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公开(公告)号：CN111200062B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201911388134.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 电子科技大学 , 厦门云天半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法和电感，包括：精密磁芯的制作工艺；三维互联通道刻蚀及填充；双面互联结构的制作工艺等。本发明采用微电子的工艺实现了带磁芯的三维电感器件，实现小型化电感器件的同时，保留了较高的电感量，解决了小型化电感感值无法做大的矛盾；同时还提出了一种新的工艺解决方法，解决了高深宽比微槽、微孔结构的金属填充难题。
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公开(公告)号：CN114335328B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111432783.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种金属‑钛氧化物复合颗粒膜巨自旋霍尔角材料，属于自旋电子新材料技术领域。所述巨自旋霍尔角材料为生长于基片之上的金属‑钛氧化物复合薄膜；所述金属‑钛氧化物复合薄膜中，钛氧化物的摩尔百分比为1mol％～20mol％，金属的摩尔百分比为80mol％～99mol％。本发明提供的金属‑钛氧化物复合颗粒膜巨自旋霍尔角材料及制备方法和应用，方法简单易行，制备得到的金属‑钛氧化物复合薄膜相对于纯的金属薄膜，其室温下的自旋霍尔角度显著增加(铂‑氧化钛薄膜的室温自旋霍尔角度可达1.6，比纯铂的自旋霍尔角0.15提高了一个数量级)，室温自旋扩散长度减小。
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公开(公告)号：CN113345957B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110557067.5
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种基于载流子调控的自旋波场效应晶体管，属于量子自旋波器件领域。所述自旋波场效应晶体管包括基片，形成于基片上的底电极层和自旋波场效应结构，以及形成于自旋波场效应结构上的顶电极层和微波天线。该器件通过上下电极在垂直方向施加电压，使得半导体薄膜表面出现反型层，该反型层与磁性薄膜中自旋波传播平面密切接触，利用局部电压调整反型层中载流子浓度并对自旋波产生影响，实现对自旋波传输特性的电场调控。本发明中的自旋波器件功耗低、结构简单，与现有技术相比具有稳定可靠的随电场响应优势，半导体薄膜反型层厚度和载流子浓度随电场响应技术十分成熟，实现与现代半导体工艺技术相互兼容。
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公开(公告)号：CN112086282B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010731103.0
申请日：2020-07-27
Applicant: 电子科技大学 , 厦门云天半导体科技有限公司
Abstract: 一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法和结构，包括如下步骤：1)在磁性衬底上制作至少一微槽结构；2)在隐性框架衬底上制作若干通孔，并往通孔内填充金属材料；3)对隐性框架衬底进行切割构成若干具有的金属材料的隐性框架，将隐性框架嵌入微槽结构内并固定；4)在磁性衬底的正面和背面分别制作第一平面互联结构和第二平面互联结构，该第一平面互联结构和第二平面互联结构分别与隐性框架的金属材料电性连接构成至少一电感绕组。本发明实现了高容量的小型化电感器件。
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公开(公告)号：CN112216507B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011060968.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种无支撑铁氧体磁性薄膜的制备方法及其应用，属于新材料技术领域。采用铜箔或镍箔作为牺牲层，通过生长致密耐高温氧化保护层，防止铁氧体薄膜生长过程中的铜箔或镍箔的高温氧化，在防氧化晶体择优取向的铜箔或镍箔上生长铁氧体磁性薄膜，最后通过化学法将铜箔或镍箔牺牲层去掉，获得了无支撑铁氧体磁性薄膜。本发明方法可以生长超大面积的高品质铁氧体薄膜，薄膜厚度可以实现纳米级到微米级变化，并且无需昂贵的提拉法生长单晶衬底，具有较高的经济效能；制得的无支撑铁氧体磁性薄膜可以转移至任意柔性衬底或半导体衬底上，得到铁氧体微波器件、磁光器件和自旋波器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111293392B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010105836.3
申请日：2020-02-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P3/02
Abstract: 一种基于磁偶极作用的高波速自旋波波导，属于磁振子器件技术领域。所述自旋波波导包括亚铁磁矩形条带和位于亚铁磁矩形条带一侧的铁磁矩形条带，所述亚铁磁矩形条带的长度与宽度的比值大于25，厚度为10～50nm，所述铁磁矩形条带的宽度为亚铁磁矩形条带的宽度的1/4～1/2，厚度与亚铁磁矩形条带的厚度相同，所述亚铁磁矩形条带的长度与铁磁矩形条带的长度之差为100nm以上。本发明高波速自旋波波导，其自旋波的相速度相较于现有的一般亚铁磁波导更高，且自旋波传播时的损耗与现有的一般亚铁磁波导一致，不会产生额外的损耗，同时具有低损耗和高相速度的特点。
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公开(公告)号：CN112462536B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110072344.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 一种基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法，属于太赫兹波相位调控领域。包括：1）将有机溶剂注入比色皿中；2）将装有有机溶剂的比色皿放入太赫兹波的光路上；3）在20~70℃的温度范围内调节有机溶剂的温度，即可实现太赫兹波的相位调控。本发明基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法，采用苯、甲苯等有机溶剂，价格低廉，容易获得；方法简单，易于操作，重复性好，使用范围广，通过温度或光即可实现太赫兹波的相位调控。
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公开(公告)号：CN113380945A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110558170.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于电场调控的磁性异质结构及其制备方法，属于磁电耦合材料及器件制备领域。所述磁性异质结构包括基片，形成于基片之上的底电极层，形成于底电极层之上的异质结，以及形成于异质结之上的顶电极层；所述异质结为磁性薄膜/MXene异质结，所述磁性薄膜与MXene薄膜上下层叠设置。本发明异质结构通过底电极层和顶电极层在垂直方向上施加电压，实现氢离子在磁性薄膜/MXene异质结中的定向移动，并转换成氢原子存储在MXene薄膜中。由于磁性薄膜的磁各向异性对表面吸附氢原子浓度非常敏感，因此可以受到外加电压的调控，而当撤去偏压后氢原子将迅速扩散至大气中，薄膜磁性恢复至原有状态。
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公开(公告)号：CN112987344A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110320046.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于类原子空位缺陷的太赫兹波调制器，属于太赫兹波调制器技术领域。包括衬底，以及形成于衬底之上的超材料结构层；所述超材料结构层包括多个阵列排列的超材料单元，所述超材料单元由4个2×2排列的C型谐振环组成，其中，任意一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料。本发明单元结构中的一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料，其中，半导体材料或二氧化钒的引入将作为结构单元中的“空位缺陷”，可呈现出双谐振的效果；同时进一步，通过加热或者光泵浦的外部激励方式，即可实现对太赫兹波的主动调控，结构简单，稳定性好。
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公开(公告)号：CN112968058A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110155537.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种离子调控型自旋波晶体管及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。所述离子调控型自旋波晶体管包括衬底基片，形成于衬底基片之上的底电极层，形成于底电极层之上的磁性薄膜，形成于磁性薄膜之上的离子层‑顶电极层异质结，以及位于离子层‑顶电极层异质结两侧的微波天线。本发明离子调控型自旋波晶体管，磁性薄膜中的磁性原子与离子层中储存的离子，在电场的作用下发生氧化还原反应，使磁性薄膜的磁性能发生改变，进而实现自旋波传输幅度和相位的电场调控具有低功耗和长距离传输等技术优势。
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