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公开(公告)号：CN111681713A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010525378.9
申请日：2020-06-10
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种包含退相干作用的聚合物分子电学性质的模型构建方法及其应用，属于电化学检测领域。本发明构建的模型是首先获取待测分子的分子结构，接着对能量最小化的核酸结构进行DFT计算，以获得电子哈密顿量；然后再基于Landauer-Büttiker框架开发的双螺旋的退相干输运模型，量子输运计算使用Landauer-Büttiker框架进行。与现有技术中的模型相比较，本发明使用格林函数公式和Büttiker探针来实现将两电级及外界环境的耦合作用加以考虑，用该模型来解释实验结果。本发明构建的模型适用于对核酸分子、生物大分子、天然高分子、合成高分子等聚合物的电导率、有效电荷传输率等电学性质的检测分析。
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公开(公告)号：CN111681713B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010525378.9
申请日：2020-06-10
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种包含退相干作用的聚合物分子电学性质的模型构建方法及其应用，属于电化学检测领域。本发明构建的模型是首先获取待测分子的分子结构，接着对能量最小化的核酸结构进行DFT计算，以获得电子哈密顿量；然后再基于Landauer‑Büttiker框架开发的双螺旋的退相干输运模型，量子输运计算使用Landauer‑Büttiker框架进行。与现有技术中的模型相比较，本发明使用格林函数公式和Büttiker探针来实现将两电级及外界环境的耦合作用加以考虑，用该模型来解释实验结果。本发明构建的模型适用于对核酸分子、生物大分子、天然高分子、合成高分子等聚合物的电导率、有效电荷传输率等电学性质的检测分析。
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公开(公告)号：CN112420830A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011409291.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、In0.53Ga0.47As盖帽层、In0.52Al0.48As肖特基势垒层、In0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层、In0.52Al0.48As缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在In0.52Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。
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公开(公告)号：CN112420830B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011409291.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、In0.53Ga0.47As盖帽层、In0.52Al0.48As肖特基势垒层、In0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层、In0.52Al0.48As缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在In0.52Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。
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