公开(公告)号：CN115573036B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202110763379.1

申请日：2021-07-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  涂腾 ,  张聪聪 ,  朱永朝 ,  王璟岳

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L29/51 ,  C30B33/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/64 ,  C30B28/02

Abstract: 本发明公开了一种高κ层状Bi2SeO5介电材料及其制备方法。该层状Bi2SeO5介电材料的制备方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和SeO2粉末为原料，在抽真空的石英管中进行高温固相反应，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5高纯粉体。将反应得到的Bi2SeO5粉体取出，研磨，二次封入石英管进行化学气相输运，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5单晶块材。该方法简单易行、所得Bi2SeO5介电材料单晶块材尺寸大且易于解理成大面积纳米片，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115573036A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110763379.1

申请日：2021-07-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  涂腾 ,  张聪聪 ,  朱永朝 ,  王璟岳

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L29/51 ,  C30B33/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/64 ,  C30B28/02

Abstract: 本发明公开了一种高κ层状Bi2SeO5介电材料及其制备方法。该层状Bi2SeO5介电材料的制备方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和SeO2粉末为原料，在抽真空的石英管中进行高温固相反应，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5高纯粉体。将反应得到的Bi2SeO5粉体取出，研磨，二次封入石英管进行化学气相输运，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5单晶块材。该方法简单易行、所得Bi2SeO5介电材料单晶块材尺寸大且易于解理成大面积纳米片，具有广阔的应用前景。