公开(公告)号：CN117830338A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410030007.1

申请日：2024-01-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 张红升 ,  吴俊男 ,  秦志阳 ,  杨虹 ,  严文生 ,  黄义 ,  陈伟中

IPC: G06T7/136 ,  G06T7/194

Abstract: 本发明涉及一种红外小目标检测算法的FPGA实现方法，属于图像处理技术领域。本发明根据FPGA硬件计算特性，将RDLCM算法部署到FPGA硬件平台上；将RDLCM算法中的图像分块操作转换为FPGA中的移位寄存器进行两级行缓存来实现；将软件上进行的浮点数运算在FPGA中进行定点化；算法中涉及到的排序操作在FPGA使用分块流水化的并行全排序算法来完成，充分利用FPGA的并行处理优势；归一化操作时，使用FPGA片上BRAM对数据进行缓存，充分利用FPGA丰富的片上存储资源。最终得到了实时的红外图像目标检测系统，能够实时的对红外图像中的小目标进行增强，并抑制复杂背景，最终输出显示分割目标与背景的二值图。

公开(公告)号：CN117766573A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202410078823.X

申请日：2024-01-19

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  严仪欣 ,  秦嘉玲 ,  何玉婷

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种具有鳍式Z型栅结构的SOI‑LDMOS器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括衬底、埋氧层、漂移区、P‑well、漏极N+区、源极P+区、源极N+区、沟槽栅极、表面栅氧化层、平面栅极以及在源极、栅极和漏极处形成的金属电极。本发明所述的沟槽栅极和平面栅极组成结构类似“Z”，使得器件在正向导通时，导电沟道反型层不仅在P阱区的顶部形成，而且也沿着Z型栅的侧壁形成，扩大了沟道的宽度，提升了电子注入的能力，降低了比导通电阻。此外，Z型栅还可形成漂移区到底部的均匀电流分布，有助于降低比导通电阻，提高跨导，增强电流控制能力。

公开(公告)号：CN117747649A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311653605.6

申请日：2023-12-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  曾祥伟 ,  吴傲 ,  魏子凯 ,  张红升

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种可独立设计FWD的RC‑LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。该RC‑LIGBT器件包括LIGBT区域和反向续流区域，反向续流区域包括可独立安装于该区域的反向续流部分，所述反向续流部分被配置为pin二极管续流部分、MPS续流部分或MOS Channel Diode续流部分。本发明的LIGBT器件正向导通时由于没有传统RC‑LIGBT的集电区N+部分，从根本上抑制了负阻效应的产生，并且无闩锁效应；并且反向导通时，当VEC>Vth时，可独立设计的续流二极管部分开启，为期间提供反向电流；并且此IGBT反向导通部分可以独立设计来得到不同的反向性能和特征而不影响器件的正向性能。

公开(公告)号：CN117423737A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311391513.5

申请日：2023-10-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 刘挺 ,  沈文良 ,  李程 ,  陈伟中 ,  杨虹

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明涉及一种集成自偏置NMOS快速关断的RC‑LIGBT器件，属于半导体器件领域。该器件主要包括沟槽栅区域、自偏置NMOS区域、P型埋层区域和LIGBT区域。其中沟槽栅区域包括栅极和栅二氧化硅层；P型埋层区域分布在LIGNT区域中；自偏置NMOS区域包括N+发射极、P‑body、N型漂移区和NMOS栅氧化层。本发明通过集成自偏置的NMOS和P型埋层，采用沟槽栅技术以及SiO2隔离层把集电极的P+和N+隔开，增加了两者之间的等效电阻，抑制了RC‑LIGBT的Snapback效应，能够降低器件的反向导通电压、减小关断时间和关断损耗并增强器件的耐压能力。

公开(公告)号：CN117038718A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310690008.4

申请日：2023-06-12

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李程 ,  沈文良

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有三栅结构的复合型RC‑LIGBT器件，属于半导体功率器件领域。该器件包括LDMOS区以及位于其两侧的LIGBT区，两者通过SiO2隔离。该器件在正向导通时，利用LIGBT的体内槽栅对LDMOS进行侧壁感应形成侧壁沟道导电，同时体内槽栅形成槽栅沟道导电，此时LIGBT与LDMOS同时正向导电；在正向导通时三种模式的转换过程中器件处于平稳过度状态，无电流突变情况；在反向导通时，该器件LDMOS区寄生PIN二极管实现反向导通能力，且平面沟道栅注入电子优化漂移区中载流子分布。本发明完全消除了snapback现象，具有反向导通能力，改善了器件的关断损耗与导通电压之间的折中关系。

公开(公告)号：CN116775558A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310963503.8

申请日：2023-08-02

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 张红升 ,  黄奎 ,  刘挺 ,  印鑫 ,  张宇轩 ,  杨虹 ,  陈伟中

IPC: G06F15/78 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明涉及一种可重构DW卷积和普通卷积的FPGA实现方法及其加速器，属于计算机领域。该方法包括以下步骤：对FPGA部署卷积神经网络模型时，进行输入特征图的数据重排和权重数据重排；采用数据切片重排，一次将一个切片中的数据存储到FPGA的片上存储中。本发明的方法旨在通过ARM上权重排序程序的简单修改即可完成DW卷积和普通卷积在FPGA上的融合，且不需要再对FPGA上部署的加速器做更多的修改。即在不额外增加任何FPGA硬件资源的情况下，将DW卷积融合到针对普通卷积设计的加速器中。

公开(公告)号：CN113611738B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202110914932.7

申请日：2021-08-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  王礼祥 ,  秦海峰 ,  许峰 ,  陈伟中 ,  王琦 ,  张红升

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上，采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比，同时，还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的AlxGa1‑xN渐变层，以减少器件导通压降，提高器件输出电流。

公开(公告)号：CN111681713B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202010525378.9

申请日：2020-06-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 贺利军 ,  张金沙 ,  何承运 ,  赵勃阳 ,  陈伟中

IPC: G16C10/00 ,  G16C20/30 ,  G16B5/00 ,  G01N27/26

Abstract: 本发明涉及一种包含退相干作用的聚合物分子电学性质的模型构建方法及其应用，属于电化学检测领域。本发明构建的模型是首先获取待测分子的分子结构，接着对能量最小化的核酸结构进行DFT计算，以获得电子哈密顿量；然后再基于Landauer‑Büttiker框架开发的双螺旋的退相干输运模型，量子输运计算使用Landauer‑Büttiker框架进行。与现有技术中的模型相比较，本发明使用格林函数公式和Büttiker探针来实现将两电级及外界环境的耦合作用加以考虑，用该模型来解释实验结果。本发明构建的模型适用于对核酸分子、生物大分子、天然高分子、合成高分子等聚合物的电导率、有效电荷传输率等电学性质的检测分析。

公开(公告)号：CN113540224B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202110812047.8

申请日：2021-07-19

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  王礼祥 ,  秦海峰 ,  许峰 ,  陈伟中 ,  王琦 ,  张红升

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ和发射极金属接触区Ⅱ。本发明基于N+型GaN衬底材料上，从上至下采用P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，综合提升导通电阻、关断时间等器件电学特性。

公开(公告)号：CN110610986B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201910954779.3

申请日：2019-10-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄垚 ,  李顺 ,  黄元熙 ,  黄义 ,  贺利军 ,  张红升 ,  周通

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种利用结终端集成横向续流二极管的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、N型集电极接触区4、P型集电极接触区4’、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16。本发明在保证较低关断损耗、反向导通性能及较高的阻断电压的前提下，能够消除在传统器件导通时存在的负阻效应，提高器件的工作稳定性和电流导通能力，同时还能降低制造成本。