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公开(公告)号：CN107768238B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201710914652.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本公开提供了一种格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法，包括：利用第一格栅贴紧碳化硅衬底的外延晶面，在未被第一格栅的栅条遮蔽的区域外延生长具有第一掺杂类型的第一外延结构；去除第一格栅，利用第二格栅遮蔽碳化硅衬底的外延晶面，在未被第二格栅的栅条遮蔽的区域外延生长具有第二掺杂类型的第二外延结构；其中，第二格栅的栅条和空格条的排布与第一格栅的栅条和空格条的排布互补，空格条可以流通生长气体，栅条不可以流通生长气体。本公开采用格栅做硬掩膜，限制生长气体在格栅的空格条区域与衬底表面接触并进行外延生长以制备掺杂区域，提高生长时间可以制备厚掺杂层；二次采用格栅调谐外延异质掺杂层后，即可制备高深宽比的掺杂区域。
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公开(公告)号：CN105047532B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510366654.0
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：步骤1：取一晶面为(0001)的SiC衬底；步骤2：在晶面为(0001)的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层。本发明可以用在SiC基开关器件的制造，与已有的SiC基场效应晶体管相比，提高了沟道载流子的迁移率，从而降低器件的通态电阻，减小功耗。
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公开(公告)号：CN106449757A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610859254.8
申请日：2016-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/0445 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种具有p型埋层和沟槽底部n型掺杂的SiC基UMOSFET的制备方法，其特征在于，在n-漂移层(3)上外延生长形成p型埋层(4)，在p型埋层(4)上外延生长形成n-漂移层(30)，在n-漂移层(30)上外延生长形成p型基区层(5)；在主沟槽(7)底部形成n型掺杂层(900)。在反向阻断状态下，有效降低栅氧化层(10)的电场；且由于p型埋层(4)和n型掺杂层(900)的屏蔽作用，p型基区层(5)的厚度大大降低，沟道降低至0.5um以下，提升通态性能。该种SiC基UMOSFET具有较高的巴俐加优值和较低的开关损耗。本发明还提供了一种SiC基UMOSFET的结构。
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公开(公告)号：CN104538294A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510002211.3
申请日：2015-01-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 刘胜北 , 何志 , 刘斌 , 杨香 , 刘兴昉 , 张峰 , 王雷 , 田丽欣 , 刘敏 , 申占伟 , 赵万顺 , 樊中朝 , 王晓峰 , 王晓东 , 赵永梅 , 杨富华 , 孙国胜 , 曾一平
CPC classification number: H01L29/401 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法。所述制作方法包括：提供SiC晶圆材料，并对所述SiC晶圆表面进行清洁；在所述SiC晶圆表面上淀积欧姆接触金属Ni；在所述欧姆接触金属Ni上面淀积TiW合金；对欧姆接触进行高温退火，完成SiC欧姆接触结构的制作。本发明中由于TiW合金具有一定的抗氧化性能，可以防止欧姆接触退火以及后续的工艺的过程中欧姆接触部分氧化失效；且TiW/Ni/SiC结构相对于Ni/SiC结构的欧姆接触具有更好的可靠性。
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公开(公告)号：CN104538289A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410787354.5
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67011 , H01L21/02529 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料生长制造装置，包括：主腔室，进气系统，石墨托，感应加热线圈，旋转系统和排气系统；所述进气系统用于向所述主腔室输入材料生长所需的气体；所述石墨托用于放置衬底材料，位于所述进气系统下方；所述感应加热线圈用于加热，位于所述石墨托下方；所述旋转系统与所述石墨托连接，用于带动所述石墨托进行旋转；所述排气系统用于向主腔室外部排出反应后的废气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103820768A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410086800.X
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法，首先对4H-SiC衬底进行清洗并放入垂直热壁低压CVD设备的生长室；反应室抽真空；设置反应室压强，并向反应室通氢气流；加热反应室至刻蚀温度，对衬底进行原位刻蚀；调节氢气流并升高反应室温度，反应室温度达到预生长温度时，通入生长源气体进行预生长，温度达到生长温度后，调节生长源气体流量进行外延生长；生长结束后，关闭生长源气体，并停止加热，在氢气流中冷却；对反应室抽真空后，继续在氩气流中冷却至室温，然后将生长室充入氩气至大气压强。本发明提高了外延生长速率，实现了4H-SiC高速同质外延生长，在较短生长时间内，获得了很厚的高质量4H-SiC外延层。
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公开(公告)号：CN103114277A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310072067.1
申请日：2013-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积的设备，其是由盖板和主体腔室构成的可开闭的封闭腔室；所述盖板内表面设置有气路单元，所述气路单元包括多个气流通道，所述多个气流通道通过间隔层相间隔，且每个所述气流通道与盖板的外表面上设置的多个气孔相连通；所述主体腔室包括可旋转承载盘和传动系统，所述传动系统带动所述可旋转承载盘进行旋转，所述可旋转承载盘上设置有放置晶片的凹槽；其中，所述多个气流通道至少包括第一气流通道和第二气流通道，所述第一气流通道用于通入反应源气体，所述第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出。该设备能够提高原子层外延的速度，节省单项工艺时间。通过提高承载盘的转速，可以提高原子层外延的生长速率。
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公开(公告)号：CN101644691B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810118013.3
申请日：2008-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括：一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通；与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道；一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。
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公开(公告)号：CN102492939A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110449876.0
申请日：2011-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积装置。该原子层沉积装置包括：薄膜生长室，在其相对的两侧面分别设置第一红外观察窗口和第二红外观察窗口；傅里叶红外光源，位于薄膜生长室的一侧，用于发射红外光束，红外光束通过第一红外观察窗口透射至位于薄膜生长室内部的样品表面；红外探测器，位于薄膜生长室的另一侧，用于收集经过样品表面后通过第二红外观察窗口射出的红外光束；分析系统，与红外探测器相连接，用于利用经过样品表面后通过第二红外观察窗口射出的红外光束判断原子层沉积的状态和/或反应物的残留。本发明原子层沉积装置实现了对沉积物的实时监测，可以给出是否进行了原子层沉积反应，以及反应残余物是否去除干净的准确信息，从而有利于使用者掌握实验的实时进展情况。
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公开(公告)号：CN102254798A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110177841.6
申请日：2011-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/265
Abstract: 一种碳化硅PiN微结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一n型碳化硅衬底；步骤2：对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀；步骤3：在n型碳化硅衬底上生长n-型变浓度缓冲层；步骤4：在n-型变浓度缓冲层上外延生长本征外延层；步骤5：采用离子注入法，在本征外延层上制备P型层；步骤6：退火，完成碳化硅PIN微结构的制作。
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