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公开(公告)号：CN116354713B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310359667.X
申请日：2023-04-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种高熵NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法，该材料包含：主料、离子取代剂和助烧剂；所述主料、所述离子取代剂和所述助烧剂的质量比为(98.25～99.0)∶(0.25～0.75)∶1.0；所述助烧剂为Bi2O3，离子取代剂为Nb2O5；本发明解决了现有技术高熵铁氧体材料使用高温烧结，无法与银电极实现共烧的技术问题。本发明中Nb2O5离子取代剂在预烧前就和主料进行了混合球磨可以更好的进行取代，CuO和Co2O3产生了协同效应，实现了烧结温度在960℃以下能够制得高熵NiCuZn软磁材料。
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公开(公告)号：CN117486596A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311450393.1
申请日：2023-11-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/30 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 对于LTCC变压器来说，它的转换效率是一个至关重要的指标，为了降低整体损耗，就必须选择低功率损耗的材料来制作基板。本发明提供一种高频LTCC变压器用低损耗基板材料及其制备方法。本发明通过加入Bi2O3在920℃实现铁氧体的低温烧结，并通过二次球磨时加入YIG旋磁铁氧体粉末，提高整体电阻率并形成磁性晶界，最终制备出初始磁导率为204，饱和磁感应强度为408mT，功率损耗为53kW/m3的高磁导率低功率损耗的铁氧体材料。本发明使功率铁氧体材料高磁导率和低功率损耗的兼具成为可能，为高频LTCC变压器及高频DC/DC开关等铁氧体器件的进一步小型化提供了基础。
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公开(公告)号：CN114985013B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210685283.2
申请日：2022-06-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种应变调制的铋基金属有机骨架/溴氧化铋复合功能材料，本发明属于纳米功能材料领域。所述复合功能材料为锚定在溴氧化铋表面的具有压缩应变的铋基金属有机骨架:其中，溴氧化铋为二维结构，所锚定的铋基金属有机骨架为薄层结构，且具有较高的压缩应变，应变程度高达7.85％。所述的复合材料实现了功能的级联且应变的引入改善了材料对二氧化碳分子的吸附和活化过程。溴氧化铋和铋基金属有机骨架的理论质量比为(2.0～4.9):1。本发明的复合功能材料在光催化CO2还原中，在可见光的照射下，其CO生成速率高达21.96μmol g‑1h‑1并且具有96.4％的CO选择性。
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公开(公告)号：CN111085231B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201911265072.8
申请日：2019-12-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种纳米片组装的分级多孔花状氮化碳及其制备方法和应用，属于半导体光催化材料技术领域。所述氮化碳为分级多孔的花状结构，由多孔纳米片分层、有序组装得到，其中，所述花状氮化碳的花体大小为4～10μm，纳米片的厚度为20～60nm，比表面积为90～140m2g‑1，孔体积为0.4～1m3g‑1，孔径为1～6nm。本发明分级多孔花状氮化碳从三个方面增强光催化活性：首先分级多孔结构增强了光收集效率，并且解决了纳米片的堆积问题；其次，分级多孔结构增大了材料的比表面积，为表面的氧化还原反应提供更多的活性位点；最后，由于独特分级结构配合多孔网络形成了独特的传输通道，促进了反应物分子和载流子的扩散。
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公开(公告)号：CN114824813A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210456980.0
申请日：2022-04-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明属于太赫兹成像元件设计领域，具体是一种可用于太赫兹近场成像的双频巨手性全硅结构。本发明采用琼斯矩阵法和各向异性结构组合的方式，通过破坏整体结构的镜像对称性和n级旋转对称性(n>2)，在两个不同的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，在太赫兹和手性超表面的研究基础上将二者结合，设计了一对双频巨手性结构。在1.09THz和1.65THz的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，并且两个频率下的最大圆二色性均高达0.34，其覆盖带宽分别为85.5GHz和41.4GHz。本发明有效解决了现有手性介质超表面多频段工作由于多个结构间存在寄生效应和耦合效应的问题，提供了一种新的设计思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114583425A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210279197.1
申请日：2022-03-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 一种基于周期波纹衬底上磁性薄膜的可调宽频段带阻滤波器，属于微波磁性器件技术领域。所述带阻滤波器包括周期性波纹衬底、磁性薄膜层、导电金属层、微带线和接地板；其中，所述磁性薄膜层是通过薄膜沉积工艺形成于周期性波纹衬底之上。本发明提供的一种基于周期波纹衬底上磁性薄膜的可调宽频段带阻滤波器，采用周期波纹薄膜作为磁性薄膜层，相较于单一共振的带阻滤波器，具有更大的带宽，从而可实现宽频段带阻滤波。
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公开(公告)号：CN113813970A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111176776.5
申请日：2021-10-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01J27/135 , B01J23/22 , C01B32/40
Abstract: 一种2D/2D结构的钒酸铋/溴铅铯光催化材料，属于纳米复合材料领域。所述光催化材料为二维钒酸铋纳米片和二维溴铅铯纳米片形成的异质结构；其中，所述二维钒酸铋纳米片为四角带锯齿状结构的正方形，边长为600～1000nm，厚度为50～60nm；所述二维溴铅铯纳米片为矩形，长为200～1300nm，宽为180～1200nm，厚度为35～45nm；所述溴铅铯和钒酸铋的质量比为(3.2～9.5)：1。本发明钒酸铋/溴铅铯光催化材料应用于光催化二氧化碳还原中时，在可见光的照射下，其CO生成速率高达16.9μmol g‑1h‑1，对CO还原产物的选择性超过94％，在光催化二氧化碳还原领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113769761A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111106043.4
申请日：2021-09-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种硫化镉表面锚定铜原子簇的制备方法，属于半导体光催化材料制备技术领域。首先通过水热合成法制备硫化镉纳米棒，然后对硫化镉纳米棒进行质子化处理以降低镉‑硫成键稳定性，最后采用一步煅烧法在硫化镉表面形成缺陷并在缺陷中锚定固态前驱体铜盐，最终形成无配体包裹的硫化镉‑铜原子簇催化剂。本发明通过在硫化镉纳米棒表面构建镉缺陷作为捕获位点的方法，直接将铜原子簇锚定在载体硫化镉表面，锚定于硫化镉上的铜原子簇表面无需任何配体包裹；通过构建硫化镉与铜原子簇界面的原子直接接触，促进体系的载流子传输，降低了铜原子簇的高表面自由能，实现了硫化镉‑铜原子簇的高活性和高稳定性。
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公开(公告)号：CN113680361A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110907190.5
申请日：2021-08-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种钴钌双金属单原子光催化剂及其制备方法，属于半导体光催化材料制备技术领域。所述光催化剂为二维多孔网状结构，孔径为2～10nm；由碳氮聚合物载体和锚定于碳氮聚合物载体上的钴钌双金属单原子组成，碳氮聚合物的化学式为g‑C4N3，碳氮聚合物、钴和钌的质量比为(100～150)：(2～3)：1。本发明钴钌双金属单原子光催化剂的制备方法，通过溶剂热法将固态前驱体钴盐和钌盐在甲酰胺脱水缩合形成g‑C4N3的过程中原位自生长形成金属单原子，制备过程中无需加入任何其他有机或无机试剂，无需高温高压环境，制备条件温和，操作简便，适合大规模工业化生产，且得到的双金属钴钌单原子的光催化还原CO2活性有显著提高。
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公开(公告)号：CN112397855B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011200847.6
申请日：2020-11-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构，属于自旋波逻辑器件技术领域。具体包括Y字形自旋波波导，连接Y字形自旋波波导两个分叉端的相移自旋波波导，和位于相移自旋波波导的侧面的铁磁层；相移自旋波波导独立传播两个自旋波，铁磁层的长宽比为(1～5)：1，铁磁层的长度小于相移自旋波波导的长度，铁磁层与相移自旋波波导的间距为100～200nm，使得相移自旋波波导靠近铁磁层侧的自旋波与远离铁磁侧的自旋波产生大小为π的相位差，进而实现自旋波的异或逻辑门功能，无需电流、电压等外部手段调控。优选地相移自旋波波导包括自旋波以边缘模式传播的第一自旋波波导，可简化器件结构，利于器件的小型化。
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