公开(公告)号：CN104183570B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410415806.7

申请日：2014-08-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 白飞明 ,  王艺程 ,  钟志勇 ,  张怀武

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种近零涡流损耗互连线及其制备方法，属于射频器件技术领域。包括衬底基片和衬底基片表面的互连线；互连线是由金属铜薄膜层和铁磁金属薄膜层相间层叠而形成的周期性复合超晶格薄膜结构；每层金属铜薄膜层的厚度为50～1000nm，每层铁磁金属薄膜层厚度为20～500nm；铁磁金属为磁性金属与铜形成的合金；周期性复合超晶格薄膜结构的周期数为5～200。采用金属铜作为互连线的原料，成本低廉，采用超晶格薄膜结构，结构简单，易于实现，降低晶格失配导致的应力，电阻率低，可以选择频段实现近零有效磁导率，所以厚度可以在10～100μm无明显的趋肤效应；采用金属电化学交替沉积法多周期交替电镀制备该互连线，降低制备工艺难度及成本。本发明适用于射频器件。

公开(公告)号：CN104851550A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510275744.9

申请日：2015-05-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 白飞明 ,  王艺程 ,  王骆 ,  钟智勇 ,  张怀武

IPC: H01F10/00 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明提供了一种大面积均匀各向异性磁芯膜及其制备方法，涉及高频电磁器件、磁传感器件中磁性薄膜的制备领域。所述磁芯膜包括交替溅射的多层薄膜，每一层薄膜为楔形结构，相邻两层薄膜形成的薄膜结构其厚度是均匀的。主要采用倾斜基片以及交替180度旋转基片架的方式实现磁芯膜的制备。本发明将基片倾斜，使得基片与靶材呈一定角度进行溅射，形成了倾斜的柱状结构，引入了具有较好温度稳定性的单轴各向异性；溅射时间t后，将基片架旋转180度，保证各向异性场的方向在同一方向而不会随着旋转的改变而改变；采用溅射相同时间t后将基片架旋转180度的方式，使得制备的磁芯膜的平均厚度相差不大，得到的薄膜厚度均匀。

公开(公告)号：CN104183570A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410415806.7

申请日：2014-08-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 白飞明 ,  王艺程 ,  钟志勇 ,  张怀武

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种近零涡流损耗互连线及其制备方法，属于射频器件技术领域。包括衬底基片和衬底基片表面的互连线；互连线是由金属铜薄膜层和铁磁金属薄膜层相间层叠而形成的周期性复合超晶格薄膜结构；每层金属铜薄膜层的厚度为50～1000nm，每层铁磁金属薄膜层厚度为20～500nm；铁磁金属为磁性金属与铜形成的合金；周期性复合超晶格薄膜结构的周期数为5～200。采用金属铜作为互连线的原料，成本低廉，采用超晶格薄膜结构，结构简单，易于实现，降低晶格失配导致的应力，电阻率低，可以选择频段实现近零有效磁导率，所以厚度可以在10～100μm无明显的趋肤效应；采用金属电化学交替沉积法多周期交替电镀制备该互连线，降低制备工艺难度及成本。本发明适用于射频器件。