公开(公告)号：CN104183676A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410403083.9

申请日：2014-08-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王兴军 ,  李玉涟 ,  张波 ,  邱维阳 ,  何素明 ,  周书同 ,  罗向东 ,  翁钱春 ,  陆卫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明公开了一种γ射线辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法，该方法在标准大气压，普通空气氛围下，采用γ射线对LED芯片进行辐照。选择适当的辐照剂量，使辐照后LED内In组分起伏增强，In团簇对载流子的束缚能力增加，载流子局域能力增强，因此发生去局域时电流密度增大，从而降低LED的效率崩塌效应，增强大电流密度下的发光强度。本发明工艺简单，操作方便，可大面积使用，与LED复杂的外延片生长过程和芯片制作过程无关，因此适于对LED芯片的光学性能进行改进，以促进InGaN基白光LED的应用。

公开(公告)号：CN102226724A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201110071088.2

申请日：2011-03-23

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 ,  阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司

Inventor： 陆卫 ,  傅雷 ,  何素明 ,  张波 ,  罗向东 ,  俞立明 ,  陈效双 ,  王少伟 ,  陈平平 ,  李天信 ,  李志锋

IPC: G01K11/30 ,  G01R31/26 ,  G01R31/44

Abstract: 本发明公开了一种内置电源转换电路的LED照明灯具芯片结温的检测方法，本检测方法根据LED材料禁带宽度随温度的变化规律和在开启灯具电源后封装在灯具内芯片升温规律来确定LED灯具中LED芯片结温。本发明给出了具体的测量过程和测量效果。本发明方法的优点是可以直接对市场上LED产品进行检测，这类产品往往都是有内置电源转换电路的，这类电路使得常规方法需要把脉冲电源加载到灯具上的要求不能被满足。本发明就是解决了其他测量方法中需要使用特定的外部驱动电源从而与灯具内置电源转换电路相互不匹配的困难，实现了可以对市场上LED灯具产品在无需作任何变动条件下直接检测的手段。

公开(公告)号：CN101614592A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910055335.2

申请日：2009-07-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  何素明 ,  张波 ,  郭少令 ,  胡伟达 ,  李天信 ,  李宁 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  陈效双

IPC: G01J5/60 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种检测LED照明灯具中芯片结温的方法。本发明是根据LED材料禁带宽度随温度的变化规律来确定LED灯具中LED芯片结温，包括三个步骤：①通很低占空比的脉冲电压，直接获得LED芯片在此温度下的发光峰位；②正常工作条件下，测量LED灯具发光峰位，对比从中得出发光峰位的漂移量即两者之差，利用波长的漂移量定出两者的温度差异；③由于①是在很低脉冲电压下测量，温度就等于室温，室温加上两者的温度差异判断在此条件下LED灯具中LED芯片的温度。本发明可在±0.6度的误差范围内表征在不同条件下LED照明灯具中LED芯片的实际温度，有利于LED灯具的性能表征和优化研究。

公开(公告)号：CN102226737A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201110071290.5

申请日：2011-03-23

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 ,  阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司

Inventor： 陆卫 ,  程立文 ,  何素明 ,  张波 ,  罗向东 ,  俞立明 ,  陈效双 ,  王少伟 ,  陈平平 ,  李天信 ,  李志锋

IPC: G01M11/00 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种检测半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线，由两段指数拟合该曲线来获得表征该发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的相关系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管一次散热性和二次散热性的好坏，对于寻找最优化的封装材料和封装结构，提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。

公开(公告)号：CN102004028A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010285365.5

申请日：2010-09-17

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 ,  阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 ,  上海宇豪光电技术有限公司 ,  上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 俞立明 ,  程立文 ,  陆卫 ,  张波 ,  罗向东 ,  郭少令 ,  何素明 ,  傅雷 ,  陈效双 ,  杨卫桥 ,  郭延生

IPC: G01M11/00

Abstract: 本发明公开了一种检测半导体发光二极管封装结构有效散热性的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管封装结构有效散热性的好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线，由指数拟合该曲线来获得表征该封装结构有效散热性的等效散热系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管封装结构有效散热性，对于寻找最优化的封装材料和封装结构，提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。