公开(公告)号：CN109427654A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711275931.2

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王胜雄 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供了一种用于制造集成电路(IC)的方法。该方法包括接收IC布局，IC布局具有有源区、接合在有源区上的导电接触部件、以及待接合在所述导电接触部件的第一子集上并与导电接触部件的第二子集分隔开的导电通孔部件；评估导电通孔部件至导电接触部件的空间参数；以及根据空间参数修改IC布局，使得导电通孔部件具有S形弯曲形状。本公开还提供了另外的用于制造集成电路(IC)的方法。

公开(公告)号：CN108231687A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710985652.9

申请日：2017-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗吉 ,  谢东衡 ,  杨宝如 ,  范家声

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明的实施例提供了金属栅极结构和相关方法，该方法包括在衬底上形成第一鳍和第二鳍。在各个实施例中，第一鳍具有第一栅极区域并且第二鳍具有第二栅极区域。例如，在第一栅极区域和第二栅极区域上方形成金属栅极线。在一些实施例中，金属栅极线从第一鳍延伸至第二鳍，并且金属栅极线包括牺牲金属部分。在各个实例中，实施线切割工艺以将金属栅极线分隔成第一金属栅极线和第二金属栅极线。在一些实施例中，牺牲金属部分防止线切割工艺期间的介电层的横向蚀刻。

公开(公告)号：CN103367132B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210281316.3

申请日：2012-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟升镇 ,  朱鸣 ,  林俊铭 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 一种半导体器件制造方法包括提供衬底，在该衬底上设置有栅极介电层，诸如高k电介质。在栅极介电层上形成三层元件。三层元件包括第一保护层、第二保护层以及介于第一保护层和第二保护层之间的金属栅极层。利用三层元件形成nFET栅极结构和pFET栅极结构中的一种，例如，第二保护层和金属栅极层可以形成用于nFET器件和pFET器件中的一种的功函数层。第一保护层可以是用于图案化金属栅极层的牺牲层。本发明提供了制造金属栅极半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103178012B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210115586.7

申请日：2012-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟升镇 ,  朱鸣 ,  庄学理 ,  杨宝如 ,  吴伟成 ,  梁家铭 ,  吴欣桦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种方法包括形成PMOS器件。该方法包括：在半导体衬底的上方和PMOS区中形成栅极介电层；在栅极介电层的上方和PMOS区中形成第一含金属层；使用含氧工艺气体对PMOS区的第一含金属层实施处理；并且在第一含金属层的上方和PMOS区中形成第二含金属层。第二含金属层具有低于硅的带隙中心功函数的功函数。第一含金属层和第二含金属层形成PMOS器件的栅极。本发明还提供一种具有金属栅极的CMOS器件。

公开(公告)号：CN103311185B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310005524.5

申请日：2013-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仁安 ,  陈柏年 ,  钟升镇 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

Abstract: 公开了制造具有混合HK/金属栅极堆叠件的半导体器件的方法。该方法包括提供半导体衬底，该半导体衬底具有位于PFET和NFET区域之间的多个隔离部件，和在半导体衬底上形成栅极堆叠件。在PFET区域中，栅极堆叠件形成为HK/金属栅极。在NFET区域中，栅极堆叠件形成为多晶硅栅极。通过利用另一个多晶硅栅极将高电阻器形成在半导体衬底上。

公开(公告)号：CN102437185B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110061221.6

申请日：2011-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周汉源 ,  张立伟 ,  朱鸣 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/66545

Abstract: 本申请披露了一种半导体器件，包括：基板，具有第一有源区、第二有源区、以及插入第一有源区和第二有源区之间具有第一宽度的隔离区；P-金属栅电极，在第一有源区之上并且延伸隔离区的第一宽度的至少2/3；以及N-金属栅电极，在第二有源区之上并且延伸不超过第一宽度的1/3。N-金属栅电极电连接至隔离区之上的P-金属栅电极。

公开(公告)号：CN103367132A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210281316.3

申请日：2012-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟升镇 ,  朱鸣 ,  林俊铭 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 一种半导体器件制造方法包括提供衬底，在该衬底上设置有栅极介电层，诸如高k电介质。在栅极介电层上形成三层元件。三层元件包括第一保护层、第二保护层以及介于第一保护层和第二保护层之间的金属栅极层。利用三层元件形成nFET栅极结构和pFET栅极结构中的一种，例如，第二保护层和金属栅极层可以形成用于nFET器件和pFET器件中的一种的功函数层。第一保护层可以是用于图案化金属栅极层的牺牲层。本发明提供了制造金属栅极半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102347360B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010569674.5

申请日：2010-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊宏 ,  张立伟 ,  朱鸣 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L29/495

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置为一种栅极偏移结构的半导体装置，其包含一基底与形成于上述基底的一隔离构造。一有源区是形成于上述基底并实质上邻接上述隔离构造，一界面层是形成于上述基底上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一多晶硅层是形成于上述界面层上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一沟槽是形成于上述隔离构造上方的上述多晶硅层中，上述沟槽延伸至上述界面层，一填充层是沿着上述沟槽的轮廓形成，而一金属栅极是形成于上述沟槽中。本发明是在未明显增加装置的制造成本的情况下，可抵御高电压，并可提供优于传统装置的性能。

公开(公告)号：CN102315109B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110189228.6

申请日：2011-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  杨宝如 ,  锺昇镇 ,  游凯翔 ,  黄仁安 ,  吴伟成 ,  朱鸣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该方法包括提供一具有第一表面的基板、形成一隔离结构，其部分设置于基板中且具有高于第一表面一阶梯高度的一第二表面、移除隔离结构的一部分以在其中形成一具有一底部表面，且以低于阶梯高度的距离与第一基板间隔开的凹槽、形成一栅极结构及形成一接点，其于该凹槽上方衔接该栅极结构。本发明的另一层面包括一半导体装。置。本发明可在降低尺寸的同时降低装置工艺的困难度。

公开(公告)号：CN103123901A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210109830.9

申请日：2012-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  郭正诚 ,  蔡境哲 ,  朱鸣 ,  杨宝如

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成多个伪栅极。伪栅极沿着第一轴延伸。该方法包括在伪栅极上方形成掩模层。掩模层限定沿着不同于第一轴的第二轴延伸的伸长开口。开口暴露出伪栅极的第一部并保护伪栅极的第二部。开口的尖端部的宽度大于开口的非尖端部的宽度。采用光学邻近校正(OPC)工艺形成掩模层。该方法包括用多个第一金属栅极替换伪栅极的第一部。该方法包括用不同于第一金属栅极的多个第二金属栅极替换伪栅极的第二部。本发明提供了N/P边界效应减小的金属栅极晶体管。