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公开(公告)号：CN112086516A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010797041.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/792 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法。一种绝缘体上半导体结构，由下至上包括：半导体衬底，第一绝缘层，电子捕获层，第二绝缘层，所述电子捕获层与所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的材料不同，半导体层，其中，所述半导体层包括源区、漏区，以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；第三绝缘层，栅极。本发明解决了现有的加固方案因工艺复杂、沟道寄生效应、应用不灵活等原因导致的应用局限性与无法灵活地、非易失地解决总剂量辐照效应累积与不可逆问题。
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公开(公告)号：CN112030140A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010506687.1
申请日：2020-06-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种立式化学气相沉积炉及其应用。一种立式化学气相沉积炉，包括：炉管，所述炉管内设有晶舟和喷嘴部件，所述喷嘴部件在所述晶舟的一侧沿所述晶舟的轴向分布；所述炉管内还设有一个内管，所述内管将所述晶舟和所述喷嘴部件嵌套在其内部；所述内管与所述喷嘴部件相对的一侧的侧壁上设有多个通孔或缝隙，并且所述内管上设有所述通孔的侧壁与所述炉管的内壁之间留有侧缝。本发明将气相镀膜原料以层流的方式沉积到晶圆上，解决了现有设备沉积膜厚不均匀、沉积效率低等技术问题。
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公开(公告)号：CN112018231A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010934862.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种振荡器及其制造方法，在重金属层的第一表面上形成有第一磁性层，在重金属层第二表面上依次层叠有隔离层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层的磁化方向均位于面内。这样，第一磁性层在重金属层中的自旋轨道转矩作用下可以发生振荡，第二磁性层与重金属层由隔离层隔开，第二磁性层在第一磁性层产生杂散场，通过该杂散场可以实现振荡频率的调节。
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公开(公告)号：CN111952326A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010678633.3
申请日：2020-07-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及高光谱成像技术领域，具体涉及一种高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备，包括以下步骤：底反射层位于CMOS图像传感器晶圆的感光区域表面上；通过反复采用沉积、光刻以及选择性刻蚀工艺在底反射层上形成透明空腔层，透明空腔层包括2n个台阶结构，其中，n为≥1的正整数，每个台阶结构构成一个光谱带；使得所述顶反射层位于所述透明空腔层上。本申请在刻蚀刻蚀停止层和后面去除刻蚀停止层时都对透明空腔层有超高的选择比，不会改变已做好的透明空腔层和暴露的底反射层，同时通过控制薄膜沉积的工艺条件对沉积的材料层的厚度进行控制，达到了精确控制各台阶高度的目的，减少刻蚀时形成的刻蚀误差。
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公开(公告)号：CN111710717A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010398871.9
申请日：2020-05-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过在堆叠结构与衬底之间形成隔离层，以抑制寄生沟道及源漏漏电，无须使用成本较高的绝缘体上硅衬底，降低了半导体器件的制作成本。所述半导体器件包括：衬底、隔离层、堆叠结构和栅堆叠结构。隔离层形成在衬底上。堆叠结构形成在隔离层上。堆叠结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的至少一层纳米线或片。至少一层纳米线或片分别与源区和漏区接触。隔离层覆盖衬底的面积小于或等于堆叠结构覆盖衬底的面积。栅堆叠结构形成在至少一层纳米线或片的外周。所述半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111710716A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010398868.7
申请日：2020-05-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过选择性氧化处理在源漏区与衬底之间形成隔离层，以抑制源漏区漏电，具有成本低，制作工艺简单的优点。所述鳍状半导体器件包括：衬底以及形成在衬底上的鳍式场效应晶体管；鳍式场效应晶体管包括源漏区以及与源漏区连接的沟道层；鳍式场效应晶体管还包括形成在衬底与源漏区之间的隔离层；其中，隔离层采用选择性氧化处理形成。鳍状半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的鳍状半导体器件。本发明提供的鳍状半导体器件应用于电子设备中。
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公开(公告)号：CN111693589A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010491407.4
申请日：2020-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种生物传感器的制造方法、生物传感器及生物传感器的应用，涉及生物传感器技术领域。通过对高K材料层表面进行羟基化工艺处理，增加高K材料层表面羟基的数量，进而增加固定探针分子的官能团，实现对待测物的高灵敏度、高特异性检测。所述生物传感器的制造方法包括：提供一具有高K材料层的生物敏感器件，利用羟基化工艺在高K材料层表面进行羟基化处理。所述生物传感器的制造方法应用于制造生物传感器，所述生物传感器应用于生物活性物质的检测。
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公开(公告)号：CN111463217A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010272104.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 本发明公开了一种电荷捕获型存储器及其制作方法，该电荷捕获型存储器包括第一衬底，该第一衬底上的源区和漏区以及源区和漏区之间的应变硅沟道，该应变硅沟道具备应力，由于该沟道采用该应变硅材料，因此，在沟道引入了应力，应力的引入可以提高该器件的迁移率，从而提高该沟道开启时载流子的平均能量，获得更高的隧穿概率，从而等效于器件捕获了更多的电荷，进而提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN111446297A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010244614.X
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/161 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备，涉及半导体技术领域，以解决在选用对高锗含量的锗硅进行释放时，如采用纯锗作为晶格匹配层，会存在腐蚀锗晶格匹配层的情况，如不采用纯锗晶格匹配层，直接在Si衬底上制备锗硅沟道，会导致缺陷的产生的技术问题。半导体器件，在衬底和锗硅沟道层之间增加了匹配层，匹配层包括锗晶格匹配层和锗硅晶格匹配层，锗硅沟道层形成在锗硅晶格匹配层上，锗硅晶格匹配层与锗硅沟道层的材质元素相同，晶格匹配度高，容易获得高质量的锗硅沟道；同时，在对锗硅沟道层进行释放时，由于对锗硅晶格匹配层选择比高，不会出现锗硅晶格匹配层、锗晶格匹配层或衬底过度腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN111443577A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010270647.1
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备。所述调整装置用于对工件台上放置的基板进行调整，所述基板表面预先被划分为多个测量区域，其包括：在光路上依次设置的光源、投影光栅、可调节反射镜、探测光栅和探测器模块；光源发出的光束经过投影光栅形成具有预设光斑图案的光束后，到达可调节反射镜；所述可调节反射镜将光束调整后照明所述工件台上放置的基板表面对应的测量区域；从所述基板表面反射的光束经所述探测光栅到达所述探测器模块；所述探测器模块根据探测到的光束信息计算调焦调平参数。该调整装置可以准确地对基板偏离量进行校正，可以减少曝光前的调焦调平时间，使得曝光设备的工作效率得到提升。
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