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公开(公告)号：CN101752389A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910197300.2
申请日：2009-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L29/12 , H01L21/84 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种Al2O3/AlN/GaN/AlN MOS-HEMT器件及制作方法，包括：AlN单晶衬底8上依次形成的AlN缓冲层7、GaN沟道层6和AlN势垒层5，AlN势垒层5上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3，以及Al2O3栅介质层4上形成的栅极2，其特征是，AlN单晶衬底替代了传统的蓝宝石衬底，利用AlN材料的高热导率性质降低器件的自加热效应。用高电阻AlN缓冲层取代了传统的半绝缘GaN外延层，只留下一层GaN沟道层，从而极大地减小了GaN外延层的寄生电导和泄漏电流，并且形成的AlN/GaN/AlN量子阱结构将进一步提高二维电子气在沟道内的束缚力，从而降低电流坍塌效应。
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公开(公告)号：CN100580959C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810035501.8
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/052 , H01L31/0376 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种可见—红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上通过磁控溅射方法生成的二个串联的薄膜太阳能子电池。所说的二个串联的薄膜太阳能子电池是由依次排列生成在衬底上的吸收红外波段的非晶碲镉汞薄膜子电池和吸收可见光波段的非晶硅薄膜子电池组成。在非晶硅薄膜子电池的顶层上生成有透明导电的ITO防反射层。本发明的最大优点是：拓宽了太阳光谱从可见—红外波段的吸收；其次，薄膜电池采用非晶材料，制备工艺简单，造价低廉，同时不受衬底生长条件的限制，可以选择价格低廉的衬底，能够降低电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN101614592A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910055335.2
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种检测LED照明灯具中芯片结温的方法。本发明是根据LED材料禁带宽度随温度的变化规律来确定LED灯具中LED芯片结温，包括三个步骤：①通很低占空比的脉冲电压，直接获得LED芯片在此温度下的发光峰位；②正常工作条件下，测量LED灯具发光峰位，对比从中得出发光峰位的漂移量即两者之差，利用波长的漂移量定出两者的温度差异；③由于①是在很低脉冲电压下测量，温度就等于室温，室温加上两者的温度差异判断在此条件下LED灯具中LED芯片的温度。本发明可在±0.6度的误差范围内表征在不同条件下LED照明灯具中LED芯片的实际温度，有利于LED灯具的性能表征和优化研究。
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公开(公告)号：CN120035233A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510201909.1
申请日：2025-02-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明属于红外探测技术领域，具体一种外尔半金属长波红外探测器及其制备方法，外尔半金属长波红外探测器，包括衬底，以及从下至上依次堆叠在所述衬底上的底电极、外尔半金属层、石墨烯透明电极和顶电极，电极间沟道沿堆叠方向，形成垂直沟道；外尔半金属层，用于产生光电流；石墨烯透明电极，能够收集外尔半金属层产生的光电流。本发明解决了常规半导体长波红外探测器难以在室温条件工作的问题，及现有外尔半金属探测器实际光响应区域受限的问题，实现室温零偏压条件下的高性能光电探测，大幅增加了探测器的响应区域。
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公开(公告)号：CN119834737A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411874503.1
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明属于太赫兹光电探测技术领域，提供了一种高频太赫兹外差混频器及其制备方法和应用。本发明的高频太赫兹外差混频器包括基底层、吸收层和介质保护层，基底层和吸收层层叠设置；吸收层包括分散设置的端金属电极层和钽镍碲层。钽镍碲具有非线性霍尔效应，由于非线性霍尔效应可以克服热电压阈值和电子转换时间的限制，并且这种机制理论上不受传统混频器截止频率的影响。本发明利用钽镍碲的表面态对称性破缺产生的非线性霍尔效应，构建了一种宽带频率范围内的太赫兹外差混频器，本发明的外差混频器能够对射频信号和本振信号实现宽带频率范围内的基波混频，并拥有高次谐波混频的能力；同时还可用于低频信号的高阶倍频。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119789555A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411898965.7
申请日：2024-12-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于对数复合天线集成的碲化铌太赫兹光电探测器及制备方法，是利用机械剥离得到的碲化铌材料通过干法转移转移到本征高阻硅衬底上，利用紫外光刻技术制作源、漏电极以及相应的天线结构，并利用电子束蒸发等工艺，制备成对数复合天线碲化铌太赫兹光电探测器。相较于传统的对数天线，该对数复合天线结构对太赫兹波的场强增益更高，使得该对数复合天线碲化铌太赫兹光电探测器对太赫兹波有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119767863A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510272059.4
申请日：2025-03-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明属于薄膜转移技术领域，具体涉及一种从云母基底上转移二维薄膜的方法及前处理方法。本发明先后利用酸性溶液和碱金属氯化盐溶液对云母基底进行处理，能够在不损伤二维薄膜的基础上，减弱云母基底对二维薄膜的结合力，显著提升二维薄膜转移的质量，减少了因转移引入的材料缺陷和晶格畸变，实现了便利、高效地转移高质量二维薄膜的目的。本发明提供的前处理方法适用于不同类型的二维薄膜的转移工艺，且转移成功率高、样品损伤小、成本低、效率快。
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公开(公告)号：CN112129787B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202010966408.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于干法定点转移制备TEM样品的PPC膜及制备方法。利用特制的PPC膜，无损地将目标材料定点转移到铜网上完成TEM样品的制备，避免了湿法转移中存在的目标样品随机分布、材料损伤大、无法转移易水氧样品等问题，实现了高效、可靠地制备高质量的TEM样品。利用PPC的物理特性，在微区转移平台的辅助下，可以定点地对目标样品进行微区精准操作。这种全新的方法无须使用强酸强碱进行腐蚀，转移过程中不会对材料和碳膜造成损伤。该工艺适用于不同类型的材料，包括薄膜材料、二维材料、纳米线等。本发明的优点在于精准定点转移、无水接触、样品损伤小、有机残留少、适用面广、成本低、效率快、成功率高。
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公开(公告)号：CN119317240A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411833223.6
申请日：2024-12-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种可见盲红外探测器及其制备方法。本发明提供的可见盲红外探测器，包括衬底；设置在所述衬底上表面的缓冲层；设置在所述缓冲层上表面的垂直纳米线阵列；设置在所述垂直纳米线阵列的间隙内的填充层，所述填充层的厚度与所述垂直纳米线阵列的高度相同；设置在所述垂直纳米线阵列和所述填充层上表面的透明电极。本发明无需额外的滤光片，利用纳米线阵列共振吸收效应调控垂直纳米线通道中光生非平衡载流子的收集效率，并通过引入纳米线‑衬底界面陷阱态，利用光诱导栅控效应增强近红外波段范围的光响应，从而实现高效的可见盲红外探测，且具有稳定性高和制备工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN119185538A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411311248.X
申请日：2024-09-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及光电材料技术领域，尤其涉及一种范德华碲纳米材料在作为近红外Ⅱa光神经调控材料中的应用。本发明提供了一种范德华碲纳米材料在作为近红外Ⅱa光神经调控材料中的应用，所述范德华碲纳米材料的制备方法，包括以下步骤：以碲化硒为原料，在衬底的表面进行化学气相沉积后，调节所述衬底的温度至200～400℃，得到所述范德华碲纳米材料；所述化学气相沉积在通氮气的条件下进行。所述范德华碲纳米材料的光神经调控具有很宽的谱段(从可见光到近红外光)，波段能达到近红外Ⅱa(1.3～1.4μm)波段，在近红外Ⅱa的1.31μm光照射下，能够成功地诱导小鼠皮层神经细胞产生动作电位。
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