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公开(公告)号：CN112201655B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010944488.9
申请日：2020-09-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开一种纳米电容三维集成结构及其制作方法。该纳米电容三维集成结构包括形成在铝箔正面和背面的第一纳米电容结构和第二纳米电容结构，第一纳米电容结构的第一顶部金属电极层通过第一沟槽结构、第二沟槽结构、铝通孔结构、第四沟槽结构、第五沟槽结构与第二纳米电容结构的第二顶部金属电极层电气连通；第一纳米电容结构的第一底部金属电极层通过第三沟槽结构、铝箔、第六沟槽结构与第二纳米电容结构的第二底部金属电极层电气连通。本发明能够显著增大电容密度缩短互连线长度，从而有利于减小互连电阻和能量损耗，此外，能够减少工艺步骤，降低工艺复杂度，从而有效降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112151538B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010944489.3
申请日：2020-09-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开一种纳米电容三维集成结构及其制造方法。该纳米电容三维集成结构制造方法在低阻硅衬底的正面和背面分别形成正面沟槽和背面沟槽，并在其中形成第一纳米电容结构和第二纳米电容结构，并且正面沟槽和背面沟槽之间形成有硅通孔结构。硅通孔结构直接电气连通第一纳米电容结构和第二纳米电容结构的下电极，低阻硅衬底直接电气连通第一纳米电容结构和第二纳米电容结构的上电极，可以缩短互连线长度，从而有利于减小互连电阻和能量损耗。
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公开(公告)号：CN114335188A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210001044.0
申请日：2022-01-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种小尺寸的存储器件结构及其制备方法。该小尺寸的存储器件结构包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U形槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U形槽贯穿N阱区；半浮栅介质层，形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在N阱区表面形成有窗口；半浮栅，覆盖所述半浮栅介质层并完全填充所述U形槽，且在窗口处与N阱区表面相接触；控制栅介质层，形成在所述半浮栅上表面；控制栅，覆盖所述控制栅介质层；源区和漏区，分别形成在所述控制栅两侧的N阱区中。通过半浮栅晶体管U形槽侧壁寄生的PMOS管对半浮栅区域进行编程，极大地简化了半浮栅晶体管结构和微缩了器件单元尺寸。
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公开(公告)号：CN112018071B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010754764.5
申请日：2020-07-31
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种多功能TSV结构及其制备方法。该多功能TSV结构包括通过绝缘介质进行隔离的高密度电容器和TSV互连结构，TSV互连结构不仅充当芯片之间垂直互连的导电通道，同时还作为电容器的基底。由于TSV结构具有高深宽比，所以具有较大的比表面积，从而在TSV结构内部制备电容器可以获得较高的电容密度，这有利于电容器作为滤波、旁路、震荡以及能量存储应用器件。
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公开(公告)号：CN114171390A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111477722.2
申请日：2021-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管及其制备方法。该隧穿效率可调的半浮栅晶体管制备方法包括以下步骤：形成P阱区,进行第一次轻掺杂N型离子注入形成N阱区，以形成半浮栅晶体管的沟道杂质分布，N阱区位于P阱区上方；刻蚀形成U形槽，使U型槽贯穿N阱区；形成第一栅氧化层，在N阱区表面形成窗口，形成半浮栅，使其在窗口处与N阱区相接触；之后进行边缘刻蚀，使邻接窗口一侧的部分N阱区的表面露出，进行第二次重掺杂N型离子注入，在N阱区中形成N+掺杂区，以调控隧穿晶体管的隧穿效率；形成控制栅介质，使其覆盖半浮栅并延伸覆盖部分N+掺杂区，接着形成控制栅，使其覆盖控制栅介质；在控制栅两侧形成源区和漏区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114141629A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111437262.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开一种窗口自对准的分栅型半浮栅晶体管及其制备方法。通过将半浮栅晶体管的基本功能嵌入到硅衬底中，形成器件的垂直结构，极大地降低半浮栅晶体管单元的面积。此外，在形成半浮栅区域时，通过对多晶硅刻蚀深度的控制，形成窗口的自对准，有助于调控窗口处编程效率和反偏漏电流的大小。
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公开(公告)号：CN114141628A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111414299.1
申请日：2021-11-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法。该高效编程的半浮栅晶体管，包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；半浮栅介质层，形成在U型槽表面并延伸覆盖一侧的部分N阱区表面，且在另一侧形成有窗口；半浮栅，覆盖半浮栅介质层并完全填充U型槽，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层、控制栅和掩膜层，控制栅介质层覆盖半浮栅，控制栅和掩膜层依次形成在控制栅介质层上；分离栅介质层和分离栅，分离栅介质层形成在N阱区表面并延伸覆盖部分掩膜层表面，分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域；源区和漏区，分别形成在控制栅和分离栅两侧，N阱区中。
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公开(公告)号：CN114078966A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010811911.8
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。
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公开(公告)号：CN114062384A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111256712.6
申请日：2021-10-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种检测掩模版缺陷的方法和装置。该方法的具体步骤如下：（1）利用掩模版空间像测量装置，对横电波TE与横磁波TM两个互相垂直的偏振态分别做一次测量，获得两套，分别对应TE与TM照明下掩模版表面的复振幅；（2）通过空间像仿真算法获取在硅片上的光强分布，根据光强分布对称状况、线宽的差异，对掩模版缺陷进行评判。本发明采用成熟的干涉仪技术，对缺陷在光瞳处产生的振幅与相位进行精确测量，再通过成熟的空间像仿真合成硅片上图像，以定量地确定缺陷对光刻工艺的影响，无需补偿。
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公开(公告)号：CN114062168A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111219431.3
申请日：2021-10-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N3/40
Abstract: 本发明公开了一种基于聚二甲基硅氧烷的柔性可拉伸硬度传感器及其制备方法。其整体为薄膜结构，包括从下至上紧密结合的下层PDMS粘贴层、应变传感层和压力传感层。下层PDMS粘贴层具有一定粘性；应变传感层基于纳米银线/碳纳米管/PDMS复合材料，压力传感层从下至上包括下部电极层、压阻材料层和上部电极层，压阻材料层为具有孔洞结构的微米银片/碳纳米管/PDMS复合材料。本发明通过将硬度传感器粘贴在被测物体上对其按压进行硬度评估，硬度传感器的输出为压力传感层的输出与应变传感层的输出之间的比值。本发明具有结构简单、灵敏度高、成本低、信号易读出和应用广泛的优点。
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