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公开(公告)号：CN118039455A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211415099.2
申请日：2022-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用。本发明提供的AlN薄膜，其具有如下特征：(1)表面平整度达到0.1nm以下；(2)位错密度小于1.0×108cm‑2。本发明首次提出对AlN/衬底进行特定图形化制备，保障了AlN外延层与模板面内晶格对称性的一致，并在其上进行AlN可控侧向外延，实现特定晶面的可控聚合过程，极大减少晶柱扭曲，大幅减少位错增殖，从而实现位错密度低、表面原子级别平整的AlN薄膜。
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公开(公告)号：CN116978995A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311010635.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种改善认知和睡眠的四通道LED混合白光光源的制备方法，属于发光二极管照明技术领域。本发明采用四通道LED照明技术，优化各通道LED的峰值波长和光谱半宽，制备低色温、高照度、高显色性的照明白光LED光源，具有更高的照度和更好的显色性，实现了同时改善夜晚认知表现和光照后睡眠质量的效果。
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公开(公告)号：CN116387431A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310417910.9
申请日：2023-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种异质纳米图形衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明利用异质纳米图形材料和蓝宝石材料对腐蚀液的选择性，通过化学腐蚀的方法实现将GaN从衬底上剥离而不引入损伤。采用本发明实现了外延质量的提高和衬底的有效剥离，有效解决了湿法剥离过程中的均匀性控制问题，提高了后续制备的Micro‑LED性能和良品率。
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公开(公告)号：CN116014053A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310178195.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元隙模式的颜色转换micro‑LED及其制备方法。本发明在P型透明电极的表面形成量子点凹槽，量子点分散在各个量子点凹槽内不会凝结，P型透明电极位于金属层与金属纳米颗粒之间，使得金属层和金属纳米颗粒这两个金属结构之间形成金属结构间隙；表面等离激元使得量子阱的自发辐射光被提取至金属结构间隙中，增强量子点的发光速率，同时表面等离激元使得金属纳米颗粒具有天线作用，将能量散射出去；并且，量子点与等离激元和量子阱能够相互作用，从而量子点的发光和自发辐射速率都得到增强，并且与表面等离激元相互作用使得量子阱发射出的大部分光被量子点吸收并增强量子点发光，从而增强颜色转换效率。
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公开(公告)号：CN111610177B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010528322.9
申请日：2020-06-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种micro LED芯片的拉曼增强的检测方法及其装置。本发明提出的检测方法中，将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题；采用电子能级共振以及表面等离激元共振增强拉曼技术使得拉曼散射强度有103～108的增强，部分达到了光致发光的强度，从而为快速测量奠定基础；金属纳米结构不但提高micro LED芯片的发光效率，同时也可以利用表面等离激元增强拉曼散射信号，提高检测速度；显微拉曼检测是一种无损伤测试手段，检测过程简单，所需时间短，检测速度快，且不需要对micro LED芯片进行特别处理，适用于micro LED芯片的巨量检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115132565A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110322125.6
申请日：2021-03-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L31/0304 , H01L33/32
Abstract: 本发明属于III族氮化物半导体制备技术领域，具体涉及高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用。本发明所述的AlN薄膜，其含有金属原子空位，且所述金属原子空位的浓度为过饱和浓度。本发明在AlN生长过程中，有意地引入具有低脱附能的异质金属原子，并通过热处理使异质金属原子向表面扩散并脱离晶格，从而在AlN薄膜内产生过饱和浓度的金属原子空位；利用该空位能够促进AlN薄膜中贯穿位错的攀移，进而弯折，发生湮灭或反应，不再向上延伸，从而有效减少贯穿位错密度并实现原子级别平整表面。同时，本发明提供的AlN薄膜的制备方法具有效率高、重复性好的特点，适合大力推广。
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公开(公告)号：CN114333617A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111551219.7
申请日：2021-12-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种改善非视觉效应的广色域显示方法。本发明通过设定目标显示色彩，构建起四基色显示技术中单个micro‑LED发光特性与显示色域和非视觉效应的关系，包括显示发光的蓝光危害和生物节律影响；通过对显示色域和非视觉效应相关参数的优化，得到单个micro‑LED的峰值波长和光谱半宽；并在一定范围内改变优化的峰值波长和光谱半宽，计算色域覆盖率的变化；优化过程中，除了考虑显示D65白光时的显示屏发光的非视觉效应，还考虑显示其他色彩时的非视觉效应，真实反映全彩显示的非视觉效应；利用本发明，能够在保持广色域的同时，降低显示设备发光的蓝光危害和生物节律影响，并具有高色域稳定性。
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公开(公告)号：CN114171652A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010954991.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于光电子发光器件技术领域，具体涉及一种提高AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)光提取效率的结构及其应用。所述提高AlGaN基DUV‑LED光提取效率的结构，其p型层由p‑AlGaN层及p‑GaN层组成；所述p‑AlGaN层具有超晶格结构；所述p‑GaN层的厚度控制在2‑10nm之间；所述p型欧姆接触金属为Ag纳米点/Al的复合金属。本发明所述结构可在保证电学性能的前提下具有更高的光提取效率LEE，进而提高其外量子效率EQE，提高了DUV‑LED器件性能。
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公开(公告)号：CN109982478A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910096408.6
申请日：2019-01-31
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提供一种白光发光二极管的调光方法，所述方法包括：分别测量红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管在额定电流工作状态下单独发光的光谱功率；计算所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管的相对混光比例；根据所述相对混光比例，利用控制单元对所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
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