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公开(公告)号：CN108666359A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710196720.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层插入层、GaN插入层、AlN插入层、AlGaN插入层、掩膜介质层、绝缘栅介质层以及源漏欧姆接触和栅金属。在衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN/AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成源极和漏极。本发明在AlGaN势垒层中插入一组AlN/GaN，插入的GaN层作为热氧化、湿法腐蚀的停止层，在栅极下方保留了完整的AlGaN/GaN异质结构，避免了腐蚀和淀积介质层对沟道的损伤，降低了导通电阻，同时可以精确控制栅极下方势垒层的厚度，可以提高工艺的准确性、可控性、一致性，有利于产业化大规模制备。
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公开(公告)号：CN106158960A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510180932.3
申请日：2015-04-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 基于数字化栅刻蚀技术形成GaN增强型MOSFET及制备方法，本发明涉及宽禁带化合物半导体材料的电力电子器件及高效率功率开关领域。本发明白下而上包括衬底、GaN缓冲层、GaN、AlGaN，腐蚀掩膜介质层和绝缘栅介质层，且在晶元表面定义有栅极区域，栅极区域下面的腐蚀掩膜介质层被刻蚀掉以及AlGaN层被湿法腐蚀掉，在AlGaN表面有源极区域和漏极区域，分别形成源极和漏极。本发明的有益效果是，用湿法腐蚀栅槽区域，避免了等离子体损伤，使栅槽底表面形貌较好，提高了最大漏电流密度，并且可以控制栅刻蚀的深度以及阈值电压的一致性。所研制的高性能的基于湿法腐蚀的GaN增强型器件可以应用于高效功率开关以及RF功率器件中。
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公开(公告)号：CN105635751A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510994084.X
申请日：2015-12-25
IPC: H04N21/2343 , H04N21/2662 , H04N21/81 , H04N21/643
CPC classification number: H04N21/2343 , H04N21/2662 , H04N21/643 , H04N21/816
Abstract: 本发明公开了一种视频云平台播放视频的方法及装置，涉及视频播放技术领域，其方法包括以下步骤：客户端连接到视频云平台后，视频云平台根据客户端的渲染请求，向客户端提供多种渲染效果的视频帧，以供客户端进行选择；视频云平台接收客户端的视频帧选择结果，并保存客户端选择的视频帧的渲染参数；在客户端随后向视频云平台发出视频播放请求时，视频云平台利用其保存的渲染参数对客户端请求播放的视频进行渲染后，发送给所述客户端。本发明大幅降低客户端的投资，必要时共享的打包渲染中心还可以动态扩展，提高了设备利用率，保护了投资。
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公开(公告)号：CN111223933A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811422595.4
申请日：2018-11-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN增强型MOSFET阈值电压的新型外延层结构及基于该结构的器件制备方法，涉及电力电子器件及功率开关领域。新型结构自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN层、Mg掺杂P型GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层。在该结构上用凹槽栅工艺形成钝化层、凹槽栅、平面隔离、绝缘栅介质层、欧姆接触以及栅和源漏欧姆金属电极即可制备出高阈值电压增强型GaN MOSFET。本发明在本征GaN层中插入P型GaN层，将其完全刻蚀后，沟道反型区域除了本征GaN层还有P型GaN层，由此可以极大提高器件的阈值电压。有利于解决GaN增强型器件在实际应用中的可靠性问题，扩宽了其在功率开关领域的应用。
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公开(公告)号：CN105635751B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510994084.X
申请日：2015-12-25
IPC: H04N21/2343 , H04N21/2662 , H04N21/81 , H04N21/643
Abstract: 本发明公开了一种视频云平台播放视频的方法及装置，涉及视频播放技术领域，其方法包括以下步骤：客户端连接到视频云平台后，视频云平台根据客户端的渲染请求，向客户端提供多种渲染效果的视频帧，以供客户端进行选择；视频云平台接收客户端的视频帧选择结果，并保存客户端选择的视频帧的渲染参数；在客户端随后向视频云平台发出视频播放请求时，视频云平台利用其保存的渲染参数对客户端请求播放的视频进行渲染后，发送给所述客户端。本发明大幅降低客户端的投资，必要时共享的打包渲染中心还可以动态扩展，提高了设备利用率，保护了投资。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104434008A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410767173.6
申请日：2014-12-12
CPC classification number: A61B1/041 , A61B1/00006 , A61B1/00133 , A61B1/00137 , A61B1/00156 , A61B1/05 , A61B1/0684 , A61B5/073
Abstract: 本发明公开了一种内窥镜机器人，其包括：机身、具有用于拍摄影像的摄像头的摄像系统、无线发射装置、显示器，此外，还包括：与机身连接的驱动系统，具有用于为机身前进或后退提供动力的动力装置；与摄像系统及驱动系统分别连接且用于控制摄像系统及驱动系统执行相应指令的控制系统；设置在机身外部且与控制系统无线连接的无线遥控器，用于向控制系统发送控制指令；其中，驱动系统还具有安置在机身外部的用于推动机身前进或后退并防止机身转动的螺旋推进器。本发明的内窥镜机器人，结构简单，使用方便，可以在肠道环境内自由移动，能够加、减速，具有高效的拍摄记录功能，可以为以后的医疗检测和精确观察构建良好的基础。
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公开(公告)号：CN107154427A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610117877.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构。所述结构包括Si衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、本征AlGaN层、掩膜介质层、绝缘栅介质层、源、漏、栅金属层以及源极下方的Mg注入层。该结构在衬底上外延生长AlGaN/GaN异质结构形成二维电子气导电沟道，通过刻蚀掉栅极区域下方的钝化层和本征AlGaN层来实现增强型GaNMOS。本发明通过注入Mg离子，在源端形成的P型层与GaN缓冲层相连，该P型层可以在短时间内向GaN缓冲层提供大量空穴，缩短器件由关态到开态时GaN缓冲层的恢复时间，由此导通电阻大大减小。本发明有效地减小了GaN缓冲层缺陷所引起的电流坍塌，提高了器件开关速度，显著优化GaN功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN107154426A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610117876.3
申请日：2016-03-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了一种提高硅基GaN HEMT关态击穿电压的器件结构及其制作方法，所述结构包括硅衬底、碳掺杂GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、绝缘栅介质层、栅电极、介质钝化层、源端肖特基‑欧姆混合电极以及漏端欧姆电极。在硅衬底上外延生长AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成绝缘栅介质层、有源区、源漏欧姆接触以及栅金属之后，形成源端肖特基‑欧姆混合电极。肖特基接触结构对高压起到了一定的屏蔽作用，减少了从源端经由器件沟道势垒层或者缓冲层注入到漏端的电流，进而提高了器件的关态击穿电压。本发明实现方法简单，大幅度提高GaN HEMT的击穿电压，拓宽其在功率开关领域中的应用。
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公开(公告)号：CN107154427B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201610117877.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构。所述结构包括Si衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、本征AlGaN层、掩膜介质层、绝缘栅介质层、源、漏、栅金属层以及源极下方的Mg注入层。该结构在衬底上外延生长AlGaN/GaN异质结构形成二维电子气导电沟道，通过刻蚀掉栅极区域下方的钝化层和本征AlGaN层来实现增强型GaNMOS。本发明通过注入Mg离子，在源端形成的P型层与GaN缓冲层相连，该P型层可以在短时间内向GaN缓冲层提供大量空穴，缩短器件由关态到开态时GaN缓冲层的恢复时间，由此导通电阻大大减小。本发明有效地减小了GaN缓冲层缺陷所引起的电流坍塌，提高了器件开关速度，显著优化GaN功率器件的电学性能。
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