晶圆的双面研磨装置、双面研磨方法及该装置的载体

    公开(公告)号:CN101905442A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN201010191064.6

    申请日:2010-06-02

    Inventor: 古川昌德

    CPC classification number: B24B37/28

    Abstract: 本发明涉及晶圆的双面研磨装置、双面研磨方法及该装置的载体。该双面研磨装置能够均一地研磨晶圆并且能够有效地防止晶圆的外缘受损。该双面研磨装置包括:下研磨板和上研磨板,其用于研磨晶圆的两面;载体,其具有主体部,在该主体部中形成有用于保持晶圆的通孔。通孔在载体的上表面和下表面中的边缘被涂覆有涂覆层,该涂覆层由耐磨材料组成,并且具有规定的宽度和规定的厚度。树脂垫圈被设置到所述通孔的内周面,该树脂垫圈具有规定的宽度,并且该树脂垫圈的厚度与所述载体的主体部的厚度相同。所述晶圆被保持在所述树脂垫圈中。

    研磨头、研磨装置以及工件的剥离方法

    公开(公告)号:CN101827684A

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200780101147.8

    申请日:2007-11-21

    CPC classification number: B24B37/30 B24B37/345 Y10T29/49826

    Abstract: 本发明提供一种研磨头(11),具有:圆盘状托架(13),在其周边部形成有环状突出部(13a)与托架闩锁部(13b)圆盘状研磨头本体(12),在其外侧形成有环状研磨头本体闩锁部(12a)隔膜(14),其连接前述研磨头本体及前述托架;及间隔物(15),其是位于前述托架闩锁部及/或研磨头本体闩锁部的一部分,且位于该托架闩锁部与研磨头本体闩锁部之间;使前述研磨头本体上升时,利用前述托架闩锁部及/或研磨头本体闩锁部与前述间隔物抵接,而使前述托架倾斜并举起,来将工件(W)从研磨布剥离。以此,能够提供一种研磨头,不必在研磨布形成沟槽、或使研磨头从转盘突出,亦能够将保持有工件的研磨头上升而容易且安全、确实地将工件从研磨布剥离。

    双面研磨装置
    84.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101264585A

    公开(公告)日:2008-09-17

    申请号:CN200810085814.4

    申请日:2008-03-14

    CPC classification number: B24B37/013 B24B37/08 B24B37/205 B24B49/12

    Abstract: 一研磨晶片两面的双面研磨装置,其不仅能可靠地测量晶片外侧部分的厚度而且能测量其中心部分的厚度。该双面研磨装置包括:一下研磨板;一由框架保持的上研磨板;以及一具有一保持晶片的通孔的载体。供一激光束通过其中的一窗口部分形成在上研磨板的一部分内,由载体保持的晶片通过上研磨板的该部分的下面。一光学厚度测量设备设置在框架的一部分上,当上研磨板转动时,窗口部分在框架的该部分的下面通过。厚度测量设备发射通过窗口部分的激光束,接收从晶片上表面和下表面反射出来的反射光束,并根据反射光束的峰值计算晶片厚度。

    抛光机
    85.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100408270C

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN03157784.9

    申请日:2003-08-29

    CPC classification number: B24B37/08

    Abstract: 本发明抛光机可以均匀地把压力从上抛光片施加到容纳在载体通孔中的工件之上。该抛光机包括:多个围绕上抛光片的重心设置并夹在抛光片之间的载体。不绕自己的轴线回转的载体的圆周运动是分别独立地进行的。诸载体的承载的诸工件的重心同时移近上抛光片的重心也同时从重心处移开,且诸工件重心所移动的距离是相等的。

    抛光设备
    87.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1840290A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200610074767.4

    申请日:2006-04-03

    CPC classification number: H01L21/68728 B24B37/345 H01L21/68735 H01L21/68785

    Abstract: 该抛光设备可将一工件传送给一顶环而不会使该工件从中心位置移开并可精确地抛光该工件。该抛光设备具有用来将工件传送给顶环的一传送单元。该传送单元包括:一引导件,该引导件具有一接收部分,将工件中心定位;一安放台,该安放台相对于引导件垂直移动,且具有一安放部分,该安放部分接纳中心定位的工件;以及一支承机构,该支承机构支承安放台并使安放台可向下移动。该安放台相对移动而靠近顶环并将工件压到顶环的下表面上,从而将工件传送给所述顶环。

    工件研磨装置以及工件研磨方法
    88.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117718874A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311191084.7

    申请日:2023-09-14

    Inventor: 金井洋介

    Abstract: 提供工件研磨装置以及工件研磨方法,能够以所希望的按压力按压工件的每个规定区域,能够简单地变更这些按压力,能够将工件研磨成与目的相应的所希望的厚度形状。在工件研磨装置(10)中,在上部具有固定有能够上下移动且能够旋转的头轴(18)的头基座部(20)并且在下部具有在下表面保持有工件(W)的保持部件(34)的研磨头(12)在保持部件的上表面侧设置有能够上下移动的分隔部(36),在其内周侧设置有第1流体室(50),在外周侧设置有第2流体室(56),第1流体室内和第2流体室内构成为能够分别单独地加压或减压,分隔部构成为能够下降到第1流体室与第2流体室以至少在第1流体室内与第2流体室内之间产生压力差的方式分隔开的位置。

    双面研磨装置
    89.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117300886A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202310755108.0

    申请日:2023-06-25

    Inventor: 丸田将史

    Abstract: 本发明提供双面研磨装置,将测定孔和厚度测定传感器设置于通过工件的中心附近(数据获取范围)的频率高的配设范围。双面研磨装置(10)将上平台(14)或下平台(13)的中心与用户事先设定的任意透孔(22)的中心的距离为最短或最长的透孔的中心位置作为第1基准位置(E),相对于作为透孔的半径的30%以内的规定的长度的第1距离(G),将从第1基准位置向托架的中心的方向分离第1距离的1/2的长度的位置作为第2基准位置(F),厚度测定传感器(34)设置在俯视时以第2基准位置为中心的第1距离的范围内,厚度测定传感器构成为经由配设有厚度测定传感器的一侧的上平台或下平台所设置的测定孔(35)来测定被保持于透孔的状态下的工件的厚度。

    金属氧化物单晶的制造装置和金属氧化物单晶的制造方法

    公开(公告)号:CN116479515A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202211660661.8

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 提供金属氧化物单晶的制造装置和制造方法,在金属氧化物单晶的制造装置、特别是在氧化气氛下制造高熔点的金属氧化物单晶的金属氧化物单晶的制造装置中,在进行加种时,在种晶中可靠地产生结晶培育方向的温度差,可靠地进行加种。本发明的金属氧化物单晶的制造装置(10)具备:用于收纳结晶原料(36)和种晶(34)的坩埚(18),其具有第1端部(18a)和第2端部(18b),在第1端部(18a)侧配置结晶原料(36),在第2端部(18b)侧配置种晶(34);对坩埚(18)进行加热的发热体(30);以及冷却棒(44),其具有第3端部(44a)和第4端部(44b),第3端部(44a)与坩埚(18)的第2端部(18b)抵接或靠近地进行设置,通过夺取第2端部(18b)的热而将第2端部(18b)冷却。

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