公开(公告)号：CN120035233A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510201909.1

申请日：2025-02-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  褚君浩 ,  卓笑 ,  姚碧霂 ,  王芳 ,  吴彦麟 ,  刘泽西 ,  陆卫

IPC: H10F30/10 ,  H10F77/20 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于红外探测技术领域，具体一种外尔半金属长波红外探测器及其制备方法，外尔半金属长波红外探测器，包括衬底，以及从下至上依次堆叠在所述衬底上的底电极、外尔半金属层、石墨烯透明电极和顶电极，电极间沟道沿堆叠方向，形成垂直沟道；外尔半金属层，用于产生光电流；石墨烯透明电极，能够收集外尔半金属层产生的光电流。本发明解决了常规半导体长波红外探测器难以在室温条件工作的问题，及现有外尔半金属探测器实际光响应区域受限的问题，实现室温零偏压条件下的高性能光电探测，大幅增加了探测器的响应区域。