-
公开(公告)号：CN115274911A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210920365.0
申请日：2022-08-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种范德瓦尔斯异质结光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括：全耗尽范德华异质结；所述全耗尽范德华异质结包括从下到上依次设置的第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层。本发明通过包括第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层的三明治结构以形成全耗尽内置电场，实现在降低器件暗电流的同时提升光吸收效率，并且加快光生载流子分离速率和收集效率。
-
公开(公告)号：CN113279058A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110392272.0
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种低对称性层状材料Te的可控制备方法。该方法利用简单廉价的化学气相沉积，可控的生长六边形、五边形、四边形等不同形貌的Te纳米片和Te纳米线。可控生长的过程是利用单温区的管式炉，SnTe2粉末作为反应源料，放置炉子炉子中间，衬底硅片放置于炉子的末端。使用机械泵抽取真空，气路中的压强达到0.5Pa，通入氮气，压强升到1000Pa。打开管式炉的电源开关，加热到650℃，反应30min，关闭电源。冷却室温后，在硅片上生长出Te纳米线和不同形貌Te纳米片，扫描电子显微镜和原子力显微镜表征Te纳米材料。本发明的优点在于低成本、高效率、准确可控地制备高质量、不同纳米形貌的低对称性层状材料Te。
-
公开(公告)号：CN111272217A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010052428.6
申请日：2020-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用分形结构提取紫外至长波红外激光光斑的方法。该方法利用光的波动性对波长进行分辨：同一波长的电磁波对不同尺度的结构的反射及透射不同，不同波长的电磁波对某一特定尺度的结构的反射及透射也不同。该方法还利用了分形结构的自相似性，来构造分别适用于超宽光谱的结构，并将电磁波对不同尺度的结构的反射的不同转化为了空间位置的不同。通过测量不同位置的反射特征，并结合分形结构的自相似性理论，对数据进行分析，得到激光光斑大小信息、激光波长信息。通过对多个水平方向的测量，可以得到激光的光斑形状。本专利的优点是结构简单，可以提取波长从70nm到14μm范围内的激光波长和光斑尺寸信息。
-
公开(公告)号：CN105762281A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236535.8
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/428 , H01L51/0003 , H01L51/004
Abstract: 本发明公开了一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、二维半导体，金属源漏电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合剥离工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，然后在该结构上制备铁电薄膜，随后在铁电薄膜上制备半透明或透明电极，形成二维半导体探测器结构。器件首先需要通过极化铁电材料，使得二维半导体沟道背景载流子完全耗尽，源极和漏极间施加一微小电压，通过测量光照下的电流信号变化，进而实现光电探测。该探测器具有高灵敏、快速响应、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。
-
公开(公告)号：CN102592999B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210072930.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10 , G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法，该方法是通过器件模拟发现在材料生长过程中将GaN沟道层的厚度控制在15～22nm之间可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果制作了AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件，进而为优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101769941B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010101896.4
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。
-
公开(公告)号：CN102592999A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210072930.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10 , G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法，该方法是通过器件模拟发现在材料生长过程中将GaN沟道层的厚度控制在15～22nm之间可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果制作了AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件，进而为优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
-
公开(公告)号：CN101916773B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010234859.0
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种Al2O3/AlN/GaN/AlGaN/GaN双沟道MOS-HEMT器件的制作方法，包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、AlGaN下势垒层7、GaN沟道层6、AlN上势垒层5以及其上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3、Al2O3栅介质层4上形成的栅极2，其特征是：采用具有优良热导性和较大禁带宽度的AlN材料作为上势垒层，降低了器件的自加热效应，同时降低了器件耗尽模式下的阈值电压；利用AlN和GaN形成的深势阱抑制高电压下的热电子效应，从而降低器件的电流坍塌效应；利用AlN材料强的极化性质，提高了沟道中的电子浓度，增大了饱和电流和器件的输出功率；使用原子层沉积工艺淀积的Al2O3材料作为栅介质层，减少了栅极漏电流，提高了器件的击穿电压。
-
公开(公告)号：CN101551294B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910050313.7
申请日：2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
-
公开(公告)号：CN101872804A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010182280.4
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件原位集成红外微凸镜列阵工艺所需的掩模用光刻胶微凸镜列阵的成形方法，它涉及光电探测器件的制造技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)方法，仅对红外焦平面探测器表面光刻胶进行局部的等离子体轰击回流的掩模用光刻胶微凸镜列阵成形的技术方案。基于高密度、低能量氧等离子体的光刻胶微凸镜列阵成形方法，只在氧等离子体与光刻胶发生反应的局部区域产生温升回流，解决了采用常规热熔回流进行红外焦平面探测器掩模用光刻胶微凸镜成形时必须经受高温过程的缺点。因而，本发明具有操作简单、可控性好和无需经受高温过程的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
115
records
(took 0.041 seconds)
