公开(公告)号：CN109427897B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201711284556.8

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范家声 ,  林俊言 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明实施例提供一种用于缓解包括连续有源区的器件中的泄漏电流的方法和结构。在一些实施例中，通过改变光掩模逻辑操作(LOP)以在单元边界处反转阈值电压类型来增加单元边界处的阈值电压。可选地，在一些情况中，通过在单元边界处执行阈值电压注入(例如，离子注入)并且注入设置在单元边界处的伪栅极中来增加单元边界处的阈值电压。此外，在一些实施例中，通过在单元边界处使用硅锗(SiGe)沟道来增加单元边界处的阈值电压。在一些情况中，SiGe可以设置在衬底内的单元边界处和/或SiGe可以是设置在单元边界处的伪栅极的一部分。本发明实施例还提供另外两种用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN108231687B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710985652.9

申请日：2017-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗吉 ,  谢东衡 ,  杨宝如 ,  范家声

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明的实施例提供了金属栅极结构和相关方法，该方法包括在衬底上形成第一鳍和第二鳍。在各个实施例中，第一鳍具有第一栅极区域并且第二鳍具有第二栅极区域。例如，在第一栅极区域和第二栅极区域上方形成金属栅极线。在一些实施例中，金属栅极线从第一鳍延伸至第二鳍，并且金属栅极线包括牺牲金属部分。在各个实例中，实施线切割工艺以将金属栅极线分隔成第一金属栅极线和第二金属栅极线。在一些实施例中，牺牲金属部分防止线切割工艺期间的介电层的横向蚀刻。本发明的实施例还涉及半导体器件以及半导体器件制造的方法。

公开(公告)号：CN109427897A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711284556.8

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范家声 ,  林俊言 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明实施例提供一种用于缓解包括连续有源区的器件中的泄漏电流的方法和结构。在一些实施例中，通过改变光掩模逻辑操作(LOP)以在单元边界处反转阈值电压类型来增加单元边界处的阈值电压。可选地，在一些情况中，通过在单元边界处执行阈值电压注入(例如，离子注入)并且注入设置在单元边界处的伪栅极中来增加单元边界处的阈值电压。此外，在一些实施例中，通过在单元边界处使用硅锗(SiGe)沟道来增加单元边界处的阈值电压。在一些情况中，SiGe可以设置在衬底内的单元边界处和/或SiGe可以是设置在单元边界处的伪栅极的一部分。本发明实施例还提供另外两种用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN108231687A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710985652.9

申请日：2017-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗吉 ,  谢东衡 ,  杨宝如 ,  范家声

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明的实施例提供了金属栅极结构和相关方法，该方法包括在衬底上形成第一鳍和第二鳍。在各个实施例中，第一鳍具有第一栅极区域并且第二鳍具有第二栅极区域。例如，在第一栅极区域和第二栅极区域上方形成金属栅极线。在一些实施例中，金属栅极线从第一鳍延伸至第二鳍，并且金属栅极线包括牺牲金属部分。在各个实例中，实施线切割工艺以将金属栅极线分隔成第一金属栅极线和第二金属栅极线。在一些实施例中，牺牲金属部分防止线切割工艺期间的介电层的横向蚀刻。

公开(公告)号：CN108807181B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201710755358.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范家声 ,  杨宝如 ,  谢东衡

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：形成第一鳍片及第二鳍片于基板上；形成虚设栅极材料于第一鳍片及第二鳍片上方；形成凹口于第一鳍片与第二鳍片之间的虚设栅极材料中；形成牺牲氧化物于凹口中的虚设栅极材料的侧壁上；充填绝缘材料于虚设栅极材料的侧壁上的牺牲氧化物之间的凹口中；移除虚设栅极材料及牺牲氧化物；以及形成第一替换栅极于第一鳍片上方，并形成第二替换栅极于第二鳍片上方。

公开(公告)号：CN108807181A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710755358.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范家声 ,  杨宝如 ,  谢东衡

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：形成第一鳍片及第二鳍片于基板上；形成虚设栅极材料于第一鳍片及第二鳍片上方；形成凹口于第一鳍片与第二鳍片之间的虚设栅极材料中；形成牺牲氧化物于凹口中的虚设栅极材料的侧壁上；充填绝缘材料于虚设栅极材料的侧壁上的牺牲氧化物之间的凹口中；移除虚设栅极材料及牺牲氧化物；以及形成第一替换栅极于第一鳍片上方，并形成第二替换栅极于第二鳍片上方。