氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法

    公开(公告)号:CN107304481B

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN201710256274.0

    申请日:2017-04-19

    Abstract: 本发明的课题在于提供能够实现氧化镓晶体的大型化、高品质化的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)由具备基体(12)、炉主体(14)、盖体(18)、发热体(20)、坩埚支承轴(24)和坩埚(30)的垂直布里奇曼炉构成,本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)的特征在于,坩埚(30)为Pt系合金制的坩埚,炉主体(14)的内壁形成为由两个以上具有所需高度的环状的耐热部件(32b)层叠而成的耐热壁(32),并且,环状的耐热部件(32b)通过将两个以上的分割片(32a)接合而形成为环状。

    氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法

    公开(公告)号:CN114808126A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202111676694.7

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本发明提供一种氧化镓晶体的制造装置以及使用该装置的氧化镓晶体的制造方法,该装置是应用了垂直布里奇曼法的晶体制造装置,其能够将炉内空间维持在特定温度,防止因坩埚的骤冷所致的晶体品质的降低,将氧化镓晶体稳定地取出到装置外。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)具备:由耐热材料(14a)构成的炉主体(14);坩埚支承轴(16),其沿上下方向贯通炉主体(14)的底部而在炉主体(14)内延伸设置,构成为上下移动自如;坩埚(22),其配置在坩埚支承轴(16)上,存储氧化镓晶体的原料;主体加热器(34),其配设在坩埚(22)的周围,对坩埚(22)进行加热;以及缓冷室(36),其与炉主体(14)的炉内空间(15)连通地设置在炉主体(14)的下方,将坩埚(22)缓慢冷却。

    蓝宝石单晶体的制造装置

    公开(公告)号:CN102191535B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201110049244.5

    申请日:2011-03-01

    Abstract: 本发明提供一种能防止产生由晶体取向错位引起的晶体缺陷的蓝宝石单晶体的制造装置。本发明的蓝宝石单晶体的制造装置(1)将晶种和原料收纳在被支承构件(3)支承的坩埚(20)内,将该坩埚(20)配置在生长炉(10)内的筒状加热器(14)内,利用筒状加热器(14)对该坩埚进行加热而使原料和一部分晶种熔化而结晶化,该蓝宝石单晶体的制造装置包括用于以圆环状冷却形成为杯状的上述坩埚(20)的规定的外周位置的冷却部件。

    蓝宝石单晶体的制造装置

    公开(公告)号:CN102191535A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN201110049244.5

    申请日:2011-03-01

    Abstract: 本发明提供一种能防止产生由晶体取向错位引起的晶体缺陷的蓝宝石单晶体的制造装置。本发明的蓝宝石单晶体的制造装置(1)将晶种和原料收纳在被支承构件(3)支承的坩埚(20)内,将该坩埚(20)配置在生长炉(10)内的筒状加热器(14)内,利用筒状加热器(14)对该坩埚进行加热而使原料和一部分晶种熔化而结晶化,该蓝宝石单晶体的制造装置包括用于以圆环状冷却形成为杯状的上述坩埚(20)的规定的外周位置的冷却部件。

    抛光机
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100408270C

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN03157784.9

    申请日:2003-08-29

    CPC classification number: B24B37/08

    Abstract: 本发明抛光机可以均匀地把压力从上抛光片施加到容纳在载体通孔中的工件之上。该抛光机包括:多个围绕上抛光片的重心设置并夹在抛光片之间的载体。不绕自己的轴线回转的载体的圆周运动是分别独立地进行的。诸载体的承载的诸工件的重心同时移近上抛光片的重心也同时从重心处移开,且诸工件重心所移动的距离是相等的。

    金属氧化物单晶制造装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114808105A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210092056.9

    申请日:2022-01-26

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种金属氧化物单晶制造装置,其能够防止在氧化气氛的高温炉内生成的以氮氧化物为例的有害物质向炉周围的扩散。本发明的金属氧化物单晶制造装置(10)是在氧化气氛下以1500℃以上的温度将炉(14)内加热的金属氧化物单晶制造装置(10),其具备:对炉(14)内进行加热的发热体(34);设置在上述炉(14)中的下部侧、将上述炉(14)的内外连通的吸气管(24);设置在上述炉(14)中的上部侧、将上述炉(14)的内外连通的排气管(26);设置在比上述炉(14)靠上方的位置的管道(36);以及设置在上述管道(36)的中途的排气扇(38)和有害物质除去装置(40)。

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