公开(公告)号：CN119270533A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411581699.5

申请日：2024-11-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  钱君 ,  武钦慈 ,  邢露文 ,  高欣 ,  王兴军

IPC: G02F1/015 ,  G02F1/025

Abstract: 本发明提供了一种高带宽的石墨烯/硅光强度调制器，属于硅基光电子集成芯片领域。该调制器包括硅光波导衬底、石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构、偏压端和接地端；所述硅光波导衬底上设置石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构；所述石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构由上、下两层石墨烯和上、下两层石墨烯中间的高k栅介质组成；所述上、下两层石墨烯两端分别设置偏压端和接地端。本发明的调制器利用无机分子晶体氧化锑/氧化铝作为复合高k栅介质，可以有效保持石墨烯的硅基室温载流子迁移率、剩余载流子浓度等材料电学品质，从而减小器件的电阻‑电容参数，为提升石墨烯/硅光强度调制器的高频模拟带宽提供了新的解决方案。

公开(公告)号：CN118367051A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410454828.8

申请日：2024-04-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  武钦慈 ,  钱君 ,  邢露文 ,  高欣 ,  王悦晨 ,  王兴军

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明公开了一种高光响应度的石墨烯硅光探测器及其制备方法和应用，属于集成光子器件技术领域。本发明的石墨烯硅光探测器包括硅波导衬底、扭转双层石墨烯、源极和漏极；所述扭转双层石墨烯作为有源区光吸收材料设置在硅波导衬底上；所述石墨烯两端设置源极和漏极。本发明的器件利用扭转双层石墨烯独特的范霍夫奇点能带结构实现增强光吸收，具有高光响应度及小器件尺寸等优势。