公开(公告)号：CN116536773A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202210090083.2

申请日：2022-01-25

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 阎睿 ,  曹轶森 ,  唐际琳 ,  杨雨佳 ,  吕蓉 ,  彭海琳 ,  高翾 ,  刘忠范

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/20 ,  C30B23/06 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法，包括：在附着金属薄膜前，对蓝宝石晶圆衬底进行退火预处理。退火预处理期间采用水平放置且蓝宝石晶圆与板面完全接触的平板载具，解决了石墨烯薄膜制备过程中单晶金属薄膜晶圆中存在孪晶的问题，降低了孪晶的出现，提高了金属单晶薄膜晶圆的良率。

公开(公告)号：CN115961258A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202111185707.0

申请日：2021-10-12

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 杜音 ,  阎睿 ,  唐际琳 ,  曹轶森 ,  杨雨佳 ,  彭海琳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种金属晶圆基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底通过磁控溅射形成所述金属薄膜，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底的温度保持在50℃以下。还提供该方法制备的金属晶圆。本发明的制备方法，提高了金属晶圆退火后的单晶化程度，并且解决了基底产生孪晶及缺陷问题，为下一步生长优质石墨烯打下基础。同时，由于溅射过程都在常温进行，不需要在溅射结束后，降低温度至常温才能打开磁控溅射腔室，避免了晶圆容易氧化的问题。并且，降低了溅射一片晶圆所需的时间，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN115961253A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202111185471.0

申请日：2021-10-12

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 杜音 ,  阎睿 ,  唐际琳 ,  曹轶森 ,  杨雨佳 ,  彭海琳

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种金属基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底上通过磁控溅射制备金属基底，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底进行自转，所述自转的转速为30～50转/分钟。还公开该方法制备的金属基底。本发明的金属基底的制备方法，通过磁控溅射这一物理气相沉积制备，在蓝宝石基底上溅射过程中，保持蓝宝石以一定转速自转，可以提高溅射制备的金属基底与蓝宝石的附着力，从而减少或避免退火过程中金属挥发产生孔洞。更进一步，通过选择特定的磁控溅射功率，进一步提高金属基底与蓝宝石的附着力，从而防止退火时产生孔洞。