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公开(公告)号：CN101221203A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710172700.9
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN100365780C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510029961.6
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/467 , H01L21/469 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO2)材料。SiO2掩模层的制备方法是：先采用磁控溅射镀膜技术在HgCdTe材料表面生长SiO2薄膜，再利用光刻技术和湿化学腐蚀技术将光刻版掩模图形转移到SiO2薄膜上，从而在HgCdTe材料表面形成SiO2掩模层。本发明的最大优点是：掩膜层具有高的刻蚀选择比，能避免用光刻胶作掩膜层会导致大量聚合物沉积、刻蚀停滞现象和刻蚀线宽损失的不足，并在掩模层的制作过程中无需经受高温处理。
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公开(公告)号：CN1949508A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610118053.9
申请日：2006-11-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L25/18 , H01L27/144 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法，该探测器，包括：红外光敏元列阵芯片、读出电路、混成互连铟柱和增透会聚微镜列阵。所说的增透会聚微镜列阵是由红外光敏元列阵芯片的衬底背面生长一增透膜，通过常规的等离子体组合刻蚀形成的。微镜制备方法采用了记忆焦平面探测芯片正面图形的光刻方法，获得的背向集成微透镜列阵的各个光轴在空间上与其对应的光敏像元的光敏面中心法线重合。本发明的优点是：由于增透会聚微镜中心区域的增透效果，以及周边区域的会聚作用，既能提高新一代高密度像元红外焦平面探测器的光电流信号，又能减小相邻像元之间的空间串音。
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公开(公告)号：CN1937190A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610117107.X
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法，该方法是在红外光敏感列阵芯片和读出电路在常规的冷压混成互连后，采用甲酸作为还原剂，在金属铟的熔点温度下进行混成互连铟柱的微熔回流加固，以增强混成互连铟柱之间及内部的键合力，以及混成互连铟柱与金属化电极层间的机械接触强度，从而确保红外光敏感列阵芯片与硅读出电路之间的电学连通，并提高红外焦平面混成互连的机械可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN1794437A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030792.8
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/607 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器的回流提拉倒装焊接方法，该方法的特征是：采用在硅读出电路上制备In球列阵，光敏感列阵芯片上制备焊接压点，并采用单边In球回流振动提拉的倒装焊接方法。本发明的优点是：采用硅读出电路一侧制备In球列阵的单边In球倒装焊接方法，避免了因经受In熔点的高温回流处理给红外光敏感列阵芯片带来性能上的不利影响。在回流倒装提拉焊接过程中，使列阵芯片的焊接压点与读出电路的In球之间产生微小振幅的来回运动，以蹭破In球表面的氧化层，提高了回流状态的In球与焊接压点间的浸润性，从而提高了器件倒装焊接的机械和电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1741259A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510029961.6
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/467 , H01L21/469 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO2)材料。SiO2掩模层的制备方法是：先采用磁控溅射镀膜技术在HgCdTe材料表面生长SiO2薄膜，再利用光刻技术和湿化学腐蚀技术将光刻版掩模图形转移到SiO2薄膜上，从而在HgCdTe材料表面形成SiO2掩模层。本发明的最大优点是：掩膜层具有高的刻蚀选择比，能避免用光刻胶作掩膜层会导致大量聚合物沉积、刻蚀停滞现象和刻蚀线宽损失的不足，并在掩模层的制作过程中无需经受高温处理。
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公开(公告)号：CN119492903A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411596045.X
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外芯片极弱暗电流的表征方法，包括：根据测试系统极限、红外芯片预期盲元率和暗电流，计算阵列像元数量的下限与上限；将红外芯片的像元阵列引出到测试管脚；利用数字源表测量像元阵列的总暗电流；暗电流根据阵列规格归一化；剔除由短路像元引入的暗电流明显偏大的异常结果；得到该器件单个像元的暗电流。本发明采用多像元并联的方法，使阵列总暗电流可以被现有测试系统准确测量，并给出了阵列像元数量的计算方法，为极弱暗电流的红外芯片提供了一种简单快捷、普适性强的表征方法。
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公开(公告)号：CN117739860A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311833362.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种红外光电探测器倒焊面形匹配方法，本方法利用激光干涉仪测量红外光敏感芯片和读出电路的面形数据，根据预设掩膜提取有效的数据区域，拟合生成面形分布图，然后计算多种红外光敏感芯片‑读出电路组合和多旋转角度的表面距离分布及组合PV值，获得使组合PV值最小的芯片‑电路组合及其旋转角度。本发明可以高精度、自动化地实现超大面阵器件倒焊互连前的面形匹配分析，以组合PV值代替测量获得的PV值作为选择标准，允许PV值较大的红外光敏感芯片和读出电路通过面形匹配获得较好倒焊互连效果，提高倒焊互连工艺的成功率和红外光电探测器的成品率。
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公开(公告)号：CN117091709A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311072891.7
申请日：2023-08-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种用于多级冷屏的光敏元响应率非均匀性校正方法及系统，涉及数据处理技术领域。本发明可以对含多级冷屏且窗口和冷屏开孔为任意形状的杜瓦内探测器响应率测试结果进行校正，其中，对窗口面进行网格划分，计算每个窗口面网格单元对面阵红外探测器芯片中光敏元的有效立体角，以生成探测器光敏元有效立体角分布矩阵，接着，基于探测器光敏元有效立体角分布矩阵确定整个面阵红外探测器芯片中光敏元的F数分布矩阵，并采用这一F数分布矩阵校正光敏元响应率矩阵实现对焦平面响应率非均匀性的校正，具有算法实现过程简单，计算结果准确，适用范围广等优点。
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公开(公告)号：CN110631715A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910850249.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种适用于曲面成像的焦平面探测器及其制备方法，所述的适用于曲面成像的焦平面探测器包括：支撑衬底；赋形焦平面阵列，位于所述支撑衬底的表面，赋形焦平面阵列和支撑衬底的曲面形状保持一致。采用这种结构可以始终保持光线聚焦在焦平面探测器上，不需要通过复杂的光学校正计算便可以保证最大程度的成像效果，该结构适合大视场、大面阵高分辨率成像。所述的制备方法使用了PDMS柔性模具对硅基焦平面进行赋形，并且使用紫外固化材料和紫外光照进行定形，过程简单，成形过程不需要复杂昂贵的仪器和设备，并且制备效率高。
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