公开(公告)号：CN118538729A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410670568.8

申请日：2024-05-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李程 ,  吴傲 ,  曾祥伟

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种集成自偏置pMOS和nMOS的RC‑LIGBT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括集电极区域自偏置pMOS与自偏置nMOS。该器件在正向导通时，利用自偏置pMOS增强空穴注入效率，利用延伸FP作为nMOS衬底并抑制电子注入，从而消除snapback效应并降低正向导通电压。FP区域的存在会极大影响器件的耐压特性，通过在集电极区域增加NC区优化器件的体内电场分布，有效提升器件的耐压特性。该器件在反向导通时利用自偏置nMOS进行反向导通。本发明完全消除了snapback现象，具有反向导通能力，优化了器件的正向导通特性，改善了器件的关断损耗与导通电压之间的折中关系。

公开(公告)号：CN119451182A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411607957.2

申请日：2024-11-12

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  肖宇凡 ,  周扬淇 ,  吴傲 ,  曾祥伟

IPC: H10D30/66

Abstract: 本发明涉及一种具有低电阻与密勒电容的新型非对称沟槽SiC MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括：衬底；形成于衬底一表面的漂移区；形成于漂移区表面的N‑CSL；形成于N‑CSL表面一侧的低势垒二极管；形成于N‑CSL表面另一侧的第二P‑well；形成于低势垒二极管表面且位于低势垒二极管两侧的沟槽栅和辅助沟槽栅；形成于N‑CSL表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的P‑base；形成于P‑base表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的源极N+区；形成于器件顶部的源极电极；形成于衬底另一表面的漏极电极。本发明可降低器件的比导通电阻，降低器件的密勒电容和栅极电荷，提高器件开关速度。

公开(公告)号：CN118763111A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410827457.3

申请日：2024-06-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  严仪欣 ,  秦嘉玲 ,  曾祥伟 ,  吴傲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种具有S型折叠沟道的Triple RESURF LDMOS器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括衬底、漂移区、P‑well、折叠P‑well、P埋层、折叠漂移区、折叠1沟道、折叠2沟道、折叠3沟道、折叠4沟道、折叠5沟道、漏极N+区、源极P+区、折叠源极N+区、平面栅极、表面栅氧化层以及在源极、栅极和漏极处形成的金属电极。本发明所述的S型折叠沟道使得器件在正向导通时，导电沟道反型层呈现S型折叠状，扩大了沟道的宽度，提升了电子注入的能力，同时，Triple RESURF技术中的P埋层能够优化移区电场分布，提高漂移区掺杂浓度，进一步降低了该器件的比导通电阻。

公开(公告)号：CN118748205A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410827463.9

申请日：2024-06-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  吴傲 ,  曾祥伟 ,  李程 ,  严仪欣

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明涉及一种集成Fin‑NMOS和反向导通晶闸管的低损耗RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域，所述器件分为LIGBT区域、Fin‑NMOS区域和反向导通晶闸管区域；所述反向导通晶闸管区域用于实现晶闸管的反向导通；所述Fin‑NMOS区域用于实现器件的低关断损耗。本发明的反向导通压降相比DED‑RC‑LIGBT器件降低了12％，且反向恢复电荷相比DED‑RC‑LIGBT器件降低了25％，在相同关断损耗下本发明的正向导通压降相比DED‑RC‑LIGBT降低了7％，在相同导通压降下本发明的关断损耗相比DED‑RC‑LIGBT器件降低了23.8％。

公开(公告)号：CN118748204A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410827455.4

申请日：2024-06-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李程 ,  曾祥伟 ,  吴傲

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明涉及一种集成双多功能槽栅的超结RC‑LIGBT器件，属于半导体功率器件领域，包括LIGBT栅极与集电极区域自适应槽栅以及P型漂移区。该器件在正向导通时，集电极区域自适应槽栅开启，集电极nMOS向漂移区内注入电子，通过控制电子注入效率抑制snapback效应。该器件在反向导通时LIGBT栅极与集电极区域自适应槽栅同时作用，降低P型漂移区中势垒形成电子通路进行反向导通。在器件关断时，发射极区域pMOS开启抽取空穴，集电极区域nMOS开启抽取电子，实现器件的快速关断。本发明优化了器件的正向导通特性并且抑制了snapback现象，具有反向导通能力，优化了器件的关断损耗与导通电压之间的折中关系。

公开(公告)号：CN118748203A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410827454.X

申请日：2024-06-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  曾祥伟 ,  吴傲 ,  严仪欣

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明涉及一种阳极集成NMOS和浮空电极控制PMOS的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域，包括普通MOS区、阳极区PNP三极管、阳极浮空电极控制的PMOS和阳极自偏置NMOS；所述阳极区PNP三极管用于在正向导通时提供空穴；所述阳极浮空电极控制的PMOS的栅极信号由浮空电极提供，当漂移区耗尽到浮空电极处，电势下降到阈值电压，PMOS开启。本发明在防止器件产生负阻效应的前提下，通过抽取漂移区内的过剩的载流子让该器件的关断性能得到改善并且降低了该器件的饱和电流，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN118676195A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410827460.5

申请日：2024-06-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李程 ,  曾祥伟 ,  吴傲 ,  严仪欣

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种无负阻效应的介质超结RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域，包括LIGBT部分和反向续流二极管区；所述LIGBT部分由普通MOS区、阳极区PNP三极管构成；所述反向续流二极管部分与LIGBT部分并联，并由二氧化硅隔离区隔开；反向续流二极管部分独立于LIGBT存在，并通过设计反向续流部分漂移区部分形成介质超结。本发明不仅消除了传统RC‑LIGBT拥有的电压折回现象，并且提高了器件的耐压性能提高了可靠性，加强了器件的反向性能。

公开(公告)号：CN118315418A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202311653611.1

申请日：2023-12-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  吴傲 ,  曾祥伟 ,  魏子凯 ,  张红升

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种集成双自偏置MOS的低功耗SJ‑LIGBT器件，属于半导体领域。该器件集成的自偏置PMOS由P‑body区、N‑drift区、P‑pillar区以及PMOS栅氧化层组成，其中P‑pillar区作为源极，P‑body区作为漏极，N‑drift区作为衬底。该器件集成的自偏置NMOS由N+区、P‑body区、N‑drift区以及NMOS栅氧化层组成，其中N+区作为源极，N‑drift区作为漏极，P‑body区作为衬底。本发明的导通压降相比传统SJ‑LIGBT器件降低了32％，在相同导通压降下本发明的关断损耗相比传统SJ‑LIGBT器件降低了74％。

公开(公告)号：CN117747649A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311653605.6

申请日：2023-12-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  曾祥伟 ,  吴傲 ,  魏子凯 ,  张红升

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种可独立设计FWD的RC‑LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。该RC‑LIGBT器件包括LIGBT区域和反向续流区域，反向续流区域包括可独立安装于该区域的反向续流部分，所述反向续流部分被配置为pin二极管续流部分、MPS续流部分或MOS Channel Diode续流部分。本发明的LIGBT器件正向导通时由于没有传统RC‑LIGBT的集电区N+部分，从根本上抑制了负阻效应的产生，并且无闩锁效应；并且反向导通时，当VEC>Vth时，可独立设计的续流二极管部分开启，为期间提供反向电流；并且此IGBT反向导通部分可以独立设计来得到不同的反向性能和特征而不影响器件的正向性能。

公开(公告)号：CN119486257A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411653441.1

申请日：2024-11-19

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  曾祥伟 ,  吴傲

IPC: H10D86/00 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D62/10 ,  H10D12/00

Abstract: 本发明涉及一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI‑LIGBT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极P‑well区、阴极N+区、漂移区、P‑buried区、阳极N‑buffer区、阳极P+区、主栅氧化层、多晶硅主栅、深沟槽氧化层、深沟槽氧化层、多晶硅辅助栅、二氧化硅埋氧层、衬底。该器件在阴极集成自偏置PMOS，在关断中提供过剩载流子的抽取通道提高该类器件在运用过程中的工作频率，并且在器件正向导通的时候降低饱和电流，增大器件的短路安全工作时间，提高了器件的可靠性和安全性；并且阴极集成的PMOS不需要额外的电路来控制，增加了该器件在实际运用过程中的可行性，降低了驱动电路的设计难度。