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公开(公告)号：CN107275478A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710457170.6
申请日：2017-06-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种自偏置磁振子波导中自旋波的调制方法，用于对所述波导中自旋波的传播行为进行调制，所述传播行为包括自旋波的最大传播频率、截止频率和传播轨迹，所述方法包括：调节自旋波能够束缚在所述波导中间沟道中的最大传播频率；调节所述波导两侧沟道中自旋波的截止频率；调节所述自旋波的传播轨迹。本发明能够在一种基于交换弹性磁结构的磁振子波导上对自旋波的传播行为进行调制。
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公开(公告)号：CN106711254A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611216995.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 一种直径可调铋纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。所述直径可调的铋纳米线阵列，自下而上依次为半导体基片、铋纳米线阵列、锡纳米液滴，所述锡纳米液滴位于铋纳米线顶端；所述铋纳米线阵列的直径通过锡纳米液滴的大小进行调节，长度通过生长时间调节。本发明方法可实现在半导体衬底上制备大面积的直径在20～300nm范围可调的铋纳米线阵列，且得到的铋纳米线阵列在250～800nm光波长范围的吸收率大于80％，在高效光电转换器件和光电探测器领域具有重要的应用价值；并且本发明提供的直径可调铋纳米线阵列的制备方法简单易行，能够与半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN105866715A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610170027.4
申请日：2016-03-23
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G01R33/096 , C23C14/14 , C23C14/35 , G01R33/0052 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括以下步骤：a)在基片上制备绝缘层，然后采用光刻工艺曝光出线性各向异性磁阻传感器的单元图形；b)采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积铁磁层、反铁磁层，铁磁层和反铁磁层的沉积气压为0.004Pa～0.08Pa，沉积功率为30W～50W，铁磁层的厚度为30～50nm，反铁磁层的厚度为10～15nm；c)制备各向异性磁阻传感器单元电极，得到所述线性各向异性磁阻传感器。本发明采用铁磁/反铁磁双层薄膜作为磁阻薄膜、并在超低气压氛围下溅射磁阻薄膜，可实现扩大线性各向异性磁阻传感器测量范围的目的。
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公开(公告)号：CN105742006A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610242945.3
申请日：2016-04-19
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01F17/0006 , H01F41/18 , H01F2017/0066
Abstract: 一种适用于片上螺线管电感的闭合磁路磁芯膜，包括两个各向同性矩形磁芯膜和两个各向异性矩形磁芯膜，所述各向同性矩形磁芯膜的长与闭合磁路磁芯膜短边的宽度相等，所述各向同性矩形磁芯膜的宽度b为70～420μm。本发明闭合磁路磁芯膜中位于长边的两个单轴各向异性磁芯膜，使得两侧电感处于难轴激发，具有高的饱和电流特性，位于短边的两个各向同性磁芯膜，使磁力线弯曲形成闭合回路，提高了耦合因子；闭合的磁路结构及较高的耦合因子，使得基于本发明磁芯膜的电感的感值有显著地提高，实现了矩形螺线管耦合电感中超过100nH/mm2的电感面密度。
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公开(公告)号：CN105506554A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201511005884.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/24 , H01L31/0216
CPC classification number: C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/35 , H01L31/0216 , H01L31/02168
Abstract: 一种可见光/红外波段纳米光学吸收涂层及其制备方法，属于材料技术领域。包括金属基板及生长于金属基板上的具有光电响应特性的半导体光学涂层薄膜，所述金属基板为可见光/红外高反射率金属基板，所述半导体光学涂层薄膜的厚度为10nm～180nm，采用磁控溅射法、热蒸发法或分子束外延法等真空物理气相沉积方式生长。本发明得到的半导体光学涂层薄膜厚度为10～180nm时截止波长即可覆盖400nm～1800nm的范围，其厚度远小于光学吸收波长的1/4；且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点，在光学镜片涂层、超薄光电探测器以及太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105112982A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510446009.X
申请日：2015-07-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用于制备片状电磁噪声抑制材料的磁性孔洞基片及其制备方法，所述磁性孔洞基片包括铁基底和铁基底上的多孔层，多孔层为具有纳米级孔洞的碳包覆四氧化三铁，孔径为50～150nm，可通过电镀工艺在所述孔洞中沉积铁磁纳米线作为片状电磁噪声抑制材料。制备方法为：首先将干净的铁片进行阳极氧化处理，然后在葡萄糖的乙醇溶液中浸泡8～12h，烘干，最后在氩气气氛中400～600℃退火2～4h。本发明采用磁性材料作为孔洞基片材料，增强了沉积在孔洞中的磁性纳米线之间的铁磁耦合作用，具有良好的噪声吸收性能，吸收频率可达到10GHz以上；且易实现微型化、集成化，可满足高频、宽频带范围内对电磁噪声抑制的需求。
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公开(公告)号：CN104851550A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510275744.9
申请日：2015-05-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种大面积均匀各向异性磁芯膜及其制备方法，涉及高频电磁器件、磁传感器件中磁性薄膜的制备领域。所述磁芯膜包括交替溅射的多层薄膜，每一层薄膜为楔形结构，相邻两层薄膜形成的薄膜结构其厚度是均匀的。主要采用倾斜基片以及交替180度旋转基片架的方式实现磁芯膜的制备。本发明将基片倾斜，使得基片与靶材呈一定角度进行溅射，形成了倾斜的柱状结构，引入了具有较好温度稳定性的单轴各向异性；溅射时间t后，将基片架旋转180度，保证各向异性场的方向在同一方向而不会随着旋转的改变而改变；采用溅射相同时间t后将基片架旋转180度的方式，使得制备的磁芯膜的平均厚度相差不大，得到的薄膜厚度均匀。
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公开(公告)号：CN104805417A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510192313.6
申请日：2015-04-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C16/513
Abstract: 一种PECVD薄膜沉积的反应腔，属于镀膜技术领域。包括设有温度输出端与射频输入端的反应腔本体，其内设有气体反应室及基板，基板固定于气体反应室上方，气体反应室中设有孔板扩散板，包括孔板电极，孔板电极通过陶瓷棒设置于孔板扩散板上方，气体反应室的下方及基板上方分别固定设置有加热板及加热板，基板上和气体反应室内部的底部分别设有与温度输出端相连的热电偶，反应腔本体底部设有进气管，还包括分别与射频输入端及孔板电极相连的射频线。采用双层扩散结构的进气结构，使反应气体均匀到达基片，并增加两个加热板，提高反应气体到达放电电极间的能量，得到在放电区域充分电离且均匀分布的等离子体，提高光学薄膜的均匀性；适用于沉积光学薄膜。
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公开(公告)号：CN103436942B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310336622.7
申请日：2013-08-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法，属于材料技术领域。采用一维TiO2纳米管阵列作为n型半导体电子传输层，CuInSe2纳米晶作为p型材料，复合形成CuInSe2/TiO2异质结薄膜结构。首先，利用溶剂热法制备出分散良好、粒度均匀的CuInSe2纳米晶颗粒，其次采用电化学方法在金属钛片上自组织生长高度取向的TiO2纳米管阵列，最后采用电泳法将所制备的CuInSe2纳米晶颗粒负载到TiO2纳米管阵列之上，即可得到具有可见光响应、成本低廉、重复性好、且可大规模制造的复合异质结薄膜。
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公开(公告)号：CN104749115A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510184777.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种测量薄膜材料热光系数的装置及方法，属于测试技术领域，以便提供一种能够直接快速测量热光系数的装置和方法。包括工作台、光源、Y型光纤、反射频谱仪及计算机，Y型光纤的两个光纤臂分别与光源及反射频谱仪相连，反射频谱仪与计算机相连，还包括支撑架及加热单元，加热单元通过支撑架架设在工作台上，加热单元包括箱体，箱体中设有测试腔体，箱体上设有进气口和通光口，测试腔体中放置有加热板，Y型光纤的共同端位于通光口上方，通光口与加热板的位置相对应，还包括与测试腔体相接的温度控制器。通过非接触式测量能够在不破坏薄膜表面的情况下获得不同温度下薄膜的光学常数和透射率的连续谱线，测量精度高，适用于测量薄膜材料的热光系数。
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