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公开(公告)号：CN102640279B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080050571.6
申请日：2010-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/0688 , H01L27/1225
Abstract: 一个目的是提供一种具有减少的待机功率的半导体器件。包含氧化物半导体作为有源层的晶体管被用作开关元件，并通过该开关元件来控制电源电压向集成电路中的电路的供应。具体地说，当该电路处于动作状态时，通过该开关元件进行电源电压向该电路的供应，并且当该电路处于停止状态时，通过该开关元件停止电源电压向该电路的供应。另外，供应有电源电压的该电路包括用半导体形成的作为集成电路中所含的最小单位的半导体元件。此外，该半导体元件中所含的半导体包含具有结晶性的硅(晶体硅)。
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公开(公告)号：CN103201831A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053060.4
申请日：2011-10-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , G11C11/405 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1156 , G11C11/403 , G11C16/0433 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L28/40
Abstract: 延长半导体装置或半导体存储装置中的数据保持期间。半导体装置或半导体存储器包含存储电路，该存储电路包含第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管包含第一半导体层及第一栅极，第二晶体管包含第二半导体层、第二栅极、及第三栅极。第一半导体层与包含第二栅极的层同時形成。
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公开(公告)号：CN101674068B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910204758.6
申请日：2004-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3688 , G09G2310/0275 , G11C19/00
Abstract: 一种显示装置驱动电路，包括单一导电类型的TFT，并输出标准幅度的输出信号。一个脉冲被输入TFT101和104以导通这些TFT，节点α的电位升高。当节点α的电位达到(VDD-VthN)时，该节点α变为浮置状态。相应地，TFT105导通，当时钟信号变为高电平时，一个输出节点的电位升高。另一方面，当所述输出节点的电位升高时，由于电容装置107的操作使得TFT105的栅极电位进一步升高，从而TFT105的栅极电位变得高于(VDD-VthN)。这样，输出节点的电位升高到VDD，而不会由于TFT105的阈值电压导致电压下降。然后在下一级一个输出被输入到TFT103，势TFT103导通，同时节点α的电位()。结果，输出节点的电位变为低电平。
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公开(公告)号：CN103026583A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036762.1
申请日：2011-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H02J17/00
CPC classification number: H02J50/12 , H02J7/025 , H02J50/20 , H02J50/40 , H02J50/80 , H02J50/90 , H04B5/0037 , H04B5/0093
Abstract: 目的之一是提供一种对受电一方的供电用户而言是方便性更高的供电系统和供电方法。目的之一是提供一种对进行供电的一方（送电一方）的供电提供者（公司）而言，也是可以没有浪费地供应电力的供电系统和供电方法。以无线的方式对受电体供应电力的供电装置检测被供应电力的受电体的位置及共振频率，并基于该信息控制发送到受电体的电力信号的频率。通过以电力传送效率高的最合适的频率对受电体发送电力信号，可以提供效率高的供电服务。
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公开(公告)号：CN101401112B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200780008583.0
申请日：2007-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01Q1/2225 , G06K19/0701 , G06K19/0702 , G06K19/0723 , G06K19/07767
Abstract: 本发明提供了电池作为RFID中用于供电的电源，以及除了向外面发送并且从外面接收个体信息的天线之外，用于对该电池充电的另一个天线作为向该电池供电的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101290653B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810090718.9
申请日：2008-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06K7/0008
Abstract: 本发明的目的在于提供一种无线通讯方法，其中在能够确保从通讯装置到半导体装置的无线信号的通讯的情况下，即使从半导体装置到通讯装置的无线信号的通讯因外部因素如障碍物等而难以实现，也可以确保无线信号的通讯而不使用中继器。多个半导体装置选择性地转换接收从通讯装置发送的第一无线信号的第一状态和接收从半导体装置发送的第二无线信号的第二状态来工作。并且，处于第二状态的半导体装置从处于第一状态的半导体装置接收第二无线信号，然后对通讯装置发送具有通知接收了该第二无线信号的检测数据的第二无线信号。
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公开(公告)号：CN1881795B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200610091805.7
申请日：2006-05-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/0723
Abstract: 半导体装置，本发明的目的在于提供一种半导体装置，在该半导体装置中可以实现静电电容的配置面积的缩小化，并且容易调整共振频率。本发明的半导体装置具有包括天线以及所述天线并联连接的电容器的共振电路，所述电容器由x个第一电容器(x为任意的自然数)、y个第二电容器(y为任意的自然数)、z个第三电容器(z为任意的自然数)并联连接而构成，所述第一电容器、所述第二电容器和所述第三电容器具有互相不同的电容值。第一电容器、第二电容器和第三电容器的各个都优选是MIS电容器。此外，第一电容器、第二电容器以及第三电容器的至少一个优选由多个电容器并联连接而构成。
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公开(公告)号：CN1828912B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200610009357.1
申请日：2006-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06K19/07749 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/13
Abstract: 本发明旨在减少半导体元件的特性不均匀的影响，以提供一种实现高成品率的半导体装置。此外，本发明还旨在减少半导体元件的特性不均匀的影响，以提高产率并提供一种廉价的半导体装置。再者，本发明旨在通过大量地在如玻璃衬底或柔性衬底等的大面积衬底上制作半导体装置，以提供一种廉价的半导体装置。本发明的半导体装置具有解调信号产生电路和天线或为连接天线的布线，解调信号产生电路具有解调电路和校正电路。并且，校正电路校正由解调电路产生的第一解调信号并产生第二解调信号。
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公开(公告)号：CN101149893B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710185154.2
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G5/003 , G09G3/36 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2330/021 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H03K19/018507
Abstract: 本发明的课题是，提供一种具有正常工作部件的半导体器件，该半导体器件即使是使用了单极型晶体管的数字电路，也能防止输出信号的振幅变小。通过使被连接成二极管的晶体管(101)截止，使第1晶体管(102)的栅极端子处于浮置状态。此时，第1晶体管(102)为导通状态，其栅极·源极间的电压保存在电容元件上。其后，当第1晶体管(102)的源极端子的电位上升时，由于自举效应，第1晶体管(102)的栅极端子的电位也上升。其结果是，可防止输出信号的振幅变小。
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公开(公告)号：CN101523419A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036911.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , G06K17/00 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/12 , G06K19/0701 , G06K19/0715 , G06K19/0723 , H01L21/84
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够使用小的电路面积获得写入数据到存储器所需的高电位的半导体器件。在本发明中，通过不使用通常使用的调整电路104的输出VDD，而是使用电位比VDD高的整流电路部分103的输出VDD0作为升压电路的输入电压，能够以小的电路面积获得写入数据到存储器所需的高电位。
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