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公开(公告)号：CN103441152A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310380403.9
申请日：2013-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/66143
Abstract: 一种沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法，其中沟槽型MOS势垒肖特基二极管，包括：一衬底；一外延薄膜，其制作在衬底上，该外延薄膜的中间有一凸台，该凸台的侧壁为平面；一保护环，其制作在外延薄膜的凸台的周围，并位于凸台周围的平面向下；一绝缘介质薄膜，其制作在外延薄膜的凸台周围的侧壁上，高度与外延薄膜的凸台齐平，并位于保护环上，位于保护环上的部分的高度低于凸台的表面，其断面为L形；一肖特基接触金属，其制作在绝缘介质薄膜的表面，并覆盖外延薄膜凸台的表面；一第一压焊块，其覆盖于肖特基接触金属的表面；一欧姆接触金属，其制作在衬底的背面；一第二压焊块，其制作在欧姆接触金属的背面，其可以进一步降低碳化硅电力电子器件的功耗。
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公开(公告)号：CN102304698B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110264570.8
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。
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公开(公告)号：CN103343329B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310315012.9
申请日：2013-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/32 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺，包括液态源装置、载气装置、旁路、生长室以及真空系统。所述液态源装置包括四个源瓶：硅源、碳源、N型杂质源和P型杂质源，它们分别安装在独立的恒温槽里，并且整体安装在一个惰性气体控制柜里，其中源瓶通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室，并在生长室中进行化学反应合成碳化硅薄膜。所述载气用于稀释以及输运生长源，它直接通过主管道进入生长室。所述旁路可以单独打开或关闭，从而控制生长室气源进而控制薄膜生长；所述与载气装置相连接的旁路输运气量与主管道载气量相当，使所述与液态源装置相连接的旁路在切换过程中不至于影响生长室压力。
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公开(公告)号：CN102607923A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210105183.4
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N1/32
Abstract: 一种碳化硅材料腐蚀炉，包括：一主体加热炉，为耐热陶瓷构成的上端开口的中空圆柱体，内壁面有隔热材料，外壁面为不锈钢材料，耐热陶瓷内埋设有电炉丝；一镍质炉盖，位于主体加热炉的开口上方；一镍坩埚，位于主体加热炉内；一镍篮旋转装置，位于主体加热炉的上方；一镍篮，位于镍坩埚内，其上端与镍篮旋转装置连接，用于承载样品；一温控装置，安装在主体加热炉之外。本发明针对碳化硅缺陷腐蚀技术而设计，较传统腐蚀炉具有结构简单，使用安全，操作便捷等优点。
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公开(公告)号：CN102304763A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110267894.7
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内，在源气体管路的上方；一固定托盘位于主腔室内，在可动托盘的上方；一第一辅助腔室用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室提供样品，该第一辅助腔室位于主腔室的一侧，与主腔室连通，在主腔室与第一辅助腔室之间有一第一闸门；一第二辅助腔室用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室取出样品，该第二辅助腔室位于主腔室的另一侧，与主腔室连通，在主腔室与第二辅助腔室之间有一第二闸门；其中所述第一和第二辅助腔室通过第一、第二闸门分别与所述主腔室隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102304698A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110264570.8
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。
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公开(公告)号：CN102304763B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110267894.7
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内，在源气体管路的上方；一固定托盘位于主腔室内，在可动托盘的上方；一第一辅助腔室用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室提供样品，该第一辅助腔室位于主腔室的一侧，与主腔室连通，在主腔室与第一辅助腔室之间有一第一闸门；一第二辅助腔室用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室取出样品，该第二辅助腔室位于主腔室的另一侧，与主腔室连通，在主腔室与第二辅助腔室之间有一第二闸门；其中所述第一和第二辅助腔室通过第一、第二闸门分别与所述主腔室隔离。
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公开(公告)号：CN103820768A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410086800.X
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法，首先对4H-SiC衬底进行清洗并放入垂直热壁低压CVD设备的生长室；反应室抽真空；设置反应室压强，并向反应室通氢气流；加热反应室至刻蚀温度，对衬底进行原位刻蚀；调节氢气流并升高反应室温度，反应室温度达到预生长温度时，通入生长源气体进行预生长，温度达到生长温度后，调节生长源气体流量进行外延生长；生长结束后，关闭生长源气体，并停止加热，在氢气流中冷却；对反应室抽真空后，继续在氩气流中冷却至室温，然后将生长室充入氩气至大气压强。本发明提高了外延生长速率，实现了4H-SiC高速同质外延生长，在较短生长时间内，获得了很厚的高质量4H-SiC外延层。
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公开(公告)号：CN103388177B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310315026.0
申请日：2013-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体；且每条管道可独立的打开或关闭。所述液态源装置包括多个源瓶，安装在一个惰性气体控制柜里，其中源瓶安装在恒温槽里，通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室，并在生长室中进行化学反应合成所需半导体薄膜。所述载气直接通过主管道进入生长室，并通过打开或关闭旁路控制生长室气源，以达到控制薄膜生长以及切换过程中平衡生长室压力的目的。
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公开(公告)号：CN102607923B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210105183.4
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N1/32
Abstract: 一种碳化硅材料腐蚀炉，包括：一主体加热炉，为耐热陶瓷构成的上端开口的中空圆柱体，内壁面有隔热材料，外壁面为不锈钢材料，耐热陶瓷内埋设有电炉丝；一镍质炉盖，位于主体加热炉的开口上方；一镍坩埚，位于主体加热炉内；一镍篮旋转装置，位于主体加热炉的上方；一镍篮，位于镍坩埚内，其上端与镍篮旋转装置连接，用于承载样品；一温控装置，安装在主体加热炉之外。本发明针对碳化硅缺陷腐蚀技术而设计，较传统腐蚀炉具有结构简单，使用安全，操作便捷等优点。
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