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公开(公告)号：CN107887435A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711220165.X
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/66462
Abstract: 一种增强型GaN HEMT的制备方法，包括如下步骤：在衬底上用有机金属化学气相沉积的方法依次外延缓冲层、沟道层、势垒层和p型帽层；在所述p型帽层上制备掩膜层；图形化掩膜层，露出栅区部分的p型帽层，形成样品；在样品露出的p型帽层上外延p型层，形成p型栅，即选区二次外延p型栅；去除掩膜层；在p型帽层的两侧向下刻蚀，刻蚀深度到达沟道层内，在沟道层的两侧构成台面，形成台面隔离；在p型栅的两侧的p型帽层上制备源电极和漏电极，退火；在所述p型栅上制备栅电极，形成器件；在器件上制备钝化层，所述钝化层的厚度高于p型栅，并将源电极、漏电极和栅电极区域的钝化层开口，即暴露出源电极、漏电极和栅电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN107437930A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710530035.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种体声波谐振器底电极的制备方法，包括以下步骤：步骤1、在衬底上依次放置支撑材料和障板；其中，支撑材料和障板的边缘均与衬底的边缘平齐；中心分别具有一支撑材料通孔和障板通孔，且障板通孔的宽度小于支撑材料通孔的宽度；步骤2、在障板表面和障板通孔对应的衬底表面制备金属层；步骤3、移除支撑材料、障板及障板表面的金属层，剩余的金属层为体声波谐振器的底电极。以及一种体声波谐振器的制备方法，还包括：在底电极上生长压电材料；在压电材料上制备顶电极。通过采用障板来制备体声波器件的底电极，无需采用干法刻蚀等方法，因此制备的金属底电极的金属侧壁光滑，完全克服了传统刻蚀工艺引起的金属侧壁粗糙的问题。
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公开(公告)号：CN107256911A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710399111.8
申请日：2017-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/48 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供了一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；在深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，完成封装。本发明将芯片尺寸工艺用在深紫外LED封装上，提高了封装效率，降低了封装成本；共晶封装工艺解决了深紫外LED芯片的散热问题，提高了深紫外LED的寿命。
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公开(公告)号：CN106505130A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611052405.5
申请日：2016-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京半导体照明科技促进中心
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L33/22 , H01L33/0054 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的图形化基板及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。为了有效利用从LED芯片外延层端面出射的光线，本发明提出了一种应用于LED芯片的图形化基板，包括凹槽结构，用于近距离改变LED芯片端面出射的光的传播方向，减少光损失，极大提高了LED芯片的出光效率；同时基板厚度变薄，不仅降低了系统的串联热阻，还可以使得封装模块体积大大缩小，便于集成应用。另外，本发明提出了一种图形化基板的制备方法，通过湿法腐蚀基片得到具有凹槽结构的图形化基板。
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公开(公告)号：CN106341095A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610797852.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波谐振器相比，此种谐振器的压电材料由两部分组成，包括采用低温磁控溅射技术制备的AlN成核层和在AlN成核层上采用MOCVD技术制备的高质量单晶氮化物薄膜。AlN成核层可覆盖底部金属电极，因此可有效改善氮化物薄膜质量，克服制备高质量单晶氮化物薄膜时遇到的问题与挑战，从而有望获得高性能的单晶氮化物体声波谐振器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103268910B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310144380.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米圆环的制备方法，包括：步骤1、在光电器件需要形成金属纳米圆环的薄膜表面依次生长介质层和第一金属层；步骤2、通过退火工艺使所述第一金属薄膜形成金属纳米颗粒；步骤3、以金属纳米颗粒为掩模，刻蚀所述介质层形成介质纳米颗粒；步骤4、去除金属纳米颗粒，并在带有所述介质纳米颗粒的器件表面和所述介质纳米颗粒的顶部与侧壁生长至少一层第二金属薄膜，刻蚀所述至少一层第二金属薄膜，仅保留所述介质纳米颗粒侧壁的第二金属薄膜；步骤5、去除所述介质纳米颗粒，最终形成金属纳米圆环。
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公开(公告)号：CN105047709A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510524897.2
申请日：2015-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/41775 , H01L29/42316 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了栅极与源漏极异面的GaN基HEMT(高电子迁移率晶体管)的结构与制作方法，能够降低栅极表面漏电，降低导通电阻。所述栅极与源漏极异面的GaN基HEMT，包括一个源极，一个漏极与一个栅极，其中栅极处于外延片的一面，而源漏两极处于另一面。由于栅极与源漏两极处于不同的平面，栅极表面漏电将减少，同时源漏距离可以设计的相对较小，从而减少导通电阻。本发明可以减少栅极表面漏电流，并通过缩短源漏电极间距减少正向导通电阻，从而减少GaN基HEMT在使用中的电能损耗。
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公开(公告)号：CN104538304A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410816563.8
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66431
Abstract: 一种倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层，形成外延片；浸泡、清洗；在台面和氮化镓帽层上制作金属层；制作两个窗口，在窗口内制作绝缘的Si3N4钝化膜，之两个窗口之间形成栅极的肖特基接触电极；将蓝宝石衬底减薄；制备源、漏欧姆接触电极相对应的倒装焊金属焊料层及倒装焊金属焊料层；制作源、漏的电极引线和栅极的电极引线；将管芯倒装焊到支撑体上；在管芯的表面蒸镀Si3N4保护层，完成制备。
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公开(公告)号：CN103956414A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410183522.X
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件制备方法中，pn结台面的材料均为AlxGa1-xN材料，其中0≤x≤1，且有源区中Al组分最低，即整个发光二极管pn结台面结构对有源区发出的光是透明的。因此本发明的紫外发光二极管结构解决了p型GaN层吸收紫外光的问题，可以有效提高紫外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN103268910A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310144380.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米圆环的制备方法，包括：步骤1、在光电器件需要形成金属纳米圆环的薄膜表面依次生长介质层和第一金属层；步骤2、通过退火工艺使所述第一金属薄膜形成金属纳米颗粒；步骤3、以金属纳米颗粒为掩模，刻蚀所述介质层形成介质纳米颗粒；步骤4、去除金属纳米颗粒，并在带有所述介质纳米颗粒的器件表面和所述介质纳米颗粒的顶部与侧壁生长至少一层第二金属薄膜，刻蚀所述至少一层第二金属薄膜，仅保留所述介质纳米颗粒侧壁的第二金属薄膜；步骤5、去除所述介质纳米颗粒，最终形成金属纳米圆环。
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