公开(公告)号：CN107942623A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711163302.0

申请日：2017-11-21

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 宗立超 ,  王星杰

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明公开了一种增强显影后光刻胶粘附性的方法，包含：第一步，涂覆光刻胶；第二步，光刻胶曝光及显影；第三步，光刻胶对准测量；第四步，光刻胶关键尺寸测量；第五步，UVQ；第六步，使用去离子水对硅片进行清洗浸润；第七步，进行高剂量的离子注入；第八步，去除光刻胶；第九步，光刻胶去胶检查。本发明所述的增强显影后光刻胶粘附性的方法，在光刻胶显影完成后，对硅片增加一步去离子水的清洗浸润，保证光刻胶与硅片之间保留良好的粘附性，解决了高剂量注入时光刻胶剥离的问题，提高工艺宽容度。

公开(公告)号：CN104981463B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201480007952.4

申请日：2014-02-04

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 越后雅敏 ,  牧野岛高史 ,  内山直哉

IPC: C07D311/86 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07D311/82 ,  C07D311/86 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明的光刻用下层膜形成材料，其含有下述通式(1)所示的化合物。(式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基可以具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的烯基或羟基，在此，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～4的整数，n是1～4的整数，p是0或1。)

公开(公告)号：CN107533291A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680020125.8

申请日：2016-03-02

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 樋田匠 ,  越后雅敏 ,  佐藤隆 ,  清水洋子

IPC: G03F7/004 ,  C07D311/78 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/039 ,  C07D311/78 ,  G03F7/004 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明的抗蚀剂组合物含有选自特定式子所示的化合物以及将它们作为单体而得到的树脂中的1种以上。

公开(公告)号：CN107484346A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710422592.X

申请日：2017-06-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉本悠 ,  田边浩之 ,  藤村仁人

IPC: H05K3/10 ,  H05K1/02

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F1/38 ,  G03F7/039 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  H05K1/056 ,  H05K3/064 ,  H05K3/108 ,  H05K3/188 ,  H05K3/44 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/09272 ,  H05K2203/0557 ,  H05K1/0278 ,  H05K2201/0191

Abstract: 本发明提供布线电路基板的制造方法，该布线电路基板包括绝缘层和相互隔有间隔且相邻的第1布线及第2布线。包括：工序1，设置具有斜面的绝缘层；工序2，在绝缘层的表面设置金属薄膜；工序3，在金属薄膜的表面设置光致抗蚀剂层；工序4，将光掩模配置为，光致抗蚀剂层中的与第1布线相对应的第1曝光部分和与第2布线相对应的第2曝光部分能够被曝光，隔着光掩模对光致抗蚀剂层进行曝光；工序5，使金属薄膜的与第1曝光部分及第2曝光部分相对应的部分暴露出来；工序6，在金属薄膜的表面设置第1布线及第2布线。斜面具有俯视大致圆弧状。光致抗蚀剂层的第2曝光部分具有与斜面相对的相对部分。以满足条件A～C的方式配置光掩模。

公开(公告)号：CN107430336A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680021542.4

申请日：2016-04-15

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 水口创 ,  河野友孝

IPC: G03F7/004 ,  C08F220/06 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  G06F3/041

CPC classification number: G03F7/0047 ,  C08F220/06 ,  C08F220/12 ,  C08F222/20 ,  C09D133/08 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  C08F2220/1825 ,  C08F2220/1858 ,  C08F220/58 ,  C08F212/08 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/20 ,  C08F2220/1875

Abstract: 提供导电图案形成部件的制造方法，能够抑制未曝光部的溶解除去时残渣的产生，并且形成于基材上的导电图案与感光性树脂层之间的耐离子迁移性优异。导电图案形成部件的制造方法具有如下工序：涂布工序，在形成于基材上的由具有羧基的树脂(a)形成的层A的表面以及透明电极层B的表面涂布组合物C从而得到涂布膜C，所述组合物C含有导电性粒子及具有双键和羧基的树脂(c)；干燥工序，将涂布膜C干燥得到干燥膜C；曝光工序，将干燥膜C曝光得到曝光膜C；显影工序，将曝光膜C显影得到图案C；和，固化工序，将图案C固化得到导电图案C，其中，粒径0.3～2.0μm的粒子在导电性粒子中所占的比例为80％以上。

公开(公告)号：CN107310244A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710478474.0

申请日：2017-06-22

Applicant: 大连保税区金宝至电子有限公司

Inventor： 姜圣毅

IPC: B41C1/14 ,  H01L31/0224 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: B41C1/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L31/022425

Abstract: 本发明公开了太阳能电极印刷网版的蚀刻加工方法，属于化工技术领域。本发明包括材料脱脂过程和材料烘干过程，使用金属精密蚀刻网版印刷太阳能电池电极，有利于提高电极的印刷厚度、宽度一致性、尺寸精度(不存在网布编织节点)，进而对电池的转化率的稳定，提高起到促进作用。电极印刷质量的提高，同时太阳能电池加工的总体良品率也随着提高，良品率提高5～10％。电极印刷质量的提高，可以更加精确地控制印刷厚度向超薄方向发展，有效减低银浆的消耗成本。

公开(公告)号：CN104284888B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201380023834.8

申请日：2013-05-06

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： 西前祐一 ,  仓久敏 ,  国本和彦 ,  山上隆平 ,  田中庆太

IPC: C07D209/88 ,  G03F7/031

CPC classification number: G03F7/027 ,  C07D209/86 ,  C07D209/88 ,  C08F122/20 ,  C09D135/02 ,  G02B5/20 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/031 ,  G03F7/033 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30

Abstract: 式I、II、III、IV或V的肟酯化合物为有效的光敏引发剂，其中Z为例如(式A)；Z1为例如NO2、未经取代或经取代的C7‑C20芳酰基或未经取代或经取代的C4‑C20杂芳酰基；条件为至少一个Z1不同于NO2；Z2为例如未经取代或经取代的C7‑C20芳酰基；R1、R2、R3、R4、R5和R6为例如氢、卤素、或未经取代或经取代的C1‑C20烷基、未经取代或经取代的C6‑C20芳基、或未经取代或经取代的C4‑C20杂芳基；R9、R10、R11、R12和R13为例如氢、卤素、OR16、未经取代或经取代的C1‑C20烷基；条件为R9与R13不为氢或氟；R14为例如未经取代或经取代的C6‑C20芳基或C3‑C20杂芳基；Q为例如C6‑C20亚芳基或C3‑C20亚杂芳基；Q1为‑C1‑C20亚烷基‑CO‑；Q2为亚萘甲酰基；Q3为例如亚苯基；L为例如O‑亚烷基‑O‑；R15为例如氢或C1‑C20烷基；R20为例如氢、或未经取代或经取代的C1‑C20烷基。

公开(公告)号：CN107204281A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710140003.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书豪 ,  陈建志 ,  高国璋 ,  陈政宏 ,  贾丕业 ,  陈启任 ,  林英智

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76892

Abstract: 本发明实施例提供了一种材料组合物和方法，所述方法包括提供衬底并在衬底上形成光刻胶层。在各个实施例中，光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物。举例来说，EUV吸收元件包括第一金属类型，桥接元件包括第二金属类型。在一些实施例中，对光刻胶层执行曝光工艺。在执行曝光工艺之后，对曝光的光刻胶显影以形成图案化的光刻胶层。本发明实施例涉及材料组合物及其方法。

公开(公告)号：CN107203099A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201611222542.9

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘子正 ,  胡毓祥 ,  郭宏瑞

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  G03F7/26 ,  H01L21/31058

Abstract: 制造半导体器件的方法包括在介电层上方设置图案化掩模的步骤。介电层包括低温固化聚酰亚胺。该方法进一步包括通过图案化掩模将介电层的第一表面暴露于I线步进器内的I线波长，以及显影介电层以形成开口的步骤。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN107154344A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201611193075.1

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑雅玲 ,  王筱姗 ,  陈建志 ,  林纬良 ,  陈俊光 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/327 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3086 ,  G03F7/26 ,  H01L21/0272

Abstract: 一种微影方法，包括形成第一层于基板上；形成图案化光致抗蚀剂层于第一层上；施加溶液于图案化光致抗蚀剂层上，以形成顺应层于图案化光致抗蚀剂层上，其中顺应层还包括第一部分于图案化光致抗蚀剂层的上表面上，以及第二部分沿着图案化光致抗蚀剂层的侧壁延伸；选择性移除图案化光致抗蚀剂层的上表面上的顺应层的第一部分；以及选择性移除图案化光致抗蚀剂层，以保留顺应层的第二部分。