一种发光二极管芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN109920888A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910179563.4

    申请日:2019-03-11

    Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法,包括:提供一衬底;形成外延结构于所述衬底上,其中,所述外延结构依次包括第二半导体层,发光层,第一半导体层;形成金属层于所述外延结构上;移除部分所述外延结构,形成至少一个凹槽;形成第一金属电极于所述金属层上,以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上;移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构,以形成纳米柱;形成绝缘层于所述纳米柱之间,以及于所述第一金属电极与第二金属电极之间;制备第一金属电极焊盘于所述第一金属电极上以及第二金属电极焊盘于所述第二金属电极上,形成互相连接的纳米柱结构;形成倒装焊接板于所述发光二极管芯片对应的位置上。

    一种宽波段高效紫外光源及其制备方法

    公开(公告)号:CN109787088A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910004608.4

    申请日:2019-01-03

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种宽波段高效紫外光源及其制备方法。本发明通过控制多个顺次排列的多量子阱的厚度或元素组分,精确调控有源区的结构及发光波段,实现宽波段高效紫外光源;激励源采用电子束泵浦激励方式,该结构无需多结欧姆接触层,与传统LED结构相比结构简单,有效提高空穴注入效率;原子层或亚原子层的超薄势阱有效提高辐射复合几率,进而实现在深紫外波段的高光效输出;同时通过调控量子阱的周期数及势阱厚度,优化多量子阱的总厚度,既能保证电子束不会穿透光源的有源区,又能保证有源区的材料质量;采用III-V族或II-VI族半导体材料,实现几乎覆盖UVC、UVB全波段的高效紫外光源。

    一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN108962981A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810768268.8

    申请日:2018-07-13

    CPC classification number: H01L29/1075 H01L29/66462 H01L29/7786

    Abstract: 本发明提供一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法,通过外延方法制备的降低氮化镓基外延层中漏电的结构包括,衬底;成核层,设置于所述衬底的上表面;应力和缺陷控制层,设置于所述成核层的上表面;下缓冲层,设置于所述应力和缺陷控制层的上表面;电子阻挡层,设置于所述下缓冲层的上表面;上缓冲层,设置于所述电子阻挡层的上表面;沟道层,设置于所述上缓冲层的上表面;以及势垒层,设置于所述沟道层的上表面。利用本发明,通过在上缓冲层和下缓冲层中引入电子阻挡层,利用电子阻挡层的势垒阻挡特性,能够有效的阻挡衬底中的电子注入到上缓冲层中,有效减少氮化镓基外延层中的纵向漏电流,提高氮化镓基外延层的可靠性。

    一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法

    公开(公告)号:CN108666359A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201710196720.3

    申请日:2017-03-29

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及其制作方法,所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层插入层、GaN插入层、AlN插入层、AlGaN插入层、掩膜介质层、绝缘栅介质层以及源漏欧姆接触和栅金属。在衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN/AlGaN/GaN异质结材料,并在该结构上形成源极和漏极。本发明在AlGaN势垒层中插入一组AlN/GaN,插入的GaN层作为热氧化、湿法腐蚀的停止层,在栅极下方保留了完整的AlGaN/GaN异质结构,避免了腐蚀和淀积介质层对沟道的损伤,降低了导通电阻,同时可以精确控制栅极下方势垒层的厚度,可以提高工艺的准确性、可控性、一致性,有利于产业化大规模制备。

    一种微米LED芯片内互联的实现方法

    公开(公告)号:CN108615795A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201810257305.9

    申请日:2018-03-27

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法,属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难,进而降低了对封装设备和工艺的要求,可以大幅度提高微米LED的器件性能。本发明既结合了微米LED大注入优良特性,同时又降低了制备难度,对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。

    一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN105304737B

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201510726104.5

    申请日:2015-10-30

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括:衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极;N型纳米线和多量子阱构成核‑壳结构;通过设计图形化衬底的排布和直径,可精确调控阵列纳米线的周期和直径,满足不同太阳能电池的需求;N型纳米线的表面积/体积比较大,有效提高了太阳能电池的吸收面积;阵列纳米线具有光子晶体效应,可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围;N型纳米线的直径小于太阳光波长,具有明显的聚光效应,调节N型纳米线的尺寸,提高太阳能电池的吸收效率;工艺简单,成本低廉,能实现批量生产。

    一种异质外延的氮化物微生物燃料电池阴极及电池和方法

    公开(公告)号:CN106207200A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610694852.4

    申请日:2016-08-19

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种异质外延的氮化物微生物燃料电池阴极及电池和方法。本发明采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底,制备异质外延的氮化物微生物燃料电池阴极,大大减少了的成本;本发明的装置只是将pn异质结构的氮化镓基外延薄膜替换传统的微生物燃料电池的阴极即可;利用了太阳光能和微生物能两种清洁能源:微生物降解污水中的有机物的同时并产生电子或空穴,异质外延的氮化物微生物燃料电池阴极在光照下也产生电子和空穴,二者在电路中是协同的;本发明中氮化物微生物燃料电池阴极的引入改善了微生物燃料电池的接受电子能力,并使得阳极提供电子的能力得到最大限度的发挥,促进了微生物燃料电池体系效率的提高。

    利用太阳能提高效率的微生物燃料电池体系及其构造方法

    公开(公告)号:CN105680080A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610176775.3

    申请日:2016-03-25

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02E60/527 Y02W10/37 H01M8/16 C02F3/34

    Abstract: 本发明公开了一种利用太阳能提高效率的微生物燃料电池体系及其构造方法。本发明在阳极室和阴极室外,串联p-n结半导体太阳能电池,构造一个太阳能电池和微生物燃料电池协同作用的微生物燃料电池体系,二者发生了协同效应,大大增加了微生物燃料电池的产电量;太阳能电池光催化作用的引入改善了“太阳能电池-微生物燃料电池”体系阴极的接受电子能力,并使得阳极提供电子的能力得到最大限度的发挥;太阳能电池促进了新型微生物燃料电池体系效率的提高,实现了与微生物燃料电池的协同作用;本发明结构简单,微生物燃料电池和太阳能电池光催化技术能够实现优势互补,功能相互协调,共同完成污水处理和发电的双重功效。

Patent Agency Ranking