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公开(公告)号：CN102131617B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN200980132819.0
申请日：2009-08-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/30
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本发明是一种研磨头，至少具备：环状刚性环；橡胶膜，其被以均匀的张力粘接在该刚性环；中板，其与刚性环结合，并与橡胶膜和刚性环共同形成空间部；环状模板，其在橡胶膜的底面部的周边部配置成与刚性环同心状；压力调整机构，其使空间部的压力变化；其特征在于：空间部被与刚性环同心的至少1个环状墙隔开，而形成多个密闭空间，且被上述环状墙隔开的多个密闭空间之中的内侧的至少1个密闭空间的外径以成为上述工件的平坦度保证区域的直径以上的方式来形成，而且压力调整机构分别独立地调整多个密闭空间内的压力。
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公开(公告)号：CN102712073B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201180006851.1
申请日：2011-01-20
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/32 , H01L21/02024
Abstract: 本发明是一种研磨头，在研磨头本体的下部，具备橡胶膜和圆环状的导环，该橡胶膜被保持在圆盘状的中板上，而该导环被设置在该橡胶膜的周围，并将工件的背面保持在橡胶膜的底面部，且使工件的表面与已贴附在平台上的研磨布滑动接触来进行研磨，其中，以导环的底面在研磨中不会接触到研磨布的方式来保持导环和中板，且具有底座构件，所述底座构件经由弹性膜而与研磨头本体连结，该底座构件，利用其顶面的一部分与研磨头本体接触，而被限制轴向的位移，且根据弹性膜，在研磨中能在径向进行位移。由此，提供一种研磨头及研磨装置，在粗研磨加工步骤和精研磨加工步骤中都能使用，且在工件的研磨中，能稳定地得到一定的高平坦度、高研磨余量均匀性，且能得到一种45nm以上的微小粒子少的工件。
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公开(公告)号：CN102712073A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180006851.1
申请日：2011-01-20
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B37/11 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/32 , H01L21/02024
Abstract: 本发明是一种研磨头，在研磨头本体的下部，具备橡胶膜和圆环状的导环，该橡胶膜被保持在圆盘状的中板上，而该导环被设置在该橡胶膜的周围，并将工件的背面保持在橡胶膜的底面部，且使工件的表面与已贴附在平台上的研磨布滑动接触来进行研磨，其中，以导环的底面在研磨中不会接触到研磨布的方式来保持导环和中板，且具有底座构件，所述底座构件经由弹性膜而与研磨头本体连结，该底座构件，利用其顶面的一部分与研磨头本体接触，而被限制轴向的位移，且根据弹性膜，在研磨中能在径向进行位移。由此，提供一种研磨头及研磨装置，在粗研磨加工步骤和精研磨加工步骤中都能使用，且在工件的研磨中，能稳定地得到一定的高平坦度、高研磨余量均匀性，且能得到一种45nm以上的微小粒子少的工件。
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公开(公告)号：CN101801605B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880107130.8
申请日：2008-10-20
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/12 , B24B41/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种研磨头，其将橡胶膜做成罩状的构造，使橡胶膜的固定在中板上的位置，成为远离工件保持部侧的位置，罩状橡胶膜的末端部做成O形环状，并使中板与橡胶膜的接触面积减少至极限为止，而支持于中板上的构造。以此，可提供一种研磨头及具备此研磨头的研磨装置，针对橡胶夹头方式的研磨头，可极度地抑制在工件表面上发生伤痕等的表面缺陷，且可安定且均匀地研磨至工件外周为止。
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公开(公告)号：CN102131617A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132819.0
申请日：2009-08-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本发明是一种研磨头，至少具备：环状刚性环；橡胶膜，其被以均匀的张力粘接在该刚性环；中板，其与刚性环结合，并与橡胶膜和刚性环共同形成空间部；环状模板，其在橡胶膜的底面部的周边部配置成与刚性环同心状；压力调整机构，其使空间部的压力变化；其特征在于：空间部被与刚性环同心的至少1个环状墙隔开，而形成多个密闭空间，且被上述环状墙隔开的多个密闭空间之中的内侧的至少1个密闭空间的外径以成为上述工件的平坦度保证区域的直径以上的方式来形成，而且压力调整机构分别独立地调整多个密闭空间内的压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101801605A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107130.8
申请日：2008-10-20
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B41/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种研磨头，其将橡胶膜做成罩状的构造，使橡胶膜的固定在中板上的位置，成为远离工件保持部侧的位置，罩状橡胶膜的末端部做成O形环状，并使中板与橡胶膜的接触面积减少至极限为止，而支持于中板上的构造。以此，可提供一种研磨头及具备此研磨头的研磨装置，针对橡胶夹头方式的研磨头，可极度地抑制在工件表面上发生伤痕等的表面缺陷，且可安定且均匀地研磨至工件外周为止。
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公开(公告)号：CN103415913B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280012012.5
申请日：2012-02-09
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/24
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/24 , H01L21/02024
Abstract: 本发明是一种硅晶片的制造方法，其特征在于，具有对原料硅晶片进行双面研磨的工序，该进行双面研磨的工序是在根据化学气相生长法于原料硅晶片的一个面上生长出氧化膜后，以下述的研磨布进行研磨：对氧化膜表面侧，使用一种涂布胺基甲酸乙酯树脂后经过湿式凝固与发泡而成的仿麂皮系研磨布或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为50°以上且未满90°；而对研磨未生长氧化膜的表面的一侧，使用胺基甲酸乙酯树脂单发泡体研磨布或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为90°以上。由此，本发明提供了一种硅晶片的制造方法，该方法可一边抑制氧化膜的伤痕及研磨量而保持作为该掺杂物挥散防止用保护膜的品质，一边制造具有高平坦度的硅晶片。
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公开(公告)号：CN105358291B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201480031988.6
申请日：2014-05-12
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越工程股份有限公司
IPC: B24B37/30 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种研磨头的制造方法，所述研磨头具备：背部衬垫，其被黏结在刚性体的下部，用以保持工件的背面；及，环状的模板，其在该背部衬垫的底面，用以保持前述工件的边缘部；并且，所述研磨头一边将前述工件的背面保持在前述背部衬垫的底面，一边使前述工件的表面在已贴附于平台上的研磨布上作滑动接触来进行研磨，所述研磨头的制造方法的特征在于，具有：背部衬垫黏结工序，其在不加热下且在减压下利用双面胶带来将前述背部衬垫黏结在前述刚性体的下部；及，模板黏结工序，其在该背部衬垫黏结工序后，在不加热下且在减压下利用双面胶带、或者利用反应固化型的无溶剂的液状或膏状的黏结剂来将前述模板黏结在前述背部衬垫。由此，提供一种研磨头的制造方法，所述研磨头能够研磨出平坦度高的工件。
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公开(公告)号：CN103415913A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012012.5
申请日：2012-02-09
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/24
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/24 , H01L21/02024
Abstract: 本发明是一种硅晶片的制造方法，其特征在于，具有对原料硅晶片进行双面研磨的工序，该进行双面研磨的工序是在根据化学气相生长法于原料硅晶片的一个面上生长出氧化膜后，以下述的研磨布进行研磨：对氧化膜表面侧，使用一种涂布胺基甲酸乙酯树脂后经过湿式凝固与发泡而成的仿麂皮系研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为50°以上且未满90°；而对研磨未生长氧化膜的表面的一侧，使用胺基甲酸乙酯树脂单发泡体研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为90°以上。由此，本发明提供了一种硅晶片的制造方法，该方法可一边抑制氧化膜的伤痕及研磨量而保持作为该掺杂物挥散防止用保护膜的品质，一边制造具有高平坦度的硅晶片。
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公开(公告)号：CN105358291A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480031988.6
申请日：2014-05-12
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越工程股份有限公司
IPC: B24B37/30 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种研磨头的制造方法，所述研磨头具备：背部衬垫，其被黏结在刚性体的下部，用以保持工件的背面；及，环状的模板，其在该背部衬垫的底面，用以保持前述工件的边缘部；并且，所述研磨头一边将前述工件的背面保持在前述背部衬垫的底面，一边使前述工件的表面在已贴附于平台上的研磨布上作滑动接触来进行研磨，所述研磨头的制造方法的特征在于，具有：背部衬垫黏结工序，其在不加热下且在减压下利用双面胶带来将前述背部衬垫黏结在前述刚性体的下部；及，模板黏结工序，其在该背部衬垫黏结工序后，在不加热下且在减压下利用双面胶带、或者利用反应固化型的无溶剂的液状或膏状的黏结剂来将前述模板黏结在前述背部衬垫。由此，提供一种研磨头的制造方法，所述研磨头能够研磨出平坦度高的工件。
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