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公开(公告)号：CN118443700B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410883073.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/34 , G01N1/31 , G01N1/44
Abstract: 本发明公开了一种利用具有多孔阵列结构的软模板制备多孔碳膜透射电镜载网的方法，属于材料领域。本发明的具有多孔阵列结构的碳膜透射电镜载网的制备方法，包括以下步骤：将具有多孔阵列结构的软模板转移至透射电镜载网网格表面，然后在透射电镜载网表面沉积碳膜，去除软模板，即得到所述具有多孔阵列结构的碳膜透射电镜载网。本发明的方法简单易行，可重复度高，并具有普适性；所得碳膜透射电镜载网的网格结构质量优异，具备批量化制备的潜力，同时可直接用于符合透射电镜制样要求的石墨烯电镜载网的制备，后者可用于冷冻电镜单颗粒三维结构解析以及纳米颗粒、单原子的高分辨成像。
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公开(公告)号：CN118367051A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410454828.8
申请日：2024-04-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种高光响应度的石墨烯硅光探测器及其制备方法和应用，属于集成光子器件技术领域。本发明的石墨烯硅光探测器包括硅波导衬底、扭转双层石墨烯、源极和漏极；所述扭转双层石墨烯作为有源区光吸收材料设置在硅波导衬底上；所述石墨烯两端设置源极和漏极。本发明的器件利用扭转双层石墨烯独特的范霍夫奇点能带结构实现增强光吸收，具有高光响应度及小器件尺寸等优势。
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公开(公告)号：CN109534326B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910019995.9
申请日：2019-01-09
IPC: C01B32/184
Abstract: 本申请涉及石墨烯转移技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯薄膜转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，其包括：壳体，所述壳体具有真空腔体；滚压机构，位于所述真空腔体内，所述滚压机构包括第一辊轴及与所述第一辊轴相对设置的第二辊轴，所述第一辊轴及所述第二辊轴中的至少一者能够转动；其中，所述第一辊轴和/或所述第二辊轴能够在转动过程中对经过所述第一辊轴和所述第二辊轴之间的石墨烯薄膜与目标基底进行滚动贴合，以将石墨烯薄膜转移至目标基底。该技术方案能够提高石墨烯薄膜转移之后的完整度。
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公开(公告)号：CN118064856A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410168665.7
申请日：2024-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种透射电镜载网网格阵列批量化制备方法，属于材料领域。本发明的方法包括在硬质衬底表面溅射一层金属薄膜基底后，利用光刻构筑周期性的光刻胶软模板阵列为掩膜，再通过电镀构筑透射电镜载网网格格栅阵列结构，最后去除所述周期性的光刻胶软模板阵列与金属薄膜基底，得到所述透射电镜载网网格阵列。本发明的方法解决了国内透射电镜载网网格批量化制备的技术问题，该方法简单易行，并具有普适性；所制备的透射电镜载网网格结构质量优异，可直接用于符合透射电镜制样要求的普通电镜载网和石墨烯电镜载网的制备，后者可用于冷冻电镜单颗粒结构解析以及纳米颗粒、单原子的高分辨成像。
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公开(公告)号：CN117468093A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210852355.8
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶态的β‑Bi2SeO5及其制备方法和应用，属于化学合成及半导体微电子器件领域。本发明对单晶态的Bi2O2Se纳米片或者Bi2O2Se单晶薄膜进行紫外辅助氧化，得到所述单晶态的β‑Bi2SeO5。所述β‑Bi2SeO5是单晶，Bi为正三价，Se为正四价，O为负二价，化学式为Bi2SeO5，具有Bi‑O层状骨架结构，层间为Se‑O层。以单晶态的β‑Bi2SeO5作为介电层的场效应晶体管，栅控能力极强，栅漏电流低，界面质量高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115573036B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110763379.1
申请日：2021-07-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高κ层状Bi2SeO5介电材料及其制备方法。该层状Bi2SeO5介电材料的制备方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和SeO2粉末为原料，在抽真空的石英管中进行高温固相反应，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5高纯粉体。将反应得到的Bi2SeO5粉体取出，研磨，二次封入石英管进行化学气相输运，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5单晶块材。该方法简单易行、所得Bi2SeO5介电材料单晶块材尺寸大且易于解理成大面积纳米片，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116536773A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210090083.2
申请日：2022-01-25
Abstract: 本发明提供一种适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法，包括：在附着金属薄膜前，对蓝宝石晶圆衬底进行退火预处理。退火预处理期间采用水平放置且蓝宝石晶圆与板面完全接触的平板载具，解决了石墨烯薄膜制备过程中单晶金属薄膜晶圆中存在孪晶的问题，降低了孪晶的出现，提高了金属单晶薄膜晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN115961258A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111185707.0
申请日：2021-10-12
Abstract: 本发明提供一种金属晶圆基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底通过磁控溅射形成所述金属薄膜，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底的温度保持在50℃以下。还提供该方法制备的金属晶圆。本发明的制备方法，提高了金属晶圆退火后的单晶化程度，并且解决了基底产生孪晶及缺陷问题，为下一步生长优质石墨烯打下基础。同时，由于溅射过程都在常温进行，不需要在溅射结束后，降低温度至常温才能打开磁控溅射腔室，避免了晶圆容易氧化的问题。并且，降低了溅射一片晶圆所需的时间，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN115573036A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110763379.1
申请日：2021-07-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高κ层状Bi2SeO5介电材料及其制备方法。该层状Bi2SeO5介电材料的制备方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和SeO2粉末为原料，在抽真空的石英管中进行高温固相反应，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5高纯粉体。将反应得到的Bi2SeO5粉体取出，研磨，二次封入石英管进行化学气相输运，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5单晶块材。该方法简单易行、所得Bi2SeO5介电材料单晶块材尺寸大且易于解理成大面积纳米片，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114141813A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111281360.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态感存算一体系统及其实现方法。本发明将多个Bi2O2Se场效应晶体管集成在一起，基于器件的多模态传感特性、多模态突触可塑性和非线性抑制神经元特性，分别作为传感器、突触器件和神经元器件使用，由此构建多模态感存算一体系统，从而实现同种材料相同器件结构的传感模块、存储模块以及计算模块的片上一体化集成。
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