-
公开(公告)号：CN114520137A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011296811.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置及方法，属于半导体制造设备领域，解决了现有技术中现有半导体生产设备中，在刻蚀工艺微颗粒附着在静电卡盘表面，进而造成产品良品率下滑，预防性检修增多，停机时间增加，生产效率下滑的问题。本发明公开了一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置，包括：气体供应装置、调节阀门、主供气管、支供气管和喷嘴组成；支供气管沿刻蚀腔内壁设置，连接主供气管和喷嘴；喷嘴的设置位置高于静电卡盘上表面；调节阀门用于调节气体的流量；气体供应装置供应吹扫气体。本发明的装置及方法实现了半导体制造设备中刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的自动、有效去除。
-
公开(公告)号：CN114464593A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011142249.8
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L27/22 , H01L27/24
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体衬底，具有源/漏区以及栅极区；第一介质层，形成于半导体衬底上；MIM电容器，形成于第一介质层内，并与源/漏区或栅极区连接。本实施例在形成接触插塞过程中，同时一并形成MIM电容器，简化了MIM电容器的制造工艺，节约了成本。
-
公开(公告)号：CN114256240A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011019867.3
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器及其制备方法，该电容器包括：衬底；于所述衬底上形成第一子电容；沿竖直方向在所述第一子电容上方依次层叠的第二至第N个子电容；每个子电容包括筒形下电极，所述筒形下电极内填充有导电介质柱体；所述第二至第N个子电容的下电极分别与其相邻下方子电容的导电介质柱体相连接；所述N为大于等于零的整数，N个所述子电容并联连接。本申请设置多层电极板组件，在下电极的内壁填充柱体,将下电极的外壁作为电极接触使用，增大了电极板的面积，从而提高了电容器的电容量。
-
公开(公告)号：CN114141710A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010918074.9
申请日：2020-09-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及半导体结构中字线的制造方法，包括：提供半导体衬底，并在半导体衬底上形成字线凹槽；在所述字线凹槽依次沉积栅氧化层、扩散阻挡层；在所述字线凹槽填充导电材料；平坦化所述导电材料；采用循环刻蚀工艺回刻所述导电材料，使得所述导电材料的表面低于所述半导体衬底的表面。本申请的采用循环刻蚀工艺进行导电材料回刻，以解决在回刻钨等字线导电材料过程中容易发生的对层间介质层和半导体衬底的不期望的刻蚀，进而解决有源区减少和短沟道效应等技术问题。
-
公开(公告)号：CN113540026A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010292267.8
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开提供一种位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的位线结构包括半导体基底；位于所述半导体基底上的至少一条位线；其中，所述半导体基底包括有器件隔离层限定的至少一个有源区，所述位线与所述有源区接触，所述位线包括自所述半导体基底起依次叠加设置的金属层和绝缘层。该位线结构通过将位线从多晶硅‑阻挡金属‑钨结构变更为金属结构，使得位线结构在小于7nm时的局限可以克服。并且去除多晶硅之后，可以进一步堆叠。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113517171A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010276080.9
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请涉及半导体的制造方法，具体是，提供半导体基底，所述半导体基底形成牺牲模层；刻蚀所述牺牲模层以形成凹槽，所述凹槽用于形成目标结构；在所述凹槽的侧壁上形成侧墙层。本申请的制造方法能够解决在高深宽比开孔工艺中所存在的开孔不充分或开孔存在弓形的问题，以及采用简单的工艺制程即可实现降低半导体结构的关键尺寸，以替代现有的采用复杂的多重图形化等工艺来控制降低关键尺寸。
-
公开(公告)号：CN112018090A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010702164.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/64 , H01L27/108 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及一种电容结构及其制备方法和半导体器件。一种电容结构，包括上电极层；所述上电极层覆盖于保护膜之上，所述保护膜为等离子体氧化层和等离子体氮化层中的至少一种。本发明电容结构增加了保护膜，能防止加工过程中对电介质层等下层膜的损伤，从而避免了电流泄露，提高了电容量。
-
公开(公告)号：CN111927748A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010566699.3
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供的一种闸阀控制电路、抽真空设备以及真空室，涉及半导体制造设备领域，包括：电源和断路器，断路器与电源连接；电磁阀与断路器的负载端连接；断路器的负载端还用于与真空泵连接；电磁阀与闸阀控制连接；断路器根据真空泵的关闭，直接通过电磁阀控制闸阀。在上述技术方案中，该闸阀控制电路取消了泵控制器与阀门控制器之间常时运作信号(NOP)的传递，转而通过与供给真空泵电力的同一电源信号连接，当真空泵和电源之间的电力供给切断时直接向电磁阀发出控制信号，该控制信号自真空泵关闭至传递到电磁阀的过程仅需要不到0.1s的时间，与现有技术中常时运作信号(NOP)需要传递0.2s-0.3s的时间相比，明显降低了信号的传递延时。
-
公开(公告)号：CN111900167A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010596889.X
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成接触沟槽；在所述接触沟槽沉积接触材料层；图形化所述接触材料层以形成接触插塞。本公开的接触插塞的制造方法，通过将现有的氧化物层间介质层的沉积直接替换为沉积多晶硅接触插塞材料，从而将后续的刻蚀开孔以沉积接触插塞材料形成接触插塞替换为刻蚀去除多余的多晶硅插塞材料以形成接触插塞，从而克服了在接触插塞制备中底部开孔不充分，垂直形貌不均匀的问题。
-
公开(公告)号：CN111430281A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010450153.1
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接两个子过滤单元的马达，两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整一个以上的排气口大小，一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定，进而通过调整两个子过滤单元之间的距离，以实现对排气口大小的调整，进而针对不同工艺类型中副产物量的不同来适应性调整该排气口大小，以提高反应腔室内对副产物的过滤效果，并兼顾抽气效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
286
records
(took 0.097 seconds)
