公开(公告)号：CN116646412A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310736479.4

申请日：2023-06-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 葛浩楠 ,  胡伟达 ,  王芳 ,  谢润章 ,  代福兴 ,  姜睿琪

IPC: H01L31/036 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于红外探测器技术领域，具体涉及一种短波红外探测器单元器件及其制备方法。本发明在吸收层的表面设置有多耦合拓扑缺陷光子晶体结构层，多耦合拓扑缺陷光子晶体结构层为具有通孔结构的第三介质材料层；第三介质材料层上设置有周期性排布的第一通孔和周期性排布的第二通孔，第一通孔中填充有第一介质材料，第二通孔中填充有第二介质材料。本发明第一介质材料和第三介质材料形成光子晶体结构有效增强了红外探测器对红外光的吸收；通过第二通孔的第二介质材料在光子晶体结构中形成缺陷带和缺陷模两种拓扑缺陷，利用两种拓扑缺陷间的耦合及泄露模式的干涉，实现光子晶体结构对入射光场的定域化增强，进而增强红外探测焦平面像元红外信号。

公开(公告)号：CN115274911A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210920365.0

申请日：2022-08-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王芳 ,  代福兴 ,  胡伟达 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种范德瓦尔斯异质结光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括：全耗尽范德华异质结；所述全耗尽范德华异质结包括从下到上依次设置的第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层。本发明通过包括第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层的三明治结构以形成全耗尽内置电场，实现在降低器件暗电流的同时提升光吸收效率，并且加快光生载流子分离速率和收集效率。