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公开(公告)号：CN104009128A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410259079.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/02363 , H01L31/202
Abstract: 本发明公开了一种能够降低薄膜反射率的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法。该制备方法包括以下步骤：A、对衬底进行清洁处理；B、在衬底表面沉积非晶硅薄膜；C、对沉积在衬底表面的非晶硅薄膜进行纳秒激光扫描，从而在非晶硅表面形成陷光结构。通过用纳秒激光扫描非晶硅薄膜，在非晶硅薄膜表面可以形成明显的尖峰结构，可以大大降低非晶硅薄膜的反射率，在波长300-1100nm下的反射率最低可以达到0.8％，减反效果明显，基本实现了在整个太阳光辐射光谱范围内的宽光谱减反，而且，采用此种方法制备绒面陷光结构，具有易于大面积制备、生产工艺成熟、成本低廉的优点。适合在半导体制造技术领域推广应用。
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公开(公告)号：CN103647207B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310676044.1
申请日：2013-12-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种反射率较高的用于激光器谐振腔腔镜的反射膜及其制备方法。该用于激光器谐振腔腔镜的反射膜，包括内部真空的盒体，所述盒体的顶部采用透光材料制成，所述盒体内设置有基底以及多层高折射率膜层，所述多层高折射率膜层依次层叠的设置在基底的上表面，所述相邻的两层高折射率膜层之间设置有支撑柱，所述支撑柱使相邻的两层高折射率膜层之间存在间隙形成真空层。本发明所述的反射膜采用折射率更低的真空层替代传统的反射膜中的低折射率膜层，在不改变薄膜层数的前提下能大幅度提高反射膜的反射率，而且光波在真空层传播时没有能量损耗，能够在一定程度的提高输出光强，改善激光光束质量。适合在光器件领域推广应用。
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公开(公告)号：CN104749115A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510184777.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种测量薄膜材料热光系数的装置及方法，属于测试技术领域，以便提供一种能够直接快速测量热光系数的装置和方法。包括工作台、光源、Y型光纤、反射频谱仪及计算机，Y型光纤的两个光纤臂分别与光源及反射频谱仪相连，反射频谱仪与计算机相连，还包括支撑架及加热单元，加热单元通过支撑架架设在工作台上，加热单元包括箱体，箱体中设有测试腔体，箱体上设有进气口和通光口，测试腔体中放置有加热板，Y型光纤的共同端位于通光口上方，通光口与加热板的位置相对应，还包括与测试腔体相接的温度控制器。通过非接触式测量能够在不破坏薄膜表面的情况下获得不同温度下薄膜的光学常数和透射率的连续谱线，测量精度高，适用于测量薄膜材料的热光系数。
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公开(公告)号：CN104237985A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410480020.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制作工艺连续、制作成本较低且便于制作的全介质反射膜及其制备方法。本发明所述的全介质反射膜采用密度为2.15-2.32g/cm3的非晶硅薄膜制作成高折射率膜层，采用密度为1.90-2.10g/cm3的非晶硅薄膜制作成低折射率膜层，高折射率膜层和低折射率膜层都是采用非晶硅薄膜，非晶硅薄膜只需通过交替改变PECVD沉积过程中的反应条件，即可得到密度不同的非晶硅薄膜，该反射膜在结构上只采用了非晶硅作为膜层材料，具有工艺连续、一次成膜的优点，同时，当前成熟的非晶硅薄膜生产工艺使得该种反射膜得以低成本、大面积制备，具有很强的实用意义。适合在光器件领域推广应用。
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公开(公告)号：CN103647207A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310676044.1
申请日：2013-12-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种反射率较高的用于激光器谐振腔腔镜的反射膜及其制备方法。该用于激光器谐振腔腔镜的反射膜，包括内部真空的盒体，所述盒体的顶部采用透光材料制成，所述盒体内设置有基底以及多层高折射率膜层，所述多层高折射率膜层依次层叠的设置在基底的上表面，所述相邻的两层高折射率膜层之间设置有支撑柱，所述支撑柱使相邻的两层高折射率膜层之间存在间隙形成真空层。本发明所述的反射膜采用折射率更低的真空层替代传统的反射膜中的低折射率膜层，在不改变薄膜层数的前提下能大幅度提高反射膜的反射率，而且光波在真空层传播时没有能量损耗，能够在一定程度的提高输出光强，改善激光光束质量。适合在光器件领域推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102856399A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210351626.8
申请日：2012-09-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/078
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种多吸收层纵向分布的非晶硅太阳能电池，属于太阳能利用技术领域，涉及非晶硅太阳能电池结构。本发明提供的吸收层纵向分布的非晶硅太阳能电池与现有的单结非晶硅太阳能电池相比具有相似的结构，但本发明中非晶硅光吸收层为复合多层结构、由多个光学带隙宽度依次减小的非晶硅光吸收子层沿纵向从上往下依次层叠而成。本发明能够进一步提高非晶硅太阳能电池的太阳能光谱利用率，提高太阳能转换效率，同时降低光至衰退效应，消除N-P反向结的影响。
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公开(公告)号：CN104237985B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410480020.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制作工艺连续、制作成本较低且便于制作的全介质反射膜及其制备方法。本发明所述的全介质反射膜采用密度为2.15-2.32g/cm3的非晶硅薄膜制作成高折射率膜层，采用密度为1.90-2.10g/cm3的非晶硅薄膜制作成低折射率膜层，高折射率膜层和低折射率膜层都是采用非晶硅薄膜，非晶硅薄膜只需通过交替改变PECVD沉积过程中的反应条件，即可得到密度不同的非晶硅薄膜，该反射膜在结构上只采用了非晶硅作为膜层材料，具有工艺连续、一次成膜的优点，同时，当前成熟的非晶硅薄膜生产工艺使得该种反射膜得以低成本、大面积制备，具有很强的实用意义。适合在光器件领域推广应用。
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公开(公告)号：CN104369440B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410483247.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制作工艺连续、制作成本较低且便于制作的用于激光器的全介质反射膜及其制备方法。本发明所述的用于激光器的全介质反射膜采用折射率为2.5-4.5的硅化物膜层制作成高折射率膜层，采用折射率为1.4-2.1的硅化物膜层制作成低折射率膜层，高折射率膜层和低折射率膜层都是采用硅化物膜层，不同的硅化物膜层只需通过气相掺杂的方法向反应腔中通入掺杂气体实现掺杂以得到折射率不同的硅化物膜层，该反射膜在结构上只采用了硅化物作为膜层材料，采用这种结构的反射膜在制备全程都采用成熟的PECVD技术一次成膜，整个制备工作一次成型，具有工艺连续、一次成膜的优点。适合在光器件领域推广应用。
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公开(公告)号：CN104369440A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410483247.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C16/42 , C23C16/345 , C23C16/505 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种制作工艺连续、制作成本较低且便于制作的用于激光器的全介质反射膜及其制备方法。本发明所述的用于激光器的全介质反射膜采用折射率为2.5-4.5的硅化物膜层制作成高折射率膜层，采用折射率为1.4-2.1的硅化物膜层制作成低折射率膜层，高折射率膜层和低折射率膜层都是采用硅化物膜层，不同的硅化物膜层只需通过气相掺杂的方法向反应腔中通入掺杂气体实现掺杂以得到折射率不同的硅化物膜层，该反射膜在结构上只采用了硅化物作为膜层材料，采用这种结构的反射膜在制备全程都采用成熟的PECVD技术一次成膜，整个制备工作一次成型，具有工艺连续、一次成膜的优点。适合在光器件领域推广应用。
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公开(公告)号：CN103681935A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310424317.3
申请日：2013-09-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/0352 , H01L31/0376
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/076 , H01L31/035209 , H01L31/035281
Abstract: 本发明公开了一种太阳能转换效率较高的非晶硅叠层太阳能电池。该非晶硅叠层太阳能电池，包括依次层叠设置的透明玻璃衬底、TCO透明导电膜、第一P型半导体层、第一非晶硅光吸收层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二非晶硅光吸收层、第二N型半导体层、金属电极，所述第一N型半导体层与第二P型半导体层之间设置有隧穿结，所述第一非晶硅光吸收层的厚度为600nm，所述第二非晶硅光吸收层的厚度为200nm～600nm，可以明显提高非晶硅叠层太阳能电池的转换效率，另外，隧穿结提供了缺陷能级，为两个子电池的载流子有利复合创造了条件，减少了载流子的不利复合，提高了叠层电池的转换效率，适合在太阳能利用技术领域推广应用。
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