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公开(公告)号：CN107827079A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711145570.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的MEMS芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
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公开(公告)号：CN106800272A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710087018.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C99/001 , B81C1/00896 , B81C99/004
Abstract: 本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：晶圆正面涂光刻胶，背面减薄处理；键合，晶圆背面和玻璃底座的正面同UV胶键合；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成；清洗和甩干晶圆；结构释放，将晶圆及玻璃底座整体放入去胶设备中进行结构释放；解键合：使用UV照射机降低晶圆与玻璃底座之间的UV胶的粘性；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；裂片和扩膜；光学检测机封装测试；不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性，实现了晶圆级的结构释放和测试，效率较高。
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公开(公告)号：CN106082106A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610422054.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81C1/00142 , B81C1/00349 , B81C2201/0174 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种宽波段的非制冷红外探测器及其制备方法，包含读出电路的半导体衬底和一具有第一微桥支撑结构的探测器，所述探测器与所述半导体衬底的读出电路形成电连接，所述第一微桥结构上设有第二微桥结构，所述第二微桥结构上设有第三微桥结构；使用该方法，可以拓宽红外探测器的检测波段，从而扩展红外探测器的应用领域。不仅工艺简单，成本低，而且不会增加读出电路的设计难度。
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公开(公告)号：CN114295207B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111641467.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
Abstract: 本申请公开了非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪，包括成像感光芯片，成像感光芯片包括在预设方向上排布的多个线状像元阵列；每个线状像元阵列包括多个相同的光谱像元，不同线状像元阵列中的光谱像元不同，且每个光谱像元包括多个使光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构；成像感光芯片在预设方向上移动时获取待测目标的光谱信息和空间信息，得到待测目标的高光谱图像。特征微结构使高光谱成像芯片的光谱响应为宽带的，提升光通量和信噪比；且由于使用了宽带响应光谱像元，线扫灵活性增加，可以提升高光谱图像的获取速度。
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公开(公告)号：CN110902643B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201911167892.3
申请日：2019-11-25
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。本发明还提供了一种MEMS传感器的制备方法，同样具有上述有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114019592A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111314471.6
申请日：2021-11-08
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G02B1/118
Abstract: 本申请公开了一种减反射结构体，包括：基底；位于所述基底的上表面的微结构阵列，所述微结构阵列包括多个微结构，多个所述微结构呈不规则的矩形排列。本申请中的减反射结构体包括基底和设置在基底上的微结构阵列，由于微结构阵列中多个微结构呈不规则的排列，微结构阵列可以使散射光线在空间中均匀分布，所有角度的反射光强均比较小，从而防止减反射结构体表面产生眩光。此外，本申请还提供一种具有上述优点的减反射结构体制作方法和光学器件。
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公开(公告)号：CN114001832A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111276820.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外偏振探测像元结构，通过将光栅层的通光区域设置成对应偏振方向的正多边形，可以保证该通光区域中对应不同偏振方向的光栅除偏振方向不同之外均具有相同的形貌，从而保证对于多个预设偏振方向的入射光该光栅层均具有相同的透过效率。通过将像元层设置成与透光区域相对应的正多边形，同时在像元层表面设置吸收单元，可以排除像元层中电极造成的偏振选择吸收特性的影响，使得红外探测像元的光吸收偏振不敏感，从而保证像元层对不同偏振方向的光线响应一致，避免响应非均匀性的问题。本发明还提供了一种芯片以及探测器，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN110797315B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911076433.4
申请日：2019-11-06
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了晶圆级封装分割方法，包括获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，器件层晶圆具有多个第二分割凹槽、读出电路和多个微桥结构；研磨窗口层晶圆，直至窗口层晶圆的厚度等于或小于第一分割凹槽的深度；通过读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的第一分割凹槽和第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；研磨填充后预处理晶圆的器件层晶圆，直至器件层晶圆的厚度等于或小于第二分割凹槽的深度，得到待分割晶圆；去除预设填充物，得到单个的晶圆级封装器件，提高晶圆级封装器件的良率和生产效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN111947789A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010801746.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了双色偏振红外探测器及其制作方法，包括多个探测器单元，探测器单元包括四个超像元结构，超像元结构包括四个像素单元；像素单元包括基底层、第一悬空层、第二悬空层，第一悬空层包括支撑结构层和超表面吸收层，超表面吸收层位于支撑结构层的两个支撑与电连接孔之间，且超表面吸收层包括背板层、介质层、金属阵列层，金属阵列层包括多个不同尺寸的金属块，第二悬空层包括第一支撑层和线栅层；同一超像元结构中的四个线栅层具有各不相同的线栅朝向角度，位于同一对角线上的两个超像元结构中的金属阵列层相同，且两条对角线上的金属阵列层中的金属块尺寸不等，以实现对红外波段的双色偏振成像，无需制作高度不同的谐振腔，制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN110160656B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910250576.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间，制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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