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公开(公告)号:CN119836015A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202510293413.1
申请日:2025-03-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F30/21 , G01J5/20 , G01N21/3504 , H10F77/12 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及非色散红外气体传感器技术领域,尤其涉及一种范德华光电探测器及其制备方法和应用、非色散红外气体传感器。本发明提供了一种范德华光电探测器,包括依次层叠设置的基底层、异质结层和双端金属电极层;所述异质结层为第一范德华材料层部分嵌入第二范德华材料层的底部中形成异质结结构,且所述第一范德华材料层的全部底部与所述基底层的上表面接触,所述第二范德华材料层的部分底部与所述基底层的上表面接触;所述双端金属电极层包括第一金属电极和第二金属电极,所述第一金属电极位于所述第一范德华材料层的表面,所述第二金属电极位于所述第二范德华材料层的表面。所述范德华光电探测器具有极低的界面缺陷,较低的热噪声。
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公开(公告)号:CN119767863A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202510272059.4
申请日:2025-03-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明属于薄膜转移技术领域,具体涉及一种从云母基底上转移二维薄膜的方法及前处理方法。本发明先后利用酸性溶液和碱金属氯化盐溶液对云母基底进行处理,能够在不损伤二维薄膜的基础上,减弱云母基底对二维薄膜的结合力,显著提升二维薄膜转移的质量,减少了因转移引入的材料缺陷和晶格畸变,实现了便利、高效地转移高质量二维薄膜的目的。本发明提供的前处理方法适用于不同类型的二维薄膜的转移工艺,且转移成功率高、样品损伤小、成本低、效率快。
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