-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110793644A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911093625.6
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本发明公开了一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法，所述的红外焦平面探测器应力芯片的调控方法所采用的装置包括：拉杆、拉杆支撑、底座、压条和垫片。所述的装置对于应力芯片调控的方式简单、易于测量，同时该装置搭建容易、可拆卸，而且可以重复使用。将已制备好的红外焦平面探测器芯片用DW-3低温环氧胶粘贴在压条上，在自由端对其施加向下或者向上的外力，芯片上的光敏元分成四个区域，通过对芯片上光敏元的四个区域进行测试来得到应力芯片光电性能参数，可以测得电阻率的变化。通过这种方法可以直接调控芯片的载流子迁移率，改变其电导率，从而改善红外焦平面探测器的光电响应，最终提高器件的性能。
-
公开(公告)号：CN110487203A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910618838.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构，针对不同衬底材料和工艺存在的不同翘曲形变，利用对应的可补偿形变平衡方法，被校正电路和校正片之间采用DW-3低温环氧胶粘接，使用热膨胀系数比被校正电路大2±0.1倍的校正片进行校正，校正片的厚度为0.4mm—5mm，该方法实现了电路翘曲形变的校正。本发明方法原理简单、样品制备容易、易于测量并且易于分析。
-
公开(公告)号：CN110631715A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910850249.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种适用于曲面成像的焦平面探测器及其制备方法，所述的适用于曲面成像的焦平面探测器包括：支撑衬底；赋形焦平面阵列，位于所述支撑衬底的表面，赋形焦平面阵列和支撑衬底的曲面形状保持一致。采用这种结构可以始终保持光线聚焦在焦平面探测器上，不需要通过复杂的光学校正计算便可以保证最大程度的成像效果，该结构适合大视场、大面阵高分辨率成像。所述的制备方法使用了PDMS柔性模具对硅基焦平面进行赋形，并且使用紫外固化材料和紫外光照进行定形，过程简单，成形过程不需要复杂昂贵的仪器和设备，并且制备效率高。
-
公开(公告)号：CN210862935U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921931092.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本专利公开了一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置，所述的红外焦平面探测器应力芯片的调控方法所采用的装置包括：拉杆、拉杆支撑、底座、压条和垫片。所述的装置对于应力芯片调控的方式简单、易于测量，同时该装置搭建容易、可拆卸，而且可以重复使用。将已制备好的红外焦平面探测器芯片用DW‑3低温环氧胶粘贴在压条上，在自由端对其施加向下或者向上的外力，芯片上的光敏元分成四个区域，通过对芯片上光敏元的四个区域进行测试来得到应力芯片光电性能参数，可以测得电阻率的变化。通过这种方法可以直接调控芯片的载流子迁移率，改变其电导率，从而改善红外焦平面探测器的光电响应，最终提高器件的性能。
-
公开(公告)号：CN210862938U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921494573.9
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20 , H01L27/144
Abstract: 本专利提供一种适用于曲面成像的焦平面探测器，所述的适用于曲面成像的焦平面探测器包括：支撑衬底；赋形焦平面阵列，位于所述支撑衬底的表面，赋形焦平面阵列和支撑衬底的曲面形状保持一致。采用这种结构可以始终保持光线聚焦在焦平面探测器上，不需要通过复杂的光学校正计算便可以保证最大程度的成像效果，该结构适合大视场、大面阵高分辨率成像。所述的制备方法使用了PDMS柔性模具对硅基焦平面进行赋形，并且使用紫外固化材料和紫外光照进行定形，过程简单，成形过程不需要复杂昂贵的仪器和设备，并且制备效率高。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.032 seconds)
