract: 一种基片处理装置，它具有：处理空间，设有用于支承被处理基片的支承台；氢催化部件，与所述被处理基片正对着设置在所述处理空间中，用于将氢分子分解成氢基H*；气体供给口，设置在所述处理空间内、相对于所述氢催化部件与所述被处理基片正对的一侧，用于导入至少含有氢气的处理气体；其中，将所述氢催化部件和所述支承台上的被处理基片之间的间隔，设定在所述氢基H*能够到达的距离以内。

公开(公告)号：CN100487620C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200480029178.3

申请日：2004-09-14

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  宇野富雄 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  中村修 ,  松本笃咨 ,  永濑正明 ,  池田信一

IPC: G05D7/06

CPC classification number: G05D16/208 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/8741 ,  Y10T137/87507

Abstract: 本发明提供一种腔室内压控制装置，通过防止流量的控制精度在小流量范围大幅下降，并在整个流量控制范围可以进行高精度的流量控制，来调节向腔室供给的气体流量并在较大压力范围高精度控制腔室内压。具体来说，向腔室供给气体的装置，由并列状连接的多台压力式流量控制装置，和控制多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，一边控制流量一边向由真空泵排气的腔室供给所希望的气体，其中，把一台压力式流量控制装置作为控制向腔室供给的最大流量的至多10%的气体流量范围的装置，把其余的压力式流量控制装置作为控制其余的气体流量范围的装置，进而在腔室上设置压力检测器并且向控制装置输入该压力检测器的检测值，调节向压力式流量控制装置的控制信号来控制向腔室的气体供给量，由此来控制腔室内压。

公开(公告)号：CN100479108C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200480004782.0

申请日：2004-02-20

Applicant: 夏普株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 山本直子 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 一种等离子加工装置包括：处理室；具有靠谐振形成微波的第1驻波的内部空间(20)的引入波导管(4)；在内部靠谐振形成微波的第2驻波的介质(5p、5q)；以及具有使微波从内部空间(20)通向介质(5p、5q)用的缝隙(6a)的缝隙天线(6)。缝隙(6a)设置成近似位于将形成第1驻波波腹的位置对于缝隙天线(6)垂直地投影的地点和将形成第2驻波波腹的位置对于缝隙天线(6)垂直地投影的地点一致的地点。根据本发明，能提供一种通过提高穿过缝隙天线开口部的微波的传播效率、从而将微波的能量高效地引入处理室的等离子加工装置。

公开(公告)号：CN101285537A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810092800.5

申请日：2005-01-13

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  西村龙太郎

IPC: F16K31/00 ,  F16K31/12 ,  F16K7/00 ,  F16K47/02

CPC classification number: F16K47/02 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/7762 ,  Y10T137/7842 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86397 ,  Y10T137/86461

Abstract: 本发明提供一种流体通路的无水击打开方法以及药液供给方法，无论流体压力的大小如何均能够使上游侧流体通路中不产生水击而迅速且可靠地将流体通路打开。本发明的无水击打开方法利用设置在管路内部压力大致恒定的流体通路中的致动器动作式阀，将流体通路打开，向下游侧流体通路供给流体，首先将提供给所述致动器的驱动用输入增大或减小到规定的设定值而使阀芯向开阀方向移动，将提供给致动器的驱动用输入短时间保持在所述设定值上，之后，进一步增大或减小该驱动用输入而使阀变成全开状态，从而在不产生水击的情况下将流体通路打开。

公开(公告)号：CN101273445A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200580051725.2

申请日：2005-09-28

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  森本明大

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L24/81 ,  B23K20/004 ,  B23K20/02 ,  B23K20/10 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种压接压接部的接合装置，通过使其内部的压接部气氛的水分浓度比装置外部气氛的水分浓度小，从而能够在低温、低压条件下进行压接。此时，形成压接部的接合金属端子及被接合金属端子的各表面的吸附水分量为1×1016分子/cm2以下。

公开(公告)号：CN100387342C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200380100226.9

申请日：2003-10-14

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  森本明弘 ,  北野真史 ,  皆见幸男 ,  川田幸司

IPC: B01J37/02 ,  B01J21/04 ,  B01J23/42 ,  B01J37/10 ,  C01B5/00

CPC classification number: B01J12/007 ,  B01J21/04 ,  B01J23/42 ,  B01J37/0225 ,  B01J37/0226 ,  B01J37/08 ,  C01B5/00

Abstract: 在水分发生用反应炉的反应用空间的内壁面，能够廉价而且简单地形成厚度均匀的对母材附着力强，并且对铂皮膜的保护功能强的隔离皮膜。在不进行高温燃烧而使氢和氧反应产生水分的水分发生用反应炉中，水分发生用反应炉用含铝的合金形成，对该水分发生用反应炉的内壁面，实施铝的选择氧化处理，形成以氧化铝(Al2O3)为主体的隔离皮膜，然后在该隔离皮膜的上面层合附着铂皮膜，形成铂涂层催化层。

公开(公告)号：CN100359641C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN03801601.X

申请日：2003-09-11

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  普雷帝克有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  藤田巧 ,  皆见幸男 ,  池田信一 ,  森本明弘 ,  川田幸司

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种旋转式硅晶片清洗装置，通过使清洗处理后的硅晶片的氢气终端进行得更完全，可使硅晶片的稳定性得到进一步提高。为此，本发明作为一种旋转式硅晶片清洗装置，设置有硅晶片干燥装置，该硅晶片干燥装置包括：附设在箱壳中的供给由含有0.05Vol%以上的氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块、一端连接在上述气体供给板块的气体混合器上的混合气体供给管、对上述混合气体供给管内的混合气体进行加热的混合气体加热装置、在与经混合气体加热装置加热的高温混合气体接触的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置等，通过将含有氢自由基的混合气体喷射到清洗后的硅晶片上，对硅晶片的外表面进行干燥和氢封端处理。