一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法

    公开(公告)号:CN105846310B

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201610246740.2

    申请日:2016-04-20

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法。本发明的外延层的多量子阱作为有源区,势阱采用单原子层或亚原子层的数字合金,可以提高载流子局域化,抑制非辐射复合过程,进而提高内量子效率;利用周期性网格状划痕并蒸镀高反射金属薄膜,形成具有凹面的网格状反射层,可增强紫外光的反射,提高光提取效率;电子束泵浦源采用场发射电子束,场发射电子束的小型化和成本低廉使其易于商业化;同时,电子束泵浦源均配有金属栅极,更易于阴极加速的电流的控制、可有效解决发射电子均匀性。

    一种宽波段高效紫外光源及其制备方法

    公开(公告)号:CN109787088B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN201910004608.4

    申请日:2019-01-03

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种宽波段高效紫外光源及其制备方法。本发明通过控制多个顺次排列的多量子阱的厚度或元素组分,精确调控有源区的结构及发光波段,实现宽波段高效紫外光源;激励源采用电子束泵浦激励方式,该结构无需多结欧姆接触层,与传统LED结构相比结构简单,有效提高空穴注入效率;原子层或亚原子层的超薄势阱有效提高辐射复合几率,进而实现在深紫外波段的高光效输出;同时通过调控量子阱的周期数及势阱厚度,优化多量子阱的总厚度,既能保证电子束不会穿透光源的有源区,又能保证有源区的材料质量;采用III‑V族或II‑VI族半导体材料,实现几乎覆盖UVC、UVB全波段的高效紫外光源。

    一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN107919269B

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201711025682.1

    申请日:2017-10-27

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法。本发明中量子点的纵向尺寸由量子阱的厚度控制,量子点组分由量子阱的组分控制,均匀性高于自组装生长的量子点结构;量子点的横向尺寸,通过选择性热蒸发的方式予以调控,能够突破外延生长极限,其横向尺寸能够远低于自组装生长的量子点;量子点在微结构中的位置通过微纳加工技术控制,能够实现量子点在微结构中的位置高度可控;本发明利用选择性热蒸发处理预后制备量子点,工艺简单,成本低廉,扩展性强,可重复性高,能够实现批量化制备,推动量子点耦合微结构的实用化进程。

    一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN107919269A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201711025682.1

    申请日:2017-10-27

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法。本发明中量子点的纵向尺寸由量子阱的厚度控制,量子点组分由量子阱的组分控制,均匀性高于自组装生长的量子点结构;量子点的横向尺寸,通过选择性热蒸发的方式予以调控,能够突破外延生长极限,其横向尺寸能够远低于自组装生长的量子点;量子点在微结构中的位置通过微纳加工技术控制,能够实现量子点在微结构中的位置高度可控;本发明利用选择性热蒸发处理预后制备量子点,工艺简单,成本低廉,扩展性强,可重复性高,能够实现批量化制备,推动量子点耦合微结构的实用化进程。

    一种宽波段高效紫外光源及其制备方法

    公开(公告)号:CN109787088A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910004608.4

    申请日:2019-01-03

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种宽波段高效紫外光源及其制备方法。本发明通过控制多个顺次排列的多量子阱的厚度或元素组分,精确调控有源区的结构及发光波段,实现宽波段高效紫外光源;激励源采用电子束泵浦激励方式,该结构无需多结欧姆接触层,与传统LED结构相比结构简单,有效提高空穴注入效率;原子层或亚原子层的超薄势阱有效提高辐射复合几率,进而实现在深紫外波段的高光效输出;同时通过调控量子阱的周期数及势阱厚度,优化多量子阱的总厚度,既能保证电子束不会穿透光源的有源区,又能保证有源区的材料质量;采用III-V族或II-VI族半导体材料,实现几乎覆盖UVC、UVB全波段的高效紫外光源。

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