公开(公告)号：CN105866715B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201610170027.4

申请日：2016-03-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐晓莉 ,  余尤 ,  苏桦 ,  钟智勇 ,  张怀武

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括以下步骤：a)在基片上制备绝缘层，然后采用光刻工艺曝光出线性各向异性磁阻传感器的单元图形；b)采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积铁磁层、反铁磁层，铁磁层和反铁磁层的沉积气压为0.004Pa～0.08Pa，沉积功率为30W～50W，铁磁层的厚度为30～50nm，反铁磁层的厚度为10～15nm；c)制备各向异性磁阻传感器单元电极，得到所述线性各向异性磁阻传感器。本发明采用铁磁/反铁磁双层薄膜作为磁阻薄膜、并在超低气压氛围下溅射磁阻薄膜，可实现扩大线性各向异性磁阻传感器测量范围的目的。

公开(公告)号：CN105866715A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610170027.4

申请日：2016-03-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐晓莉 ,  余尤 ,  苏桦 ,  钟智勇 ,  张怀武

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

CPC classification number: G01R33/096 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  G01R33/0052 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括以下步骤：a)在基片上制备绝缘层，然后采用光刻工艺曝光出线性各向异性磁阻传感器的单元图形；b)采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积铁磁层、反铁磁层，铁磁层和反铁磁层的沉积气压为0.004Pa～0.08Pa，沉积功率为30W～50W，铁磁层的厚度为30～50nm，反铁磁层的厚度为10～15nm；c)制备各向异性磁阻传感器单元电极，得到所述线性各向异性磁阻传感器。本发明采用铁磁/反铁磁双层薄膜作为磁阻薄膜、并在超低气压氛围下溅射磁阻薄膜，可实现扩大线性各向异性磁阻传感器测量范围的目的。