公开(公告)号：CN110610986B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201910954779.3

申请日：2019-10-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄垚 ,  李顺 ,  黄元熙 ,  黄义 ,  贺利军 ,  张红升 ,  周通

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种利用结终端集成横向续流二极管的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、N型集电极接触区4、P型集电极接触区4’、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16。本发明在保证较低关断损耗、反向导通性能及较高的阻断电压的前提下，能够消除在传统器件导通时存在的负阻效应，提高器件的工作稳定性和电流导通能力，同时还能降低制造成本。

公开(公告)号：CN110610986A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910954779.3

申请日：2019-10-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄垚 ,  李顺 ,  黄元熙 ,  黄义 ,  贺利军 ,  张红升 ,  周通

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种利用结终端集成横向续流二极管的RC-IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、N型集电极接触区4、P型集电极接触区4’、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16。本发明在保证较低关断损耗、反向导通性能及较高的阻断电压的前提下，能够消除在传统器件导通时存在的负阻效应，提高器件的工作稳定性和电流导通能力，同时还能降低制造成本。

公开(公告)号：CN110504307A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910803499.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄垚 ,  黄义 ,  张宏升 ,  贺利军 ,  周通 ,  高广 ,  李心纪

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件，属于电子器件领域。该器件从左至右包括设置的发射极、栅极、N型漂移区、栅控集电极区域。栅控集电极区域从左至右包括N-buffer Ⅰ缓冲层、P-collector、N-buffer Ⅱ缓冲层、P型电子阻挡层P-base和N-collector。P型电子阻挡层P-base和N-collector下方为横向的槽型栅。正向导通时，P型电子阻挡层P-base可以阻挡电子流向N-collector，增加集电极短路电阻。通过调节P型电子阻挡层P-base的长度和浓度，可以调节集电极短路电阻，消除snapback效应。关断时，P型电子阻挡层会在栅控电压下反型成N型，形成电子通道，提高载流子抽取效率从而有效减少器件的关断时间。

公开(公告)号：CN110504307B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201910803499.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄垚 ,  黄义 ,  张宏升 ,  贺利军 ,  周通 ,  高广 ,  李心纪

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有栅控集电极的SA‑LIGBT器件，属于电子器件领域。该器件从左至右包括设置的发射极、栅极、N型漂移区、栅控集电极区域。栅控集电极区域从左至右包括N‑buffer Ⅰ缓冲层、P‑collector、N‑buffer Ⅱ缓冲层、P型电子阻挡层P‑base和N‑collector。P型电子阻挡层P‑base和N‑collector下方为横向的槽型栅。正向导通时，P型电子阻挡层P‑base可以阻挡电子流向N‑collector，增加集电极短路电阻。通过调节P型电子阻挡层P‑base的长度和浓度，可以调节集电极短路电阻，消除snapback效应。关断时，P型电子阻挡层会在栅控电压下反型成N型，形成电子通道，提高载流子抽取效率从而有效减少器件的关断时间。