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公开(公告)号:CN109202061A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201811156354.X
申请日:2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米球及其制备方法与应用。本发明使用多元醇法制备直径为400-550nm的银纳米球,其步骤为:将聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇加入反应器中,于140℃加热并搅拌至其完全溶解;向反应器中滴加NaBr乙二醇溶液;搅拌条件下向反应器中滴加AgNO3乙二醇溶液;然后在140℃及搅拌条件下继续反应90min,完成反应后离心分离产物,制得银纳米球。本发明能够在较短时间内制备出形貌均匀的银纳米球,成本低廉,工艺简单,可作为光电材料用于高灵敏度检测传感器件与太阳能电池中。
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公开(公告)号:CN108943527A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810371177.0
申请日:2018-04-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: B29C35/02
CPC classification number: B29C35/02 , B29C35/002
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域,公开了一种改善金属有机物分解型银墨水结合强度的方法。所述方法为:将基底超声清洗并烘干,然后在室温下通过喷墨打印的方法将MOD型银墨水图形化,形成液态银薄膜,最后在热台上以180~200℃固化10~20min,得到银薄膜。本发明的方法通过调节热固化工艺参数,促使银颗粒与玻璃衬底产生一定程度的互融或渗透,从而增强MOD型银墨水形成的薄膜与玻璃衬底的结合强度。本发明方法不需要改变银墨水的配方和调节银墨水性质,简单易行,减少了时间和材料成本。
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公开(公告)号:CN108927531A
公开(公告)日:2018-12-04
申请号:CN201810958602.6
申请日:2018-08-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电极材料制备技术领域,公开了一种基于多成核控制剂的银纳米线及其制备方法和应用。将PVP加入到乙二醇中,加热搅拌至完全溶解,然后加入多种成核控制剂的乙二醇溶液,得到混合液;所述多种成核控制剂是指NaCl与NaBr、CuCl2、FeCl3中的至少一种所组成的成核控制剂;搅拌条件下,往混合液中滴加AgNO3乙二醇溶液,加热搅拌反应,反应产物经离心分离、洗涤,得到银纳米线。本发明创新地通过添加多种成核控制剂,实现了不同成核控制剂的相辅相成,在发挥单成核控制剂作用的同时,抑制其负面效果,制备出使用单一成核控制剂时难以达到的高长径比银纳米线。
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公开(公告)号:CN108900676A
公开(公告)日:2018-11-27
申请号:CN201810913832.0
申请日:2018-08-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电子设备技术领域,公开了一种全面屏手机及实现全面屏显示的方法。所述全面屏手机包括全面屏和与全面屏相连接的外壳体,所述全面屏为全透明显示屏,手机的前置摄像头和其他光线或图像感知功能模块设置于全透明显示屏下,所述前置摄像头和其他光线或图像感知功能模块可直接透过全面屏对光线或图像实现感知。本发明的全面屏手机无需给前置摄像头和其它光线或图像感知功能模块预留安置位置,并结合无边框等技术,可以极大提高全面屏设备的屏占比,可以达到接近100%的屏占比,无刘海、外观美观,且不需要可伸缩支撑件即能实现前置拍照等功能,使用方便。
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公开(公告)号:CN108396313A
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201810078909.7
申请日:2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明属于喷墨打印电子器件的技术领域,公开了一种减少喷墨打印薄膜表面裂纹的热处理方法。热处理方法为:(1)溶液的配制:采用溶剂将聚合物和金属氧化物的前驱体配成溶液;所述溶液为添加了聚合物的能够采用溶胶凝胶法成膜的体系;所述聚合物为水溶性聚合物;(2)喷墨打印薄膜:将步骤(1)的溶液喷墨打印成膜,获得凝胶化薄膜;(3)热处理:将凝胶化薄膜于60~80℃干燥15~48h,然后梯度退火,最后高温热处理,获得打印薄膜。本发明的热处理方法减少了喷墨打印薄膜表面裂纹,使得所制备的薄膜表面平整与致密,提高了薄膜的性能。
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公开(公告)号:CN108288643A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201810077682.4
申请日:2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于电子器件的技术领域,公开了一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管。所述栅极,由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成,且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层;所述铜合金层包含铬和锆。方法:(1)在衬底上沉积铜合金薄膜,作为栅极主体层;(2)在铜合金薄膜上沉积三氧化二铝薄膜。氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、铜合金层、三氧化二铝层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极。本发明的氧化物薄膜晶体管栅极具有成本低廉,结合强度高,电阻率低,电学稳定性好,工艺简单的优点。
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公开(公告)号:CN107880650A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201711175627.0
申请日:2017-11-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子领域,公开了一种混合溶剂的喷墨打印墨水及其制备方法。所述喷墨打印墨水由聚合物的良溶剂、聚合物的非良溶剂、聚合物和八水合氯氧化锆组成;所述聚合物为聚丙烯酰胺或聚乙烯醇。其制备方法为:往聚合物的良溶剂中加入聚合物,搅拌使其充分溶解,然后加入聚合物的非良溶剂搅拌混合均匀,再加入八水合氯氧化锆搅拌溶解,陈化后得到所述喷墨打印墨水。本发明通过选用一种聚合物的良溶剂和一种聚合物的非良溶剂的混合溶剂体系,一定程度上改善了含聚合物墨水的喷墨状态,且对墨水的功能性无太大影响,所得喷墨打印墨水在大剂量的应用中同样具有出色的均匀性。
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公开(公告)号:CN107331622A
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201710538837.5
申请日:2017-07-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/445 , H01L21/34 , H01L29/51 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/445 , H01L29/517 , H01L29/7869
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域,公开了一种采用溶液加工的高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管的制备方法。所述制备方法为:将ZrOCl2·8H2O溶于乙二醇单甲醚中,配置浓度为0.3~0.6mol/L的前驱体溶液,将其旋涂到ITO玻璃衬底表面,然后在300~400℃退火处理1~2h,得到氧化锆绝缘层薄膜,再通过磁控溅射镀IGZO,然后在300~400℃下退火处理,最后通过磁控溅射镀Al源漏电极,得到所述高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管。本发明以特定的氧化物前驱体溶液通过旋涂法制备氧化物绝缘层薄膜,解决了前驱体体系不稳定,导致旋涂效果差、薄膜不均匀以及绝缘层漏电的问题,实现了低漏电高介电的性能。
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公开(公告)号:CN208723948U
公开(公告)日:2019-04-09
申请号:CN201821297020.X
申请日:2018-08-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型属于电子设备技术领域,公开了一种全面屏手机。所述全面屏手机包括全面屏和与全面屏相连接的外壳体,所述全面屏为全透明显示屏,手机的前置摄像头和其他光线或图像感知功能模块设置于全透明显示屏下,所述前置摄像头和其他光线或图像感知功能模块可直接透过全面屏对光线或图像实现感知。本实用新型的全面屏手机无需给前置摄像头和其它光线或图像感知功能模块预留安置位置,并结合无边框等技术,可以极大提高全面屏设备的屏占比,可以达到接近100%的屏占比,无刘海、外观美观,且不需要可伸缩支撑件即能实现前置拍照等功能,使用方便。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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