水分发生用反应炉
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1279582C

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200410003341.0

    申请日:2000-07-21

    CPC classification number: B01J3/006 B01J7/00 B01J12/007 C01B5/00

    Abstract: 本发明的目的是提供一种安全的减压型水分发生供给装置,该装置减压供给(例如数托)水分气体,较高地保持水分发生用反应炉的内压,这样,可防止氢的自燃,本发明的另一目的是提供一种水分发生用反应炉,是通过对水分发生用反应炉高效率地进行冷却,便可在不增大反应炉尺寸的情况下使水分发生量大幅度增加的水分发生用反应炉。因此,本发明的减压型水分发生供给装置的特征在于:由水分发生用反应炉和减压机构构成,其中水分发生用反应炉是由氢和氧通过催化剂反应而发生水分气体;减压机构设在该水分发生用反应炉的下流侧,水分气体通过该减压机构减压后供给下流侧,与此同时较高地保持反应炉内的内压。本发明的散热式水分发生用反应炉由将入口侧炉主体部件和出口侧炉主体部件组合起来而形成有内部空间的反应炉主体、和贴紧在上述各炉子主体部件的外壁面上的散热片底板、及立设在该散热片底板上的多个散热用散热片构成,利用上述散热用散热片对发生的热量进行强制性辐射,使反应炉的温度降低。并且,对散热用散热片进行氧化铝膜加工,使热辐射率大幅度提高,而使散热效率进一步提高。

    真空排气系统用的隔膜阀

    公开(公告)号:CN100376829C

    公开(公告)日:2008-03-26

    申请号:CN200480004466.3

    申请日:2004-02-09

    CPC classification number: F16K7/16 F16K51/02

    Abstract: 本发明提供一种适用于半导体制造装置的真空排气系统用的隔膜阀,可以防止由气体的热分解所产生的生成物的堆积附着所带来的部件的腐蚀、或由生成物而带来堵塞或泄漏的发生,进而,可以实现真空排气系统的设备的小型化、随之可降低成本,而且,可以相应地进行用于缩短真空排气时间的真空排气系统的配管的小口径化。具体来说,真空排气系统用的隔膜阀(1)具有阀体(2)、隔膜(3)和驱动机构(4),所述阀体(2)具有流入通路(6)、流出通路(7)和形成于其间的阀座(8),所述隔膜(3)设于阀体(2)上并可接触或离开阀座(8),所述驱动机构(4)设于阀体(2)上并可使隔膜(3)与阀座(8)接触或离开阀座(8),在上述阀体(2)和隔膜(3)的流体接触部分(25)上涂覆规定厚度的合成树脂覆膜(5)。

    真空排气系统用阀
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100357642C

    公开(公告)日:2007-12-26

    申请号:CN200480004084.0

    申请日:2004-02-09

    CPC classification number: F16K7/14 F16K27/003 F16K51/02

    Abstract: 本发明提供一种阀,这种阀能够与旨在实现真空排气系统的设备的小型化并由此降低成本和缩短真空排气时间的真空排气系统配管的小口径化相适应,并能够防止由气体分解产生的离解生成物的堆积所导致的内部的腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。具体地说,将铝钝态用于在真空排气系统中使用的阀等配管零件,来抑制因烘焙时的温度升高而引起的气体分解,从而提供与真空排气系统的小口径化相适应的零件,特别是使得不会因气体分解产生的生成物的堆积而发生腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。

    真空排气系统用阀
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1748102A

    公开(公告)日:2006-03-15

    申请号:CN200480004084.0

    申请日:2004-02-09

    CPC classification number: F16K7/14 F16K27/003 F16K51/02

    Abstract: 本发明提供一种阀,这种阀能够与旨在实现真空排气系统的设备的小型化并由此降低成本和缩短真空排气时间的真空排气系统配管的小口径化相适应,并能够防止由气体分解产生的离解生成物的堆积所导致的内部的腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。具体地说,将铝钝态用于在真空排气系统中使用的阀等配管零件,来抑制因烘焙时的温度升高而引起的气体分解,从而提供与真空排气系统的小口径化相适应的零件,特别是使得不会因气体分解产生的生成物的堆积而发生腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。

    旋转式硅晶片清洗装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100359641C

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN03801601.X

    申请日:2003-09-11

    CPC classification number: H01L21/67034 H01L21/02052

    Abstract: 本发明提供一种旋转式硅晶片清洗装置,通过使清洗处理后的硅晶片的氢气终端进行得更完全,可使硅晶片的稳定性得到进一步提高。为此,本发明作为一种旋转式硅晶片清洗装置,设置有硅晶片干燥装置,该硅晶片干燥装置包括:附设在箱壳中的供给由含有0.05Vol%以上的氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块、一端连接在上述气体供给板块的气体混合器上的混合气体供给管、对上述混合气体供给管内的混合气体进行加热的混合气体加热装置、在与经混合气体加热装置加热的高温混合气体接触的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置等,通过将含有氢自由基的混合气体喷射到清洗后的硅晶片上,对硅晶片的外表面进行干燥和氢封端处理。

    气体检测传感器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1399720A

    公开(公告)日:2003-02-26

    申请号:CN00809901.4

    申请日:2000-06-05

    CPC classification number: G01N25/32 G01N33/0013

    Abstract: 本发明的主要目的是简化气体检测传感器的构造,并且在有H2O和O2存在的条件下,可高精度地检测被检测气体内的可燃性气体的浓度、和含有可燃性气体的被检测气体内的氧气的浓度。为了达到上述目的,本发明的气体检测传感器是通过可燃性气体的接触反应而使传感器发热,通过该发热而发出可燃性气体的检测信号的气体检测传感器,由以下部分构成:膜片,该膜中在被检测气体所接触的接气面上具有白金镀层薄膜;第1检测传感器,该检测传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成,通过可燃性气体的接触反应而被加热;具有与被检测气体相接触的接气面的膜片;对被检测气体的温度进行检测的第2检测传感器,该传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成。

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